滤波器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种滤波器，包括：第一衬底；设置于第一衬底一侧的器件层，器件层包括至少一个谐振器件；第二衬底，第二衬底与第一衬底设置器件层的表面键合连接；在滤波器厚度方向上，第一衬底对应于谐振器件的位置包括第一凹槽，第二衬底对应于谐振器件的位置包括第二凹槽，第一凹槽和第二凹槽之间形成空腔结构；在第一凹槽和第二凹槽中至少一者的底部和至少一个侧壁设置有第一散热层，第一散热层所在衬底远离另一衬底的一侧设置有第二散热层，第一散热层和第二散热层通过贯穿衬底的导热结构连接，使得滤波器工作产生热量时，空腔结构中的热量可以及时被第一散热层吸收，通过导热结构和第二散热层导出至外界，有利于提升滤波器的工作性能。波器的工作性能。波器的工作性能。

【技术实现步骤摘要】
滤波器


[0001]本技术实施例涉及通信
，尤其涉及一种滤波器。

技术介绍

[0002]随着通信技术的发展，滤波器的应用也越来越广泛。
[0003]图1是现有技术中一种滤波器的结构示意图，参考图1，滤波器包括器件衬底10、盖板衬底20以及器件衬底10和盖板衬底20之间的器件层30，滤波器在工作过程中，器件层30会产生热量，产生的热量只能通过器件层30传导至与器件层30接触的器件衬底10进行散发，或者通过与器件层30接触的键合结构40传导至器件衬底10或盖板衬底20进行散发，而器件衬底10和盖板衬底20的散热效果较差，使得热量不能被及时散发出去，影响滤波器的工作性能。

