MOS器件的在板退化检测方法、装置、计算机设备制造方法及图纸

本申请涉及一种MOS器件的在板退化检测方法、装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品。所述方法包括：控制MOS器件工作在饱和状态，并向MOS器件的栅极施加不同频率点的激励电压，激励电压小于所述栅极的直流电压；针对每一频率点的激励电压，分别获取MOS器件的漏极电压；根据各个频率点对应的激励电压、漏极电压获取测量频率曲线；根据参考频率曲线和测量频率曲线确定所述MOS器件的退化程度。采用本方法能够在不影响MOS器件正常工作的情况下对MOS器件进行检测，从而提高了MOS器件的退化检测效率。检测效率。检测效率。

【技术实现步骤摘要】
MOS器件的在板退化检测方法、装置、计算机设备


[0001]本申请涉及检测
，特别是涉及一种MOS器件的在板退化检测方法、装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品。

技术介绍

[0002]碳化硅金属氧化物场效应晶体管(英文：Silicon Carbide Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，简称：SiC MOSFET)具有击穿电压高、工作温度高等特点，因此在光伏逆变器、电池充电、储能、电机驱动、不间断电源、辅助电源等领域得到了广泛的应用。由于SiC MOSFET常处于高温、高压、大电流的工作环境，一些电学参数如阈值电压、导通电阻等会产生退化，导致系统的可靠性降低，甚至失效，因此对已安装在印刷电路板上的SiC MOSFET的电学参数进行检测，并及时感知器件健康状态十分必要。
[0003]为了实现对已安装在印刷电路板上的SiC MOSFET的电学参数进行检测，往往需要改变已安装在印刷电路板上的SiC MOSFET的原有工作电路结构，存在检测效率低的问题。

