一种电子设备制造技术

技术编号:36546892 阅读:16 留言:0更新日期:2023-02-04 16:59
本申请提供了一种电子设备,包括石墨烯薄膜,该石墨烯薄膜包括不同电阻值的区域,其整体可以作为电子设备的散热件使用,其低电阻值区域可以作为天线结构的辐射体使用,可以兼顾天线的辐射特性和散热件的散热性能,有效解决两者的矛盾。两者的矛盾。两者的矛盾。

【技术实现步骤摘要】
一种电子设备


[0001]本申请涉及无线通信领域,尤其涉及一种电子设备。

技术介绍

[0002]随着无线通信技术的快速发展,过去第二代(second generation,2G)移动通信系统主要支持通话功能,电子设备只是人们用于收发简讯以及语音沟通的工具,无线上网功能由于数据传输利用语音信道来传送,速度极为缓慢。现今,电子设备除了用于通话、发送短信、拍照之外,更可用于在线听音乐、观看网络影片、实时视频等,涵盖了人们生活中通话、影视娱乐以及电子商务等各式应用,在这之中,多种功能应用都需要无线网络上传及下载数据,因此,数据的高速传输变得极为重要。
[0003]随着人们对于高速数据传输的需求提升,电子设备的工业设计(industrial design,ID)的发展趋势是大屏占比,多摄像头。这造成了天线净空的大幅减小,布局空间越来越受限。同时出现了很多新的通信规格,需要在手机中布局更多的天线。第五代(5th generation,5G)无线通信系统对天线数量的需求也越来越多。

