本实用新型专利技术公开了一种扬声器，其属于扬声器技术领域，扬声器，包括U铁、上框架、下框架、导磁组件及发生组件，下框架安装于上框架的下方，下框架和上框架围设形成安装空间；两个发声组件均设于安装空间中，且两个发声组件的其中一个与上框架连接，另一个与下框架连接；若干导磁组件设于安装空间内并与上框架及下框架连接；U铁位于安装空间内并位于两个发声组件之间，U铁的侧面设有支撑凸起，支撑凸起的延伸方向平行于U铁的宽度方向；支撑凸起的自由端与各导磁组件抵接。本实用新型专利技术提供的扬声器能够防止上框架和下框架变形，进而能够防止出现振膜变形、擦碰杂音和振膜滚振等问题，具有较好的出音效果。较好的出音效果。较好的出音效果。
【技术实现步骤摘要】
扬声器
[0001]本技术涉及扬声器
，尤其涉及一种扬声器。
技术介绍
[0002]扬声器是一种将电信号转变为声信号的换能器件，是音响系统中的重要器材。扬声器分为单面振膜扬声器和双面振膜扬声器。
[0003]现有技术中，双面振膜扬声器包括上下设置的两个支架，设置在两个支架之间的U铁，两个副华司以及分别设置在两个支架内的中心磁铁，支架呈长方形的环状，两个副华司分别固定在支架的长边上。
[0004]在一些使用场合中，需要体积较大的双面振膜扬声器，而双面振膜扬声器的尺寸越大，中心磁铁的磁力强度就越大，对支架或副华司的吸附力也就越大，而支架的尺寸较大时，其强度较弱，导致中心磁铁对支架或副华司产生的吸附力大于支架的屈服强度，进而导致支架产生朝向中心磁铁的弯曲变形，而支架变形容易造成磁间隙变小，振膜变形，由此出现擦碰杂音和振膜滚振等问题，影响双面振膜扬声器的使用效果。因此，亟需一种防止支架弯曲变形的双面振膜扬声器。
技术实现思路
[0005]本技术的目的在于提供一种扬声器，能够防止上框架和下框架变形，进而能够防止出现振膜变形、擦碰杂音和振膜滚振等问题，具有较好的出音效果。
[0006]如上构思，本技术所采用的技术方案是：
[0007]扬声器，包括：
[0008]上框架；
[0009]下框架，其安装于所述上框架的下方，所述下框架和所述上框架围设形成安装空间；
[0010]两个发声组件，均设于所述安装空间中，且两个所述发声组件的其中一个与所述上框架连接，另一个与所述下框架连接；
[0011]若干导磁组件，设于所述安装空间内并与所述上框架及所述下框架连接；
[0012]U铁，其位于所述安装空间内并位于两个所述发声组件之间，所述U铁的侧面设有支撑凸起，所述支撑凸起的延伸方向平行于所述U铁的宽度方向；所述支撑凸起的自由端与各所述导磁组件抵接。
[0013]可选地，所述U铁宽度方向的两侧分别设有所述支撑凸起，所述导磁组件设有两组，一组所述导磁组件与所述上框架宽度方向上的一侧及所述下框架宽度方向的一侧固接，另一组所述导磁组件与所述上框架宽度方向的另一侧及所述下框架宽度方向的另一侧固接，两组所述导磁组件与两个所述支撑凸起一一对应，且所述支撑凸起抵接于与其对应的所述导磁组件。
[0014]可选地，各所述导磁组件均包括上副华司和下副华司，所述上副华司与所述上框
架连接，所述下副华司与所述下框架连接，所述支撑凸起与所述上副华司及所述下副华司分别抵接。
[0015]可选地，所述上副华司朝向所述下副华司的表面设有第一齿结构和第一槽结构，所述下副华司朝向所述上副华司的表面设有第二齿结构和第二槽结构，所述第一齿结构嵌入所述第二槽结构，所述第二齿结构嵌入所述第一槽结构，所述支撑凸起抵接于所述第一齿结构及所述第二齿结构。
[0016]可选地，所述上框架设置有上支座，所述上支座上设置有上固定柱，所述上副华司设置有与所述上固定柱相适配的通孔，所述上固定柱的自由端设置有上限位部，所述上限位部与所述上副华司连接并用于将所述上副华司限位固定于所述上支座上；
[0017]所述下框架设置有下支座，所述下支座上设置有下固定柱，所述下副华司设置有与所述下固定柱相适配的通孔，所述下固定柱的自由端设置有下限位部，所述下限位部与所述下副华司连接并用于将下副华司限位固定于所述下支座上。
[0018]可选地，所述支撑凸起与所述导磁组件在上框架长度方向上的中部抵接。
[0019]可选地，所述导磁组件包括副磁铁和两个副华司，所述上框架朝向所述下框架的表面及所述下框架朝向所述上框架的表面分别设有安装槽，两个所述安装槽之间形成磁铁空间，所述副磁铁固设于所述磁铁空间中，两个所述副华司分别设置于所述副磁铁上下两侧，所述支撑凸起抵接于所述副磁铁。
[0020]可选地，所述副磁铁设有多个，所述支撑凸起对应所述副磁铁设有多个，每个所述支撑凸起抵接于与其对应的所述副磁铁。
[0021]可选地，所述U铁宽度方向的两侧中，每一侧均设有至少两个所述支撑凸起，至少两个所述支撑凸起沿所述U铁的长度方向均匀且间隔设置。
[0022]可选地，两个所述发声组件镜像分布于所述U铁的两侧；每个所述发声组件包括主磁铁、主华司、音圈、振膜；位于所述U铁一侧的所述主磁铁、所述主华司及所述音圈分别设于所述上框架内，位于所述U铁另一侧的所述主磁铁、所述主华司及所述音圈分别设于所述下框架内，且所述主磁铁贴合于所述U铁设置，所述主华司位于所述主磁铁远离所述U铁的一侧，所述音圈环绕所述主华司设置，所述振膜设于所述音圈远离所述U铁的一侧。