技术实现思路

[0004]基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种能够提高检测效率的MOS器件的在板退化检测方法、装置、计算机设备、计算机可读存储介质和计算机程序产品。
[0005]第一方面，本申请提供了一种MOS器件的在板退化检测方法。所述方法包括：
[0006]控制所述MOS器件工作在饱和状态，并向所述MOS器件的栅极施加不同频率点的激励电压，所述激励电压小于所述栅极的直流电压；
[0007]针对每一频率点的所述激励电压，分别获取所述MOS器件的漏极电压；
[0008]根据各个所述频率点对应的激励电压、漏极电压获取测量频率曲线；
[0009]根据参考频率曲线和所述测量频率曲线确定所述MOS器件的退化程度。
[0010]在其中一个实施例中，所述根据各个所述频率点对应的激励电压、漏极电压获取测量频率曲线，包括：
[0011]在每一所述频率点的激励电压的作用下，获取所述漏极电压与所述激励电压之间的关联值；所述关联值用于与所述MOS器件的阈值电压、寄生电容、电阻的退化参数相关联；
[0012]根据多个所述频率点以及各所述频率点下的所述关联值获取所述测量频率曲线。
[0013]在其中一个实施例中，所述关联值包括所述漏极电压与所述激励电压之间的比值。
[0014]在其中一个实施例中，所述根据参考频率曲线和所述测量频率曲线确定所述MOS器件的退化程度，包括：
[0015]针对同一频率点，分别在所述参考频率曲线获取参考关联值以及在所述测量频率曲线获取测量关联值；
[0016]根据所述参考关联值与所述测量关联值之间的偏移量获取退化程度，其中，所述偏移量与所述退化程度正相关。
[0017]在其中一个实施例中，所述向所述MOS器件的栅极施加不同频率点的激励电压，包括：
[0018]控制函数发生器向所述MOS器件的栅极施加不同频率点的激励电压，所述激励电压为频率变化的正弦波电压或方波电压。
[0019]在其中一个实施例中，所述方法还包括：在预设频率范围内，按照预设步长选取多个频率点。
[0020]第二方面，本申请还提供了一种MOS器件的在板退化检测装置。所述装置包括：
[0021]电压激励模块，用于控制所述MOS器件工作在饱和状态，并向所述MOS器件的栅极施加不同频率点的激励电压，所述激励电压小于所述栅极的直流电压；
[0022]电压获取模块，用于针对每一频率点的所述激励电压，分别获取所述MOS器件的漏极电压；
[0023]曲线获取模块，用于根据各个所述频率点对应的激励电压、漏极电压获取测量频率曲线；
[0024]退化确定模块，根据参考频率曲线和所述测量频率曲线确定所述MOS器件的退化程度。
[0025]第三方面，本申请还提供了一种计算机设备。所述计算机设备包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现以下步骤：
[0026]控制所述MOS器件工作在饱和状态，并向所述MOS器件的栅极施加不同频率点的激励电压，所述激励电压小于所述栅极的直流电压；
[0027]针对每一频率点的所述激励电压，分别获取所述MOS器件的漏极电压；
[0028]根据各个所述频率点对应的激励电压、漏极电压获取测量频率曲线；
[0029]根据参考频率曲线和所述测量频率曲线确定所述MOS器件的退化程度。
[0030]第四方面，本申请还提供了一种计算机可读存储介质。所述计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现以下步骤：
[0031]控制所述MOS器件工作在饱和状态，并向所述MOS器件的栅极施加不同频率点的激励电压，所述激励电压小于所述栅极的直流电压；
[0032]针对每一频率点的所述激励电压，分别获取所述MOS器件的漏极电压；
[0033]根据各个所述频率点对应的激励电压、漏极电压获取测量频率曲线；
[0034]根据参考频率曲线和所述测量频率曲线确定所述MOS器件的退化程度。
[0035]第五方面，本申请还提供了一种计算机程序产品。所述计算机程序产品，包括计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现以下步骤：
[0036]控制所述MOS器件工作在饱和状态，并向所述MOS器件的栅极施加不同频率点的激励电压，所述激励电压小于所述栅极的直流电压；
[0037]针对每一频率点的所述激励电压，分别获取所述MOS器件的漏极电压；
[0038]根据各个所述频率点对应的激励电压、漏极电压获取测量频率曲线；
[0039]根据参考频率曲线和所述测量频率曲线确定所述MOS器件的退化程度。
[0040]上述MOS器件的在板退化检测方法、装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品，通过在不同频率点下向MOS器件的栅极施加对应的激励电压，并获取每个频率点下MOS器件的漏极电压，再根据激励电压和漏极电压获取测量频率曲线，最后根据参考频率曲线
和测量频率曲线确定MOS器件的退化程度。由于在检测过程中，向MOS器件的栅极施加激励电压以及获取MOS器件的漏极电压不需要改变MOS器件原有的工作电路结构，并且由于施加的激励电压小于栅极正常工作时的直流电压，因此可以在不影响MOS器件正常工作的情况下对MOS器件进行检测，从而提高了MOS器件的退化检测效率。
附图说明
[0041]图1为一个相关技术中测试原理的电路结构图；
[0042]图2为一个相关技术中测试原理的电路结构图；
[0043]图3为一个实施例中MOS器件的在板退化检测方法的应用环境图；
[0044]图4为一个实施例中MOS器件的在板退化检测方法的流程示意图；
[0045]图5为一个实施例中S406步骤的流程示意图；
[0046]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MOS器件的在板退化检测方法，其特征在于，所述方法包括：控制所述MOS器件工作在饱和状态，并向所述MOS器件的栅极施加不同频率点的激励电压，所述激励电压小于所述栅极的直流电压；针对每一频率点的所述激励电压，分别获取所述MOS器件的漏极电压；根据各个所述频率点对应的激励电压、漏极电压获取测量频率曲线；根据参考频率曲线和所述测量频率曲线确定所述MOS器件的退化程度。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据各个所述频率点对应的激励电压、漏极电压获取测量频率曲线，包括：在每一所述频率点的激励电压的作用下，获取所述漏极电压与所述激励电压之间的关联值；所述关联值用于与所述MOS器件的阈值电压、寄生电容、电阻的退化参数相关联；根据多个所述频率点以及各所述频率点下的所述关联值获取所述测量频率曲线。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述关联值包括所述漏极电压与所述激励电压之间的比值。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据参考频率曲线和所述测量频率曲线确定所述MOS器件的退化程度，包括：针对同一频率点，分别在所述参考频率曲线获取参考关联值以及在所述测量频率曲线获取测量关联值；根据所述参考关联值与所述测量关联值之间的偏移量获取退化程度，其中，所述偏移量与所述退化程度正相关。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：侯波，陈义强，陈媛，贺致远，
申请(专利权)人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所工业和信息化部电子第五研究所中国赛宝实验室，
类型：发明
国别省市：