一种利用抛光废渣制备的釉面砖及其制备方法技术

本发明专利技术涉及轻质陶瓷技术领域，公开了一种利用抛光废渣制备的釉面砖及其制备方法。该釉面砖的原料包括：抛光废渣、钾长石、钠长石、石英、煅烧高岭土、铝矾土、烧滑石；按重量份数计，所述抛光废渣为25～35份、铝矾土为3～5份。本发明专利技术加入一定量煅烧高岭土、铝矾土、烧滑石等原料，解决了在使用抛光废渣时由于玻璃相含量高，烧成温度偏低的问题，使釉料配方与坯体的烧成温度相匹配，防止釉面出现釉裂。而且本发明专利技术加入釉用色料制备纯色系釉面砖，解决了抛光废渣存在的Fe2O3着色氧化物造成烧成后白度较低的问题，并且具有较好的装饰效果。抛光废渣的利用有效降低了生产成本，且制备方法工艺简单、可控性强、稳定性高，有利于大规模工业化生产。产。

【技术实现步骤摘要】
一种利用抛光废渣制备的釉面砖及其制备方法


[0001]本专利技术涉及轻质陶瓷
，具体涉及一种利用抛光废渣制备的釉面砖及其制备方法。

技术介绍

[0002]抛光废渣是陶瓷砖在抛光工序及磨边工序中产生的废料，以往的抛光废料以抛光砖废料居多，抛光砖多采用碳化硅磨块，在抛光过程中磨块的磨损会在抛光废料中残留部分碳化硅，而碳化硅在高温烧成过程中会发生氧化反应产生CO2气体，将抛光废料混入到普通陶瓷砖原料中会产生气泡引起釉面缺陷。因此抛光废料多用作制备多孔轻质陶瓷砖或发泡陶瓷。
[0003]随着陶瓷喷墨打印的兴起，装饰效果越来越丰富，因此抛釉砖生产越来越多，抛釉砖表面釉料硬度实际较低，因此碳化硅磨块的使用已经并不多，大多采用的是金刚石磨块，在抛光的过程中并不会产生具有高温反应产生CO2气体的碳化硅。现在抛釉砖等抛光形成的废料多为熔剂性原料，玻璃相含量高，烧成温度偏低，因此可用作釉面砖的釉料来使用。
[0004]但是抛光废渣的利用会造成烧成温度偏低，使釉料配方与坯体烧成温度不相匹配，造成釉面产生釉裂的问题，并且会造成烧成后釉面白度较低的问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术旨在至少解决上述现有技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术提出一种利用抛光废渣制备的釉面砖及其制备方法。该釉面砖的釉料原料组分与坯体的烧成温度相互匹配，可防止釉面出现釉裂，且可改善釉面砖的白度问题。
[0006]本专利技术的专利技术构思为：本专利技术以抛光工序产生的废料作为抛光废渣，将抛光废渣为主要原料，配合煅烧高岭土、钾长石、钠长石、石英、铝矾土、烧滑石、水、分散剂、悬浮剂，以及添加适量的釉用色料制备纯色系釉面砖，对其白度进行调控，添加适量铝矾土，从而提升釉面砖烧成温度以免出现釉面砖出现针孔及釉裂的问题。
[0007]本专利技术的第一方面提供一种釉面砖，所述釉面砖的原料包括：抛光废渣、钾长石、钠长石、石英、煅烧高岭土、铝矾土、烧滑石；按重量份数计，所述抛光废渣为25～35份、铝矾土为3～5份。
[0008]优选的，按重量份数计，所述钾长石15～20份、钠长石5～10份、石英3～5份、煅烧高岭土12～18份、烧滑石3～10份，釉用色料0.1～1份。
[0009]优选的，所述抛光废渣的化学成分按质量百分比计包括：58～61％ SiO2、13～16％ Al2O3、0～0.2％ Fe2O3、7～9％ CaO、3～5％ MgO、1～3％ K2O、2～3％ Na2O、0～1％ ZrO2、3～5％ ZnO、1～2％烧失量。
[0010]优选的，所述抛光废渣的粒径为400～800目。
[0011]优选的，所述釉面砖是纯色系釉面砖。
[0012]优选的，所述所述釉面砖的原料还包括釉用色料、水、分散剂、悬浮剂。
[0013]进一步优选的，所述釉用色料的釉料比重为1.75～1.85g/cm3。
[0014]优选的，所述分散剂至少包括以下组分的一种：磷酸钠、三聚磷酸钠、六偏磷酸钠。
[0015]优选的，所述悬浮剂为羧甲基纤维素钠。
[0016]本专利技术的第二方面提供一种釉面砖的制备方法，具体的，包括以下步骤：
[0017](1)将原料进行混合，筛网除杂，制得釉料浆；
[0018](2)对陶瓷砖表面施釉、干燥，在窑炉中进行烧成，制得所述釉面砖。
[0019]优选的，所述筛网除杂的筛余小于0.3％。
[0020]优选的，所述混合的方式包括湿法球磨，湿法球磨的时间为1～3小时。
[0021]进一步优选的，所述湿法球磨的时间为1～1.5小时。
[0022]优选的，所述烧成的温度为1160～1200℃。
