多晶硅还原炉的生产控制方法及相关设备技术

本申请提供一种多晶硅还原炉的生产控制方法及相关设备，通过检测多晶硅还原炉当前的第一运行参数；基于第一关系模型，确定第一运行参数对应的第一生长指标；计算第一生长指标与多晶硅还原炉的基准生长指标的偏差值；基于第二关系模型、第一生长指标和偏差值，将多晶硅还原炉的工作条件参数调整为第一工作条件参数。这样，实现多晶硅还原炉中的工作条件参数自身的不断优化调节，降低了工作条件参数优化调节的难度。化调节的难度。化调节的难度。

【技术实现步骤摘要】
多晶硅还原炉的生产控制方法及相关设备


[0001]本申请涉及多晶硅生产
，尤其涉及一种多晶硅还原炉的生产控制方法及相关设备。

技术介绍

[0002]在目前的多晶硅生产过程中，由于生成多晶硅的反应机理十分复杂，需要进行大量的多晶硅的生长实验，对影响多晶硅生长质量的工作条件参数和运行参数进行控制变量的实验，得出较为合适的工作条件参数，再利用较为合适的工作条件参数来生成多晶硅。
[0003]但通过上述方式控制多晶硅的生长过程，在起初多晶硅生产过程中可以得到质量较好的多晶硅，在后面的生产过程中，想要的得到质量更好的多晶硅，则此时的工作条件参数不再合适，需要重新调整。
[0004]因此，现有技术中存在多晶硅还原炉中的工作条件参数的优化调节较难的问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术实施例提供一种多晶硅还原炉的生产控制方法及相关设备，以解决多晶硅还原炉中的工作条件参数的调节较难的问题。
[0006]第一方面，本专利技术实施例提供了一种多晶硅还原炉的生产控制方法，包括：
[0007]检测多晶硅还原炉当前的第一运行参数；
[0008]基于第一关系模型，确定第一运行参数对应的第一生长指标，第一关系模型用于表述多晶硅还原炉处于工作状态下的运行参数与生长指标之间的关联关系，运行参数为影响多晶硅还原炉的运行质量的参数，生长指标用于表示多晶硅还原炉的运行质量情况；
[0009]计算第一生长指标与多晶硅还原炉的基准生长指标的偏差值；
[0010]基于第二关系模型、第一生长指标和偏差值，将多晶硅还原炉的工作条件参数调整为第一工作条件参数，第二关系模型用于表示多晶硅还原炉工作条件参数与生长指标的关联关系。
[0011]可选地，基于第一关系模型，确定第一运行参数对应的第一生长指标之前，还包括：
[0012]获取多晶硅还原炉运行的历史数据，历史数据包括多晶硅还原炉的第二运行参数和第二生长指标；
[0013]根据第二运行参数和第二生长指标，确定第一关系模型。
[0014]可选地，计算第一生长指标与多晶硅还原炉的基准生长指标的偏差值之前，还包括：
[0015]获取市场需求；
[0016]根据市场需求，确定基准生长指标。
[0017]可选地，基于第二关系模型、第一生长指标和偏差值，调节多晶硅还原炉的第一工作条件参数之前，还包括：
[0018]获取多晶硅还原炉运行的历史数据，历史数据包括多晶硅还原炉的第二运行参数和第二工作条件参数；
[0019]根据第二运行参数和第二工作条件参数，确定第三关系模型；
[0020]根据第三关系模型和第一关系模型，确定第二关系模型。
[0021]可选地，第一工作条件参数包括输入多晶硅还原炉内的电流值，第一运行参数包括多晶硅还原炉内的温度；
[0022]第三关系模型可表征多晶硅还原炉内的电流值与多晶硅还原炉内的温度的关联关系。
[0023]可选地，第一运行参数包括多晶硅还原炉内的温度，第一生长指标包括多晶硅还原炉内多晶硅的颗粒度；
[0024]第一关系模型可表征多晶硅还原炉内的温度与多晶硅的颗粒度的关联关系。
[0025]可选地，第一工作条件参数包括输入多晶硅还原炉内的电流值，第一生长指标包括多晶硅还原炉内多晶硅的颗粒度；
[0026]第二关系模型可表征多晶硅还原炉内的电流值与多晶硅的颗粒度的关联关系。
[0027]第二方面，本专利技术实施例还提供一种多晶硅还原炉的生产控制装置，包括：
[0028]检测模块，用于检测多晶硅还原炉当前的第一运行参数；
[0029]确定模块，用于基于第一关系模型，确定第一运行参数对应的第一生长指标，第一关系模型用于表述多晶硅还原炉处于工作状态下的运行参数与生长指标之间的关联关系，运行参数为影响多晶硅还原炉的运行质量的参数，生长指标用于表示多晶硅还原炉的运行质量情况；
[0030]计算模块，用于计算第一生长指标与多晶硅还原炉的基准生长指标的偏差值；
[0031]调整模块，用于基于第二关系模型、第一生长指标和偏差值，将多晶硅还原炉的工作条件参数调整为第一工作条件参数，第二关系模型用于表示多晶硅还原炉工作条件参数与生长指标的关联关系。
[0032]第三方面，本专利技术实施例还提供一种通信设备，包括：存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，处理器执行计算机程序时实现上述的多晶硅还原炉的生产控制方法中的步骤。
