本发明专利技术提供一种用于纯F2制备的电解槽装置，包括：密闭的电解槽，所述电解槽顶部设置有第一气体出气口、第二气体出气口、进料口，以及设置于所述电解槽四周的加热件；设置于所述电解槽中的阴极、隔膜、阳极，其中，所述隔膜用于隔离所述阴极及所述阳极；设置于所述第一气体出气口的气压传感器一；顺序设置于所述第二气体出气口的气压传感器二以及联动控制阀以及负压容器；控制单元，分别与所述气压传感器一、气压传感器二以及联动控制阀电连接，所述控制单元用于根据所述气压传感器一、气压传感器二的信号，控制所述联动控制阀开合进而控制所述第一气体出气口与所述第二气体出气口的压力差在预定范围内。差在预定范围内。差在预定范围内。
【技术实现步骤摘要】
用于纯F2制备的电解槽装置
[0001]本专利技术涉及一种用于纯F2制备的电解槽装置，尤其涉及一种用于现场制氟的用于纯F2制备的电解槽装置。
技术介绍
[0002]氟气是元素氟的气体单质，淡黄色，化学性质十分活泼，具有很强的氧化性，在工业上氟气可作为火箭燃料中的氧化剂，卤化氟的原料，冷冻剂，等离子蚀刻等。其中，高纯氟气更是精细化工领域的重要原料，广泛应用于电子、激光技术、医药塑料、电子、新材料、航空航天等高新领域。
[0003]然而，现有技术中，传统的氟气工业制法所生产的氟气纯度较低，其吸附后的纯度远无法满足精细化工和高端电子行业中的应用。
技术实现思路
[0004]本专利技术提供了一种用于纯F2制备的电解槽装置，可以有效解决上述问题。
[0005]本专利技术是这样实现的：
[0006]本专利技术提供用于纯F2制备的电解槽装置，包括：密闭的电解槽，所述电解槽顶部设置有第一气体出气口、第二气体出气口、进料口，以及设置于所述电解槽四周的加热件；设置于所述电解槽中的阴极、隔膜、阳极，其中，所述隔膜用于隔离所述阴极及所述阳极；设置于所述第一气体出气口的气压传感器一；顺序设置于所述第二气体出气口的气压传感器二以及联动控制阀以及负压容器；控制单元，分别与所述气压传感器一、气压传感器二以及联动控制阀电连接，所述控制单元用于根据所述气压传感器一、气压传感器二的信号，控制所述联动控制阀开合进而控制所述第一气体出气口与所述第二气体出气口的压力差在预定范围内。
[0007]本专利技术的有益效果是：本专利技术提供的用于纯F2制备的电解槽装置，其制备的氟气浓度可以达到90％以上，从而大大的降低后续分离纯化的工序，从而可以满足精细化工和高端电子行业中的应用。进一步的，本专利技术根据所述气压传感器一、气压传感器二的信号，控制所述联动控制阀开合进而控制所述第一气体出气口与所述第二气体出气口的压力差在预定范围内，从而可以大大的提高所述电解槽装置的安全性能。
附图说明
[0008]为了更清楚地说明本专利技术实施方式的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本专利技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0009]图1是本专利技术实施例提供的高集成度的纯F2供给系统中电解槽装置结构示意图。
[0010]图2是本专利技术实施例提供的用于纯F2的安全生产方法流程图。
[0011]图3是本专利技术实施例提供的用于纯F2的安全生产方法电解槽的高效控制方法流程图。
[0012]图4是本专利技术实施例提供的高集成度的纯F2供给系统中的部分结构示意图。
[0013]图5是本专利技术实施例提供的吸收剂的制备方法流程图。
[0014]图6是本专利技术实施例提供的氟气纯化装置的安全控制方法流程图。
[0015]图7是本专利技术实施例提供的高集成度的纯F2供给系统中的部分结构示意图。
[0016]图8是本专利技术实施例提供的高纯氮气/氟气混合装置的配气方法流程图。
[0017]图9是本专利技术实施例提供的高集成度的纯F2供给系统的模块化示意图。
具体实施方式
[0018]为使本专利技术实施方式的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施方式中的附图，对本专利技术实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施方式是本专利技术一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本专利技术中的实施方式，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本专利技术保护的范围。因此，以下对在附图中提供的本专利技术的实施方式的详细描述并非旨在限制要求保护的本专利技术的范围，而是仅仅表示本专利技术的选定实施方式。基于本专利技术中的实施方式，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本专利技术保护的范围。