技术实现思路

[0004]本申请提供了一种电子设备,包括石墨烯薄膜,该石墨烯薄膜包括不同电阻值的区域,其整体可以作为电子设备的散热件使用,其低电阻值区域可以作为天线结构的辐射体使用,可以兼顾天线的辐射特性和散热件的散热性能,有效解决两者的矛盾。
[0005]第一方面,提供了一种电子设备,包括:石墨烯薄膜,所述石墨烯薄膜包括第一区域和第二区域,所述第一区域的石墨烯薄膜的电导率大于所述第二区域的石墨烯薄膜的电导率,和/或,所述第一区域的石墨烯薄膜的电阻值小于所述第二区域的石墨烯薄膜的电阻值;以及天线结构,所述天线结构的第一辐射体包括所述第一区域的石墨烯薄膜。
[0006]根据本申请实施例,通过将石墨烯薄膜复用,解决了电子设备中散热部件和天线结构的辐射体相互影响的问题。低电阻值(高电导率)的第一区域的石墨烯薄膜可以作为天线结构的辐射体,向外产生辐射,以收/发射频信号。
[0007]结合第一方面,在第一方面的某些实现方式中,所述电子设备还包括发热器件,其中,所述石墨烯薄膜面向所述发热器件设置。
[0008]根据本申请实施例,由于石墨烯薄膜为完整的薄膜,第一区域与第二区域之间并不存在间隔,第一区域的石墨烯薄膜和第二区域的石墨烯薄膜可以作为一个石墨烯薄膜整体,使热源处传导的热量可以均匀分布在整个石墨烯薄膜上,以实现对过热的电子元件降温的目的。
[0009]结合第一方面,在第一方面的某些实现方式中,所述第一区域的石墨烯薄膜的电导率大于或等于104S/m,所述第二区域的石墨烯薄膜的电导率小于或等于10S/m。
[0010]根据本申请实施例,在这种情况下,在第一区域的石墨烯薄膜作为天线结构的辐射体时,第二区域的石墨烯薄膜可以认为是绝缘材料,避免对第一区域的石墨烯薄膜作为
天线结构的辐射体产生影响。
[0011]结合第一方面,在第一方面的某些实现方式中,所述第一区域的石墨烯薄膜的电阻值小于或等于20Ω。
[0012]结合第一方面,在第一方面的某些实现方式中,所述第二区域的石墨烯薄膜的电阻值大于或等于所述第一区域的石墨烯薄膜的电阻值的20倍。
[0013]根据本申请实施例,在这种情况下,在第一区域的石墨烯薄膜作为天线结构的辐射体时,第二区域的石墨烯薄膜可以认为是绝缘材料,避免对第一区域的石墨烯薄膜作为天线结构的辐射体产生影响。
[0014]结合第一方面,在第一方面的某些实现方式中,所述石墨烯薄膜还包括第三区域,所述第三区域的电导率介于所述第一区域的石墨烯薄膜的电导率和所述第二区域的石墨烯薄膜的电导率之间,和/或,所述第三区域的电阻值介于所述第一区域的石墨烯薄膜的电阻值和所述第二区域的石墨烯薄膜的电阻值之间。
[0015]根据本申请实施例,对于本申请实施例提供的是石墨烯薄膜来说,可以包括多个不同电阻值或不同电导率的区域,应用于不同的天线结构或设计方案,本申请对此并不做限制,可以根据实际的生产或设计需求进行调整。
[0016]结合第一方面,在第一方面的某些实现方式中,所述电子设备还包括馈电单元和馈电件;其中,所述馈电件的一端与所述馈电单元电连接,所述馈电件的另一端为所述第一辐射体直接馈电或耦合馈电。
[0017]根据本申请实施例,馈电单元可以通过馈电件(金属弹片或泡棉)与第一区域的石墨烯薄膜电连接,通过直接馈电的方式为第一区域的石墨烯薄膜形成的天线结构的辐射体馈电。馈电单元也可以通过馈电件与第一区域的石墨烯薄膜耦合连接,通过耦合馈电的方式为第一区域的石墨烯薄膜形成的天线结构的辐射体馈电。因此,可以通过调整馈电件的尺寸,或者,也可以通过调整馈电件与第一区域的石墨烯薄膜之间的距离(例如,将馈电件设置在支架表面)调整天线结构的辐射体特性,可以根据实际的设计进行调整,本申请对此并不做限制。
[0018]结合第一方面,在第一方面的某些实现方式中,所述天线结构为以下至少一种:单极子天线,偶极子天线,八木天线,近场通信NFC天线,环天线,对数周期天线,T型天线,倒置的L型天线,倒置的F型天线或平面倒置的F型天线。
[0019]根据本申请实施例,可以利用低电阻的石墨烯薄膜和高电阻的石墨烯薄膜混合排布,可以设计出其他种类的天线结构,可以根据实际的设计需求进行调整。并且,在同一个是石墨烯薄膜上可以设置多个不同种类的天线结构,本申请对此并不做限制,可以根据实际的设计需求进行调整。
[0020]结合第一方面,在第一方面的某些实现方式中,所述电子设备还包括印刷电路板PCB、显示屏和后盖;所述PCB设置在所述显示屏和所述后盖围成的空间内;所述石墨烯薄膜的至少一部分设置在所述PCB与所述后盖之间。
[0021]结合第一方面,在第一方面的某些实现方式中,所述电子设备还包括边框,所述天线结构的第二辐射体包括所述边框的第一位置和第二位置之间的导电部分;所述第一辐射体和所述第二辐射体相向设置,所述第一辐射体与所述第二辐射体在第一方向上的投影至少部分重合,所述第一方向与所述第二辐射体的长度方向垂直。
[0022]结合第一方面,在第一方面的某些实现方式中,所述电子设备还包括馈电单元;所述馈电单元的一端与所述第二辐射体电连接,为所述天线结构馈电。
[0023]根据本申请实施例,馈电单元可以与金属部分电连接,为金属部分形成的天线结构馈电。在该天线结构中,金属部分作为主辐射体,由于石墨烯薄膜的第一区域与金属部分相向设置,因此,馈电单元馈电时,石墨烯薄膜的第一区域可以通过空间耦合到电信号,进而产生辐射,可以作为该天线结构的寄生枝节,用于拓展天线结构的工作带宽,以满足通信频段的需要。
[0024]结合第一方面,在第一方面的某些实现方式中,所述电子设备还包括电池;所述电池设置在所述中框和所述显示屏围成的空间内;所述石墨烯薄膜的至少一部分设置在所述电池与所述后盖之间。
[0025]根据本申请实施例,石墨烯薄膜的部分可以设置于电池和后盖之间,用于作为低热区。石墨烯薄膜的本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子设备,其特征在于,包括:石墨烯薄膜,所述石墨烯薄膜包括第一区域和第二区域,所述第一区域的石墨烯薄膜的电导率大于所述第二区域的石墨烯薄膜的电导率,和/或,所述第一区域的石墨烯薄膜的电阻值小于所述第二区域的石墨烯薄膜的电阻值;以及天线结构,所述天线结构的第一辐射体包括所述第一区域的石墨烯薄膜。2.根据权利要求1所述的电子设备,其特征在于,所述电子设备还包括发热器件,其中,所述石墨烯薄膜面向所述发热器件设置。3.根据权利要求1或2所述的电子设备,其特征在于,所述第一区域的石墨烯薄膜的电导率大于或等于104S/m,所述第二区域的石墨烯薄膜的电导率小于或等于10S/m。4.根据权利要求1至3中任一项所述的电子设备,其特征在于,所述第一区域的石墨烯薄膜的电阻值小于或等于20Ω。5.根据权利要求1至4中任一项所述的电子设备,其特征在于,所述第二区域的石墨烯薄膜的电阻值大于或等于所述第一区域的石墨烯薄膜的电阻值的20倍。6.根据权利要求1至5中任一项所述的电子设备,其特征在于,所述石墨烯薄膜还包括第三区域,所述第三区域的电导率介于所述第一区域的石墨烯薄膜的电导率和所述第二区域的石墨烯薄膜的电导率之间,和/或,所述第三区域的电阻值介于所述第一区域的石墨烯薄膜的电阻值和所述第二区域的石墨烯薄膜的电阻值之间。7.根据权利要求1至6中任一项所述的电子设备,其特征在于,所述电子设备还包括馈电单元和馈电件;其中,所述馈电件的一端与所述馈电单元电连接,所述馈电件的另一端为所述第一辐射体直接馈电或耦合馈电。8.根据权利要求1

7中任一项所述的电子设备,其...

【专利技术属性】
技术研发人员:薛静怡吴边樊炽孙乔李堃
申请(专利权)人:华为技术有限公司
类型:发明
国别省市:

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