电磁屏蔽膜及线路板制造技术

本发明专利技术公开了一种电磁屏蔽膜和线路板，其中，电磁屏蔽膜包括屏蔽层和胶膜层,所述胶膜层中设有导电粒子；所述屏蔽层靠近所述胶膜层一侧的粗糙度Ra与所述导电粒子在所述胶膜层中的重量占比的比值大于或等于0.2；部分所述导电粒子在0

【技术实现步骤摘要】
电磁屏蔽膜及线路板


[0001]本专利技术涉及电子
，尤其是涉及一种电磁屏蔽膜及线路板。

技术介绍

[0002]近年来，为了防止受到从外部接收的电磁波的干扰或者内部的电子部件之间相互接收的电磁波的干扰的影响而导致电子机器进行错误动作，常使用电磁屏蔽膜覆盖重要的电子部件和线路板，从而降低电磁干扰。目前，现有线路板常用的电磁屏蔽膜包括依次层叠设置的绝缘层、屏蔽层和胶膜层，屏蔽层靠近胶膜层的一面具有粗糙度，在使用时需要将电磁屏蔽膜与线路板高温压合，在热压过程中屏蔽层通过具有粗糙度的一面来刺穿胶膜层从而与线路板的地层电连接，进而将干扰电荷导入线路板的地层，从而实现屏蔽。本专利技术人在实施本专利技术的过程中发现，现有技术中存在以下技术问题：仅依靠设置粗糙度的方式来刺穿胶膜层的刺穿效果不佳，导致电磁屏蔽膜的接地性能较差。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例的目的是提供一种电磁屏蔽膜，能提高电磁屏蔽膜的接地性能。
[0004]为实现上述目的，本专利技术实施例提供了一种电磁屏蔽膜，包括屏蔽层和胶膜层,所述胶膜层中设有导电粒子；
[0005]所述屏蔽层靠近所述胶膜层一侧的粗糙度Ra与所述导电粒子在所述胶膜层中的重量占比的比值大于或等于0.2；部分所述导电粒子在0
‑
1/2H的平均横截面面积大于在1/2H
‑
H的平均截面面积，其中H为所述导电粒子的高度。
[0006]作为上述方案的改进，所述屏蔽层靠近所述胶膜层一侧的粗糙度Ra为0.1
‑<br/>5微米。
[0007]作为上述方案的改进，所述屏蔽层靠近所述胶膜层一侧的粗糙度Ra与所述导电粒子在所述胶膜层中的重量占比的比值为0.2
‑
100。
[0008]作为上述方案的改进，部分所述导电粒子的一端与所述胶膜层远离所述屏蔽层的一面接触；部分所述导电粒子的一端与所述胶膜层靠近所述屏蔽层的一面接触。
[0009]作为上述方案的改进，部分所述导电粒子的平均横截面大的一侧与所述胶膜层靠近所述屏蔽层的一面接触。
[0010]作为上述方案的改进，至少一部分所述导电粒子设有尖刺结构。
[0011]作为上述方案的改进，所述导电粒子的平均粒径为0.1
‑
50μm。
[0012]作为上述方案的改进，所述导电粒子材质选自铜、铝、锌、镍、银、铁、钴、钛中的至少一种。
[0013]作为上述方案的改进，所述屏蔽层的表面为非平整表面。
[0014]为实现上述目的，本专利技术实施例还提供一种线路板，包括线路板本体及如上述任一实施例所述的电磁屏蔽膜；所述电磁屏蔽膜与所述线路板本体相压合；所述屏蔽层的靠近所述胶膜层的一面与所述线路板本体的地层电连接。
[0015]相比于现有技术，本专利技术实施例提供的所述电磁屏蔽膜及线路板，通过在胶膜层
中设置导电粒子，在压合电磁屏蔽膜的过程中通过导电粒子导通屏蔽层和线路板地层，从而将干扰电荷导入线路板的地层，实现电磁屏蔽。通过将部分的所述导电粒子设置为在0
‑
1/2H的平均横截面面积大于在1/2H
‑
H的平均截面面积，使得在压合时导电粒子具有较佳的刺穿性能，能够提高导电粒子与屏蔽层之间的接触程度。所述屏蔽层靠近所述胶膜层一侧的粗糙度Ra与所述导电粒子在所述胶膜层中的重量占比的比值大于或等于0.2，使得导电粒子在胶膜层的分布适中，不会出现所述导电粒子的数量过少而导致所述导电粒子与所述屏蔽层和线路板地层的接触减少，进而导致导入到线路板地层的干扰电荷减少而降低了电磁屏蔽膜的接地性能，可以提高电磁屏蔽膜的接地性能；同时使得导电粒子不会过多占用胶膜层的容胶空间，能够使得所述胶膜层中的胶被所述屏蔽层的靠近所述胶膜层的一面有效容纳，也不容易出现胶类物质大量移动向线路板的边缘而导致在电磁屏蔽膜与线路板之间的边缘出现明显的胶溢出问题，从而能够使得压合屏蔽膜后的线路板具有良好的外观。另外，在部分所述导电粒子的一端与所述胶膜层远离所述屏蔽层的一面接触时，能够提高线路板地层与导电粒子的接触面积，以及在部分所述导电粒子的一端与所述胶膜层靠近所述屏蔽层的一面接触时，能够提高屏蔽层与导电粒子的接触面积，从而提高电磁屏蔽膜的接地性能。