[0019]在本专利技术的描述中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本专利技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
[0020]参照图1所示，本专利技术实施例提供一种用于纯F2制备的电解槽装置10，所述用于纯F2制备的电解槽装置10包括：
[0021]密闭的电解槽11，所述电解槽11顶部设置有第一气体出气口111、第二气体出气口112、进料口113，以及设置于所述电解槽11四周的加热件110；
[0022]设置于所述电解槽11中的阴极12、隔膜13、阳极14，其中，所述隔膜13用于隔离所述阴极12及所述阳极14；
[0023]设置于所述第一气体出气口111的气压传感器一17；
[0024]顺序设置于所述第二气体出气口112的气压传感器二18以及联动控制阀19以及负压力存储器21；
[0025]控制单元(图中未画出)，分别与所述气压传感器一17、气压传感器二18以及联动控制阀19电连接，所述控制单元用于根据所述气压传感器一17、气压传感器二18的信号，控制所述联动控制阀19开合进而控制所述第一气体出气口111与所述第二气体出气口112的压力差在预定范围内。
[0026]所述密闭的电解槽11的结构和形状不限，只要具有防腐以及密闭功能即可。在其中一个实施例中，所述电解槽11包括槽体以及与所述槽体配合的盖体，所述槽体以及所述盖体均采用耐腐蚀的合金制成，如蒙乃尔合金或经过钝化处理的碳钢合金等材质，在此不做限制。所述进料口113用于按照比例进料KHF2/HF原料。在其中一个实施例中，所述进料口
113包括KHF2进料管道1130、HF进料管道1132、KHF2/HF进料管道1134。将所述进料口113设置成三个通道的好处是：KHF2/HF进料管道1134可以作为初始原料的进料管道，即，将KHF2/HF复配充分混合后从所述KHF2/HF进料管道1134进料；而在电解的过程中，由于HF的快速消耗，需要经常定期补充HF原料，以维持体系中KHF2/HF的比例在预定范围内。进一步的，在电解过程中KHF2也会被氟气气体部分夹带出来，也会影响KHF2/HF的比例，因此需要在一定时间内补充KHF2原料。所述加热件110可以是电阻丝或水热加热等，在此不做限制，所述加热件110用于将所述电解槽11的温度控制在60～110℃，以使所述KHF2/HF融化。所述第一气体出气口111和所述第二气体出气口112通过所述隔膜13相互隔离。
[0027]所述阴极12和所述阳极14的数量不限，可以根据实际需要进行布设。所述阴极12的材料可以选用碳钢或蒙乃尔材质；所述阳极14的材料可选用炭棒等材质。所述隔膜用于隔离所述氢气和氟气，防止氢气和氟气相互窜扰而发生爆炸。
[0028]所述气压传感器一17用于获取所述第一气体出气口111的第一压力信息。所述气压传感器二本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于纯F2制备的电解槽装置，其特征在于，包括：密闭的电解槽(11)，所述电解槽(11)顶部设置有第一气体出气口(111)、第二气体出气口(112)、进料口(113)，以及设置于所述电解槽(11)四周的加热件(110)；设置于所述电解槽(11)中的阴极(12)、隔膜(13)、阳极(14)，其中，所述隔膜(13)用于隔离所述阴极(12)及所述阳极(14)；设置于所述第一气体出气口(111)的气压传感器一(17)；顺序设置于所述第二气体出气口(112)的气压传感器二(18)以及联动控制阀(19)以及负压容器；控制单元，分别与所述气压传感器一(17)、气压传感器二(18)以及联动控制阀(19)电连接，所述控制单元用于根据所述气压传感器一(17)、气压传感器二(18)的信号，控制所述联动控制阀(19)开合进而控制所述第一气体出气口(111)与所述第二气体出气口(112)的压力差在预定范围内。2.如权利要求1所述的用于纯F2制备的电解槽装置，其特征在于，所述进料口(113)包括KHF2进料管道(1130)、HF进料管道(1132)、KHF2/HF进料管道(1134)。3.如权利要求1所述的用于纯F2制备的电...
【专利技术属性】
技术研发人员：华辉，刘志强，邱玲，张朝春，傅钟盛，卢启榕，苏方良，
申请(专利权)人：福建德尔科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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