[0023]本技术提出的扬声器至少具有如下有益效果：
[0024]使用的时候，发声组件产生磁力，从而吸附导磁组件；U铁的侧面设有支撑凸起，导磁组件分别与上框架及下框架固接，且支撑凸起在预设方向上抵接于导磁组件，使得U铁能够通过相互抵接的支撑凸起及导磁组件对上框架及下框架进行支撑，以防止上框架及下框架在预设方向产生形变位移，防止了上框架及下框架发生弯曲变形，进而能够防止扬声器出现振膜变形、擦碰杂音和振膜滚振等问题，使得扬声器具有较好的出音效果。
附图说明
[0025]图1是本技术实施例一提供的扬声器的结构示意图；
[0026]图2是本技术实施例一提供的扬声器的分解示意图；
[0027]图3是本技术实施例一提供的扬声器的截面示意图一；
[0028]图4是本技术实施例一提供的扬声器的截面示意图二；
[0029]图5是本技术实施例一提供的上框架、下框架、U铁及导磁组件的装配示意图；
[0030]图6是本技术实施例一提供的上框架及下框架装配示意图；
[0031]图7是本技术图6所示的A处放大示意图；
[0032]图8是本技术实施例一提供的上框架、下框架、上副华司及下副华司的分解示意图；
[0033]图9是本技术实施例二提供的扬声器的结构示意图；
[0034]图10是本技术实施例二提供的扬声器的分解结构示意图；
[0035]图11是本技术实施例二提供的扬声器的截面示意图；
[0036]图12是本技术实施例二提供的U铁的结构示意图；
[0037]图13是本技术实施例二提供的部分扬声器的结构示意图；
[0038]图14是本技术实施例二提供的下框架及副华司的装配示意图。
[0039]图中：
[0040]1、U铁；11、支撑凸起；2、上框架；21、安装空间；22、上支座；23、安装槽；20、上固定柱；201、上限位部；3、下框架；31、下支座；32、下固定柱；321、下限位部；4、导磁组件；41、上副华司；411、第一齿结构；412、第一槽结构；42、下副华司；421、第二齿结构；422、第二槽结构；43、副磁铁；44、副华司；5、主磁铁；6、主华司；7、音圈本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.扬声器，其特征在于，包括：上框架(2)；下框架(3)，其安装于所述上框架(2)的下方，所述下框架(3)和所述上框架(2)围设形成安装空间(21)；两个发声组件，均设于所述安装空间(21)中，且两个所述发声组件的其中一个与所述上框架(2)连接，另一个与所述下框架(3)连接；若干导磁组件(4)，设于所述安装空间(21)内并与所述上框架(2)及所述下框架(3)连接；U铁(1)，其位于所述安装空间(21)内并位于两个所述发声组件之间，所述U铁(1)的侧面设有支撑凸起(11)，所述支撑凸起(11)的延伸方向平行于所述U铁(1)的宽度方向；所述支撑凸起(11)的自由端与各所述导磁组件(4)抵接。2.根据权利要求1所述的扬声器，其特征在于，所述U铁(1)宽度方向的两侧分别设有所述支撑凸起(11)，所述导磁组件(4)设有两组，一组所述导磁组件(4)与所述上框架(2)宽度方向上的一侧及所述下框架(3)宽度方向的一侧固接，另一组所述导磁组件(4)与所述上框架(2)宽度方向的另一侧及所述下框架(3)宽度方向的另一侧固接，两组所述导磁组件(4)与两个所述支撑凸起(11)一一对应，且所述支撑凸起(11)抵接于与其对应的所述导磁组件(4)。3.根据权利要求1或2所述的扬声器，其特征在于，各所述导磁组件(4)均包括上副华司(41)和下副华司(42)，所述上副华司(41)与所述上框架(2)连接，所述下副华司(42)与所述下框架(3)连接，所述支撑凸起(11)与所述上副华司(41)及所述下副华司(42)分别抵接。4.根据权利要求3所述的扬声器，其特征在于，所述上副华司(41)朝向所述下副华司(42)的表面设有第一齿结构(411)和第一槽结构(412)，所述下副华司(42)朝向所述上副华司(41)的表面设有第二齿结构(421)和第二槽结构(422)，所述第一齿结构(411)嵌入所述第二槽结构(422)，所述第二齿结构(421)嵌入所述第一槽结构(412)，所述支撑凸起(11)抵接于所述第一齿结构(411)及所述第二齿结构(421)。5.根据权利要求3所述的扬声器，其特征在于，所述上框架(2)设置有上支座(22)，所述上支座(22)上设置有上固定柱(20)，所述上副华司(41)设置有与所述上固定柱(20)相适配的通孔，所述上固定柱(20)的自由...
【专利技术属性】
技术研发人员：曾志和，童志华，
申请(专利权)人：深圳立讯电声科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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