一种二阶充放电电路的LED驱动芯片制造技术

本发明专利技术公开了一种二阶充放电电路的LED驱动芯片，属于LED驱动芯片技术领域，该LED驱动芯片包含二阶充放电电路，该二阶充放电电路由充放电调控电压电路和恒流源输出电路构成，其中，充放电调控电压电路包含二阶充放电，恒流源输出电路内的P1和P2构成共源共栅恒流源输出，放大器用于钳位P1漏端电压；工作时，漏端输出电压与辅助电路二阶充放电控制电路一起输出到LED灯珠。本发明专利技术，用以解决64位及以上共阴LED驱动电路的高低对比度问题，在通过采用二阶充放电构架之后，采用流片回来测试对比发现，不仅有效改善了高低对比度，同时由于有二阶预充电压，而且消除了鬼影现象。而且消除了鬼影现象。而且消除了鬼影现象。

【技术实现步骤摘要】
一种二阶充放电电路的LED驱动芯片


[0001]本专利技术属于LED驱动芯片
，具体涉及一种二阶充放电电路的LED驱动芯片。

技术介绍

[0002]LED是一种电流控制器件，它的亮度与电流流过的时间成正。其等效电路可以由二极管与数十皮法电容串联组成，在LED达到发光阈值电压之前，需要给电容预充电，如图1的预充电所示，该电压比发光阈值电压略小。待工作脉冲到来时，恒流源工作使其充电到阈值电压，LED发光，这使得发光相应时间得以减少。显示过后进入关闭阶段，同样对应的放电，一般会将电荷泄放到一个较低电压值，而不是地，便于下一个扫描周期继续预充电工作。
[0003]而且，常规一阶的充放电电路，在面对64位及以上的共阴LED驱动电路时，会出现高低对比度的降低，鬼影的出现，且随着行列灯珠的增加，交流耦合不易被优化。因此，需要新型的充放电构架的电路来解决目前技术中存在的问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种二阶充放电电路的LED驱动芯片，以解决64位及以上共阴LED驱动电路的高低对比度问题，其时序图如附图2所示，预充电1是一个更低的电压值，预充电2比发光阈值电压略低，相比于常规的预充电电压， 预充电1<预充电(常规)< 预充电2。相应的放电也分成二阶，电压大小为，放电1<放电(常规)<放电2。分成二阶后，可以更加精细调节预充电电压值，降低了行列灯珠间的交流耦合，有效消除了鬼影，提高了整体电路的高低对比度，因而可以很好地解决上述
技术介绍
中存在的问题。
[0005]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种二阶充放电电路的LED驱动芯片，该LED驱动芯片包含二阶充放电电路，该二阶充放电电路由充放电调控电压电路和恒流源输出电路构成，其中，充放电调控电压电路包含二阶充放电控制，恒流源输出电路内的P1和P2构成共源共栅恒流源输出，放大器用于钳位P1漏端电压；工作时，漏端输出电压与辅助电路二阶充放电控制电路一起输出到LED灯珠。
[0006]优选地，所述充放电调控电压电路内的VREF通过一个放大器和分压电阻产生各种所需的参考电压VR<1：n>，而后通过传输门选择所需电压，最后经过放大器构成的缓冲器输出给后面的预充电1，预充电2，放电1，放电2。
[0007]优选地，所述预充电1，预充电2，放电1，放电2通过放大器构成的缓冲器，再通过选择器选择一个电压，通过传输门选择一个电压信号输送到N1栅极，以提供一个预充电或放电电压。
[0008]优选地，所述N1栅极为源极跟随器，其输出的源极电压跟随栅极电压值。
[0009]与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：本专利技术，为了优化64位共阴LED驱动电路的高低对比度，采用二阶充放电构架之后，通过流片回来测试对比发现，不仅有效改善了高低对比度，同时由于有二阶预充电压，
而且消除了鬼影现象，它对不同家厂商的R,G,B灯珠的发光阈值电压有更好配合调控。
附图说明
[0010]图1为常规的充放电时序图。
[0011]图2为本专利技术的二阶充放电时序图。
[0012]图3为本专利技术一种二阶充放电电路的LED驱动芯片的恒流源输出电路图。
[0013]图4为本专利技术一种二阶充放电电路的LED驱动芯片的充放电调控电压电路图。
[0014]图5为本专利技术一种二阶充放电电路的LED驱动芯片的二阶充放电电路图。
具体实施方式
[0015]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0016]如图1和图2所示，一种二阶充放电电路的LED驱动芯片，该LED驱动芯片包含二阶充放电电路，该二阶充放电电路由充放电调控电压电路和恒流源输出电路构成，其中，充放电调控电压电路包含二阶充放电控制，恒流源输出电路内的P1和P2构成共源共栅恒流源输出，放大器用于钳位P1漏端电压；工作时，漏端输出电压与辅助电路二阶充放电一起输出到LED灯珠。
[0017]如图4所示，在本实施例中，所述充放电调控电压电路内的VREF通过一个放大器和分压电阻产生各种所需的参考电压VR<1：n>，而后通过传输门选择所需电压，最后经过放大器构成的缓冲器输出给后面的预充电1，预充电2，放电1，放电2。
[0018]如图5所示，在本实施例中，所述预充电1，预充电2，放电1，放电2通过放大器构成的缓冲器，再通过选择器选择一个电压，通过传输门选择一个电压信号输送到N1栅极，以提供一个预充电或放电电压。
[0019]在本实施例中，所述N1栅极为源极跟随器，其输出的源极电压跟随栅极电压值。
[0020]本专利技术，为了优化64位共阴LED驱动电路的高低对比度，同规格采用二阶充放电构架之后，通过流片回来测试对比，不仅有效改善了高低对比度，同时由于有二阶预充电压，而且消除了鬼影现象，它对不同家厂商的R,G,B灯珠的发光阈值电压有更好配合调控。
[0021]尽管已描述了本专利技术的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本专利技术范围的所有变更和修改。
[0022]显然，本领域的技术人员可以对本专利技术进行各种改动和变型而不脱离本专利技术的精神和范围。这样，倘若本专利技术的这些修改和变型属于本专利技术权利要求及其等同技术的范围之内，则本专利技术也意图包含这些改动和变型在内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种二阶充放电电路的LED驱动芯片，其特征在于，该LED驱动芯片包含二阶充放电电路，该二阶充放电电路由充放电调控电压电路和恒流源输出电路构成，其中，充放电调控电压电路包含二阶充放电控制，恒流源输出电路内的P1和P2构成共源共栅恒流源输出，放大器用于钳位P1漏端电压；工作时，漏端输出电压与辅助电路二阶充放电一起输出到LED灯珠。2.根据权利要求1所述的一种二阶充放电电路的LED驱动芯片，其特征在于，所述充放电调控电压电路内的VREF通过一个放大器和分压电阻产生各种所需的参考电压VR&lt...

【专利技术属性】
技术研发人员：倪灿灿，
申请(专利权)人：灿芯半导体成都有限公司，
类型：发明
国别省市：