[0023]优选的，干燥时间为40～60min。
[0024]优选的，所述烧成的时间为50～80min。
[0025]相对于现有技术，本专利技术的有益效果如下：
[0026](1)本专利技术加入一定量煅烧高岭土、铝矾土、烧滑石等原料，解决了在使用抛光废渣时由于玻璃相含量高，烧成温度偏低的问题，使釉料配方与坯体的烧成温度相匹配，防止釉面出现釉裂、针孔。
[0027](2)本专利技术以抛光废渣为釉料主要组分，加入釉用色料制备纯色系釉面砖，解决了抛光废渣存在的Fe2O3着色氧化物造成烧成后白度较低的问题，并且具有较好的装饰效果。抛光废渣的利用有效降低了生产成本，且制备方法工艺简单、可控性强、稳定性高，有利于大规模工业化生产。
具体实施方式
[0028]为了让本领域技术人员更加清楚明白本专利技术所述技术方案，现列举以下实施例进行说明。需要指出的是，以下实施例对本专利技术要求的保护范围不构成限制作用。
[0029]以下实施例中所用的原料、试剂或装置如无特殊说明，均可从常规商业途径得到，或者可以通过现有已知方法得到。
[0030]本专利技术以抛光工序产生的废料作为主要原料，配合煅烧高岭土、钾长石、钠长石、石英、铝矾土、烧滑石、水、分散剂和悬浮剂，以及添加适量的釉用色料进行白度的调控。所用的抛光废渣和煅烧高岭土均含有大量的二氧化硅和三氧化二铝，二氧化硅是釉玻璃的主体，可提高釉的熔融温度和粘度，赋予釉高的力学强度，良好的热稳定性、化学稳定性，高的白度和透明度，而三氧化二铝是网络中间体，在釉中的作用类似于二氧化硅，其提高熔融温度和高温粘度的能力更强。一部分二氧化硅与三氧化二铝在高温时生成莫来石晶体，莫来石晶体与残余石英一起形成釉坯的骨架，一部分二氧化硅则与碱性金属氧化物在高温下生成玻璃相，使制品具有半透明性。而引入钾长石和钠长石，进一步引入氧化钾和氧化钠，它们是成釉的主要成分，起助熔剂作用，存在于玻璃相中提高透明度，但是由于引入了钾长石和钠长石，会造成烧成温度和热稳定性降低，因此本专利技术继续添加3
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5份铝矾土，铝矾土又称铝土矿，主要成分是氧化铝，是含有杂质的水合氧化铝，其密度为3.9
‑
4g/cm3、硬度为1
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3、不透明、质脆、极难熔化、不溶于水。由于晶体的形状、结构、发育的完好程度会直接影响到产品气孔率、密度和磨损率，晶体发育良好的产品各种性能均呈现良好，控制烧成制度，
保证合理的烧成温度和烧成气氛，所获得的产品均匀致密。因此，添加3
‑
5份铝矾土，适当提高烧成温度，从而使釉与坯体的烧成温度相匹配，防止出现釉裂、针孔的情况。但是，由于本专利技术使用的抛光废渣较多，抛光废渣中同时含有较多氧化铁，氧化铁会使制品呈黄褐色或暗灰色，虽然本专利技术的抛光废渣中也含有氧化镁和氧化钙可提高白度，但是仍然不足以消除氧化铁对色调的影响，因此本专利技术还需要添加0.1～1份釉用色料制备纯色釉面砖，从而使釉面的白度符合要求。同时，本专利技术使用了大量的煅烧高岭土，需要添加适量的悬浮剂(羧甲基纤维素钠)，其属于聚合电解质类，在釉浆中可作为粘结剂，具有线性高分子结构，将羧甲基纤维素钠加入水中，其亲水基与水结合，形成溶剂化层，并通过范德华力作用形成网状结构，有效调节釉浆流动变性，便于施釉，并且可以有效避免本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种釉面砖，其特征在于，所述釉面砖的原料包括：抛光废渣、钾长石、钠长石、石英、煅烧高岭土、铝矾土、烧滑石；按重量份数计，所述抛光废渣为25～35份、铝矾土为3～5份。2.根据权利要求1所述的釉面砖，其特征在于，按重量份数计，所述钾长石15～20份、钠长石5～10份、石英3～5份、煅烧高岭土12～18份、烧滑石3～10份，釉用色料0.1～1份。3.根据权利要求1所述的釉面砖，其特征在于，所述抛光废渣的化学成分按质量百分比计包括：58～61％SiO2、13～16％Al2O3、0～0.2％Fe2O3、7～9％CaO、3～5％MgO、1～3％K2O、2～3％Na2O、0～1％ZrO2、3～5％ZnO、1～2％烧失量。4.根据权利要求1所述的釉面砖，其特征在于，所述抛光废...

【专利技术属性】
技术研发人员：柯善军，朱志超，蒙臻明，殷晓春，范伟峰，
申请(专利权)人：广西欧神诺陶瓷有限公司，
类型：发明
国别省市：