附图说明
[0016]图1是本专利技术实施例提供的第一种电磁屏蔽膜的结构示意图；
[0017]图2是本专利技术实施例提供的电磁屏蔽膜的局部放大图；
[0018]图3是本专利技术实施例提供的第二种电磁屏蔽膜的结构示意图；
[0019]图4是本专利技术实施例提供的第三种电磁屏蔽膜的结构示意图；
[0020]图5是本专利技术实施例提供的第四种电磁屏蔽膜的结构示意图；
[0021]图6是本专利技术实施例提供的第五种电磁屏蔽膜的结构示意图；
[0022]图7是本专利技术实施例提供的一种线路板的结构示意图。
[0023]其中，1、屏蔽层；2、胶膜层；3、绝缘层；4、载体层；5、保护膜层；6、线路板本体；21、导电粒子。
具体实施方式
[0024]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0025]在说明书和权利要求书的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“左”、“右”、“前”、“后”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术实施例，而不是指示或暗示所指的装置或部件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术实施例的限制。
[0026]此外，在说明书和权利要求书中的术语第一、第二等仅用于区别相同技术特征的描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量，也不一定描述次序或时间顺序。在合适的情况下术语是可以互换的。由此，限定有“第一”、
“
第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。
[0027]参见图1～2，本专利技术一实施例提供了一种电磁屏蔽膜，包括屏蔽层1和胶膜层2,所述胶膜层2中设有导电粒子21；所述屏蔽层靠近所述胶膜层一侧的粗糙度Ra与所述导电粒子在所述胶膜层中的重量占比的比值大于或等于0.2；部分所述导电粒子21在0
‑
1/2H的平均横截面面积大于在1/2H
‑
H的平均截面面积，其中H为所述导电粒子21的高度。
[0028]在本专利技术实施例中，通过在胶膜层2中设置导电粒子21，在压合电磁屏蔽膜的过程中通过导电粒子21导通屏蔽层1和线路板地层，从而将干扰电荷导入线路板的地层，实现电磁屏蔽。通过将部分的所述导电粒子21设置为在0
‑
1/2H的平均横截面面积大于在1/2H
‑
H的平均截面面积，使得本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电磁屏蔽膜，其特征在于，包括屏蔽层和胶膜层,所述胶膜层中设有导电粒子；所述屏蔽层靠近所述胶膜层一侧的粗糙度Ra与所述导电粒子在所述胶膜层中的重量占比的比值大于或等于0.2；部分所述导电粒子在0
‑
1/2H的平均横截面面积大于在1/2H
‑
H的平均截面面积，其中H为所述导电粒子的高度。2.如权利要求1所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述屏蔽层靠近所述胶膜层一侧的粗糙度Ra为0.1
‑
5微米。3.如权利要求1所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述屏蔽层靠近所述胶膜层一侧的粗糙度Ra与所述导电粒子在所述胶膜层中的重量占比的比值为0.2
‑
100。4.如权利要求1所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，部分所述导电粒子的一端与所述胶膜层远离所述屏蔽层的一面接触；部分所述导电粒子...

【专利技术属性】
技术研发人员：李冬梅，周街胜，苏鑫，
申请(专利权)人：珠海达创电子有限公司，
类型：发明
国别省市：