连接结构及功率模块制造技术

本实用新型专利技术涉及一种连接结构及功率模块，所述连接结构包括：连接主体，第一连接座与第二连接座，第一连接座设有第一延长部，第二连接座设有第二延长部，第一连接座到连接主体的最短距离D1与第二连接座到连接主体的最短距离D2相等，连接主体通过第一连接座及第二连接座用于与芯片电性连接。上述连接结构，各个芯片汇集到连接主体上，有利于减小各个芯片之间的寄生参数，保证针对芯片并联震荡的良好鲁棒性，并且每个芯片到连接主体的路径相同，连接主体到陶瓷覆铜板的路径相同，有利于减少封装结构对芯片电流均匀性的影响，提高载流能力。提高载流能力。提高载流能力。

【技术实现步骤摘要】
连接结构及功率模块


[0001]本技术涉及功率模块
，特别是涉及一种连接结构及功率模块。

技术介绍

[0002]随着交通运输、航空航天等领域的发展，对现有的电源功率模块及电源系统提出了新的要求，功率模块主要包括绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块、二极管模块，MOSFET模块，智能功率(IPM)模块等。在功率模块的结构中，存在金属连接结构，将芯片和陶瓷覆铜板实现电气连接。此结构会显著影响产品的性能，包括开关速度、电压尖峰、温度分布，特别在多芯片并联的模块中，还会影响并联均流和振荡的问题，影响的因素主要此结构的寄生参数大小、结构尺寸和材料。
[0003]传统技术中，金属连接结构常用铝线对芯片和陶瓷覆铜板进行连接，但是这种连接方式，存在杂散电感较大，芯片的均流较差，容易出现震荡、载流能力差的情况。