技术实现思路

[0004]本技术提供一种滤波器，以将滤波器工作时产生的热量及时导出并散发出去，进而提升滤波器的工作性能。
[0005]本技术实施例提出一种滤波器，包括：第一衬底；设置于第一衬底一侧的器件层，器件层包括至少一个谐振器件，谐振器件包括自第一衬底的一侧向远离第一衬底的方向层叠设置的下电极、压电层和上电极；第二衬底，第二衬底与第一衬底设置器件层的表面键合连接；
[0006]其中，在滤波器厚度方向上，第一衬底对应于谐振器件的位置包括第一凹槽，第二衬底对应于谐振器件的位置包括第二凹槽，第一凹槽和第二凹槽之间形成空腔结构；
[0007]第一凹槽、第二凹槽中的至少一者的底部和至少一个侧壁设置有第一散热层，第一散热层所在衬底远离另一衬底的一侧设置有第二散热层，第一散热层和第二散热层通过贯穿衬底的导热结构连接。
[0008]可选的，第一散热层、第二散热层、导热结构中的至少一者为金属材料；和/或，第二散热层与导热结构为一体结构。
[0009]可选的，第一散热层的厚度为5000埃
‑
50000埃；和/或，第二散热层的厚度为1微米
‑
10微米。
[0010]可选的，第一散热层所在衬底包括过孔，导热结构位于过孔中。
[0011]可选的，在平行于第一衬底设置器件层表面的方向上，过孔的尺寸大于10um*10um。
[0012]可选的，第一衬底和第二衬底通过二者之间的键合结构键合连接。
[0013]可选的，第二凹槽的底部和至少一个侧壁设置有第一散热层，第二衬底的远离第一衬底的一侧设置有第二散热层，第一散热层和第二散热层通过贯穿第二衬底的导热结构连接；第二衬底远离第一衬底的一侧还设置有布线结构，布线结构通过贯穿第二衬底的导电结构与键合结构电连接；和/或，第一凹槽的底部和至少一个侧壁设置有第一散热层，第
一衬底的远离第二衬底的一侧设置有第二散热层，第一散热层和第二散热层通过贯穿第一衬底的导热结构连接；第一衬底远离第二衬底的一侧还设置有布线结构，布线结构通过贯穿第一衬底的导电结构与键合结构电连接。
[0014]可选的，第二散热层和布线结构同层且材料相同，第二散热层与布线结构绝缘设置。
[0015]可选的，导热结构与导电结构材料相同。
[0016]可选的，滤波器还包括密封圈，密封圈位于第一衬底和第二衬底之间，第一衬底、第二衬底和密封圈形成密封结构，第一凹槽、第二凹槽、第一散热层、器件层以及键合结构均位于密封结构内。
[0017]本技术实施例的滤波器，包括：第一衬底；设置于第一衬底一侧的器件层，器件层包括至少一个谐振器件，谐振器件包括自第一衬底的一侧向远离第一衬底的方向层叠设置的下电极、压电层和上电极；第二衬底，第二衬底与第一衬底设置器件层的表面键合连接；其中，在滤波器厚度方向上，第一衬底对应于谐振器件的位置包括第一凹槽，第二衬底对应于谐振器件的位置包括第二凹槽，第一凹槽和第二凹槽之间形成空腔结构；在第一凹槽和第二凹槽中至少一者的底部和至少一个侧壁设置有第一散热层，第一散热层所在衬底远离另一衬底的一侧设置有第二散热层，第一散热层和第二散热层通过贯穿衬底的导热结构连接，使得滤波器工作产生热量时，空腔结构中的热量可以及时被第一散热层吸收，并通过导热结构和第二散热层导出至外界，进而保证谐振器件的性能良好，使得谐振器件可以正常工作，进而有利于提升滤波器的工作性能。
附图说明
[0018]图1是现有技术中一种滤波器的结构示意图；
[0019]图2是本技术实施例提供的一种滤波器的结构示意图；
[0020]图3是本技术实施例提供的另一种滤波器的结构示意图；
[0021]图4是本技术实施例提供的另一种滤波器的结构示意图；
[0022]图5是本技术实施例提供的另一种滤波器的结构示意图；
[0023]图6是本技术实施例提供的另一种滤波器的结构示意图；
[0024]图7是本技术实施例提供的一种滤波器的俯视图。
具体实施方式
[0025]下面结合附图和实施例对本技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本技术，而非对本技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本技术相关的部分而非全部结构。
[0026]图2是本技术实施例提供的一种滤波器的结构示意图，参考图2，该滤波器包括第一衬底110；设置于第一衬底110一侧的器件层120，器件层120包括至少一个谐振器件102，谐振器件102包括自第一衬底110的一侧向远离第一衬底110的方向层叠设置的下电极121、压电层122和上电极123；第二衬底130，第二衬底130与第一衬底110设置器件层120的表面键合连接；
[0027]其中，在滤波器厚度方向y上，第一衬底110对应于谐振器件102的位置包括第一凹
槽111，第二衬底130对应于谐振器件102的位置包括第二凹槽131，第一凹槽111和第二凹槽131之间形成空腔结构；
[0028]第一凹槽111、第二凹槽131中的至少一者的底部01和至少一个侧壁02设置有第一散热层140，第一散热层140所在衬底远离另一衬底的一侧设置有第二散热层150，第一散热层140和第二散热层150通过贯穿衬底的导热结构160连接。
[0029]其中，第一衬底110可以作为器件衬底，器件层120形成在第一衬底110的表面。第二衬底130作为盖板衬底，第一衬底130与第二衬底130键合后，二者之间形成密封结构，器件层120位于密封结构内，进而保证器件层120中谐振器件102可以免受水氧等腐蚀，密封结构保持一个稳定的真空度，提升谐振器件性能及可靠性。第一衬底110和第二衬底130的材料可以是硅，也可以是砷化镓、碳化硅、氮化镓，还可以是上述材料中至少两种的混合材料，本实施例在此不做具体限定。
[0030]器件层120包括至少一个谐振器件102，器件层120包括多个谐振器件102时，多个谐振器件102中任意两个谐振器件可以通过串联或并联的关系进行电连接。每个谐振器件102均包括自第一衬底110向第二衬底130方向层叠设置的下电极121、压电层122和上电极123本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种滤波器，其特征在于，包括：第一衬底；设置于所述第一衬底一侧的器件层，所述器件层包括至少一个谐振器件，所述谐振器件包括自所述第一衬底的一侧向远离所述第一衬底的方向层叠设置的下电极、压电层和上电极；第二衬底，所述第二衬底与所述第一衬底设置所述器件层的表面键合连接；其中，在所述滤波器厚度方向上，所述第一衬底对应于所述谐振器件的位置包括第一凹槽，所述第二衬底对应于所述谐振器件的位置包括第二凹槽，所述第一凹槽和所述第二凹槽之间形成空腔结构；所述第一凹槽、所述第二凹槽中的至少一者的底部和至少一个侧壁设置有第一散热层，所述第一散热层所在衬底远离另一衬底的一侧设置有第二散热层，所述第一散热层和所述第二散热层通过贯穿所述衬底的导热结构连接。2.根据权利要求1所述的滤波器，其特征在于，所述第一散热层、所述第二散热层、所述导热结构中的至少一者为金属材料；和/或，所述第二散热层与所述导热结构为一体结构。3.根据权利要求1所述的滤波器，其特征在于，所述第一散热层的厚度为5000埃
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50000埃；和/或，所述第二散热层的厚度为1微米
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10微米。4.根据权利要求1所述的滤波器，所述第一散热层所在衬底包括过孔，所述导热结构位于所述过孔中。5.根据权利要求4所述的滤波器，其特征在于，在平行于所述第一衬底设置所述器件层表面的方向上，所述过孔的尺寸大于10um*10u...

【专利技术属性】
技术研发人员：王友良，杨清华，
申请(专利权)人：苏州汉天下电子有限公司，
类型：新型
国别省市：