[0033]第四方面，本专利技术实施例还提供一种计算机可读存储介质，计算机可读存储介质上存储计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现上述的多晶硅还原炉的生产控制方法中的步骤。
[0034]在本专利技术实施例中，通过检测多晶硅还原炉当前的第一运行参数；基于第一关系模型，确定第一运行参数对应的第一生长指标，第一关系模型用于表述多晶硅还原炉处于工作状态下的运行参数与生长指标之间的关联关系，运行参数为影响多晶硅还原炉的运行质量的参数，生长指标用于表示多晶硅还原炉的运行质量情况；计算第一生长指标与多晶硅还原炉的基准生长指标的偏差值；基于第二关系模型、第一生长指标和偏差值，将多晶硅还原炉的工作条件参数调整为第一工作条件参数，第二关系模型用于表示多晶硅还原炉工作条件参数与生长指标的关联关系。在多晶硅的生产过程中，不断地去获取多晶硅还原炉的第一生长指标与基准生长指标之间偏差值，再基于工作条件参数与生长指标之间关系、偏差值和第一生长指标，去反馈调节多晶硅还原炉的工作条件参数，这样，实现多晶硅还原
炉中的工作条件参数自身的不断优化调节，降低了工作条件参数优化调节的难度。
附图说明
[0035]为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对本申请实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获取其他的附图。
[0036]图1是本申请实施例提供的一种多晶硅还原炉的生产控制方法的流程示意图；
[0037]图2是本申请实施例提供的一种多晶硅还原炉的生产控制装置的结构示意图；
[0038]图3是本申请实施例提供的一种通信设备的结构示意图。
具体实施方式
[0039]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获取的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0040]除非另作定义，本专利技术中使用的技术术语或者科学术语应当为本专利技术所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本专利技术中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多晶硅还原炉的生产控制方法，其特征在于，所述方法包括：检测所述多晶硅还原炉当前的第一运行参数；基于第一关系模型，确定所述第一运行参数对应的第一生长指标，所述第一关系模型用于表述所述多晶硅还原炉处于工作状态下的运行参数与生长指标之间的关联关系，所述运行参数为影响所述多晶硅还原炉的运行质量的参数，所述生长指标用于表示所述多晶硅还原炉的运行质量情况；计算所述第一生长指标与所述多晶硅还原炉的基准生长指标的偏差值；基于第二关系模型、第一生长指标和所述偏差值，将所述多晶硅还原炉的工作条件参数调整为第一工作条件参数，所述第二关系模型用于表示所述多晶硅还原炉工作条件参数与生长指标的关联关系。2.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉的生产控制方法，其特征在于，所述基于第一关系模型，确定所述第一运行参数对应的第一生长指标之前，还包括：获取所述多晶硅还原炉运行的历史数据，所述历史数据包括所述多晶硅还原炉的第二运行参数和第二生长指标；根据所述第二运行参数和第二生长指标，确定所述第一关系模型。3.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉的生产控制方法，其特征在于，所述计算所述第一生长指标与所述多晶硅还原炉的基准生长指标的偏差值之前，还包括：获取市场需求；根据所述市场需求，确定所述基准生长指标。4.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉的生产控制方法，其特征在于，所述基于第二关系模型、第一生长指标和所述偏差值，调节所述多晶硅还原炉的第一工作条件参数之前，还包括：获取所述多晶硅还原炉运行的历史数据，所述历史数据包括所述多晶硅还原炉的第二运行参数和第二工作条件参数；根据所述第二运行参数和第二工作条件参数，确定第三关系模型；根据所述第三关系模型和所述第一关系模型，确定所述第二关系模型。5.根据权利要求4所述的多晶硅还原炉的生产控制方法，其特征在于，所述第一工作条件参数包括输入所述多晶硅还原炉内的电流值，所述第一运行参数包括所述多...

【专利技术属性】
技术研发人员：王文，张兆东，刘兴平，银波，陈国辉，
申请(专利权)人：新特硅基新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：