技术实现思路

[0004]基于此，有必要提供一种连接结构及功率模块，能够有效提高均流效果，降低杂散电感，提高载流能力。
[0005]其技术方案如下：一种连接结构，所述连接结构包括：连接主体，沿所述连接主体的宽度方向，所述连接主体的相对两端分别为第一端面与第二端面，所述第一端面上设有第一安装部，所述连接主体通过所述第一安装部用于与陶瓷覆铜板电性连接；第一连接座与第二连接座，所述第一连接座设有第一延长部，所述第一连接座通过所述第一延长部与所述连接主体连接，所述第二连接座设有第二延长部，所述第二连接座通过所述第二延长部与所述连接主体连接，且所述第一连接座到所述连接主体的最短距离D1与第二连接座到所述连接主体的最短距离D2相等，所述连接主体通过所述第一连接座及所述第二连接座用于与芯片电性连接；所述连接主体与所述第二连接座为一体成型结构，所述连接主体上设有冲压穿孔，所述冲压穿孔与所述第二连接座为一一对应设置
[0006]上述连接结构，在装配过程中，将不同的芯片分别电性连接于第一连接座上和第二连接座上，再将第一安装部连与陶瓷覆铜板电性连接，从而实现芯片与陶瓷覆铜板的电性连通。由于第二连接座及第一连接座相对设置，而第一安装部与第一连接座分别位于连接主体的相对两端，因此，各个芯片汇集到连接主体上，有利于减小各个芯片之间的寄生参数，保证针对芯片并联震荡的良好鲁棒性，并且第一连接座与第二连接座到连接主体的最短距离相等，使得每个芯片到连接主体的路径相同，连接主体到陶瓷覆铜板的路径相同，从而各个芯片到陶瓷覆铜板回路的杂散电感、杂散电阻等寄生参数基本相等，有利于减少封装结构对芯片电流均匀性的影响，提高载流能力。
[0007]在其中一个实施例中，所述第一连接座为两个以上，两个以上所述第一连接座间隔设置于所述连接主体上，所述第二连接座为两个以上，两个以上所述第二连接座间隔设置于所述连接主体上。
[0008]在其中一个实施例中，所述第一安装部为至少两个，至少两个所述第一安装部沿所述连接主体的长度方向间隔设置于所述第一端面上。
[0009]在其中一个实施例中，所述第一连接座与第一延长部呈夹角连接，且所述第一延长部远离所述第一连接座的一端与所述第二端面连接，所述第二连接座与第二延长部呈夹角连接，且所述第二延长部远离所述第二连接座的一端连接于所述连接主体的一侧面上，所述第一连接座与所述第二连接座均对应有所述冲压穿孔。
[0010]在其中一个实施例中，所述第二延长部连接于所述连接主体沿宽度方向的中间位置，且两个以上所述第二延长部沿所述连接主体的中线Z1间隔设置。
[0011]在其中一个实施例中，所述第一连接座背向所述连接主体的一侧设有配合部，所述配合部用于与芯片表面抵触配合。
[0012]在其中一个实施例中，所述第二连接座背向所述连接主体的一侧设有配合部，所述配合部用于与芯片表面抵触配合。
[0013]在其中一个实施例中，所述第二端面上设有第二安装部，所述第一延长部与所述第二延长部间隔连接于所述连接主体的同一侧面上，所述第一连接座与所述第一延长部连接，所述第二连接座与所述第二延长部连接。
[0014]在其中一个实施例中，所述第一安装部设有第三延长部，所述第一安装部与所述第三延长部呈夹角连接，所述第三延长部与所述第一端面成夹角连接。
[0015]在其中一个实施例中，所述第二安装部设有第四延长部，所述第二安装部与所述第四延长部呈夹角连接，所述第四延长部与所述第二端面成夹角连接。
[0016]在其中一个实施例中，所述第一安装部上还设有第一限位勾，所述第一限位勾位于所述第一安装部远离所述连接主体的一端，所述第一限位勾用于与陶瓷覆铜板限位配合。
[0017]在其中一个实施例中，所述第二安装部上还设有第二限位勾，所述第二限位勾位于所述第二安装部远离所述连接主体的一端，所述第二限位勾用于与陶瓷覆铜板限位配合。
[0018]在其中一个实施例中，所述连接主体还设有排气孔，所述排气孔贯穿所述连接主体的相对两侧，且所述排气孔与所述冲压穿孔间隔设置。
[0019]一种功率模块，所述功率模块包括芯片、陶瓷覆铜板及上述中任意一项所述的连接结构，所述芯片为两个以上，所述第一连接座与第二连接座分别电性连接于不同的所述芯片，所述第一安装部连接于所述陶瓷覆铜板。
[0020]上述功率模块，在装配过程中，将不同的芯片分别电性连接于第一连接座上和第二连接座上，再将第一安装部连与陶瓷覆铜板电性连接，从而实现芯片与陶瓷覆铜板的电性连通。由于第二连接座与第一连接座相对设置，而第一安装部与第一连接座分别位于连接主体的相对两端，因此，各个芯片汇集到连接主体上，有利于减小各个芯片之间的寄生参数，保证针对芯片并联震荡的良好鲁棒性，并且第一连接座与第二连接座到连接主体的最短距离相等，使得每个芯片到连接主体的路径相同，连接主体到陶瓷覆铜板的路径相同，从而各个芯片到陶瓷覆铜板回路的杂散电感、杂散电阻等寄生参数基本相等，有利于减少封装结构对芯片电流均匀性的影响，提高载流能力。
附图说明
[0021]构成本申请的一部分的附图用来提供对本技术的进一步理解，本技术的示意性实施例及其说明用于解释本技术，并不构成对本技术的不当限定。
[0022]为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0023]图1为一实施例中所述的连接结构的整体结构示意图一；
[0024]图2为图1中所述的连接结构的平面结构示意图；
[0025]图3为图1中所述的连接结构的另一角度结构示意图；
[0026]图4为一实施例中所述的连接结构的整体结构示意图二；
[0027]图5为图4中所述的连接结构的平面结构示意图；
[0028]图6为图4中所述的连接结构的另一角度结构示意图。
[0029]附图标记说明：
[0030]100、连接结构；本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种连接结构，其特征在于，所述连接结构包括：连接主体，沿所述连接主体的宽度方向，所述连接主体的相对两端分别为第一端面与第二端面，所述第一端面上设有第一安装部，所述连接主体通过所述第一安装部用于与陶瓷覆铜板电性连接；第一连接座与第二连接座，所述第一连接座设有第一延长部，所述第一连接座通过所述第一延长部与所述连接主体连接，所述第二连接座设有第二延长部，所述第二连接座通过所述第二延长部与所述连接主体连接，且所述第一连接座到所述连接主体的最短距离D1与第二连接座到所述连接主体的最短距离D2相等，所述连接主体通过所述第一连接座及所述第二连接座用于与芯片电性连接；所述连接主体与所述第二连接座为一体成型结构，所述连接主体上设有冲压穿孔，所述冲压穿孔与所述第二连接座为一一对应设置。2.根据权利要求1所述的连接结构，其特征在于，所述第一连接座为两个以上，两个以上所述第一连接座间隔设置于所述连接主体上，所述第二连接座为两个以上，两个以上所述第二连接座间隔设置于所述连接主体上。3.根据权利要求2所述的连接结构，其特征在于，所述第一安装部为至少两个，至少两个所述第一安装部沿所述连接主体的长度方向间隔设置于所述第一端面上。4.根据权利要求1所述的连接结构，其特征在于，所述第一连接座与第一延长部呈夹角连接，且所述第一延长部远离所述第一连接座的一端与所述第二端面连接，所述第二连接座与第二延长部呈夹角连接，且所述第二延长部远离所述第二连接座的一端连接于所述连接主体的一侧面上，所述第一连接座与所述第二连接座均对应有所述冲压穿孔。5.根据权利要求4所述的连接结构，其特征在于，所述第二延长部连接于所述连接主体沿宽度方向的中间位置，且两个以上所述第二延长...

【专利技术属性】
技术研发人员：王咏，
申请(专利权)人：广东芯聚能半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：