聚焦离子束装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种聚焦离子束装置，其具备聚焦离子束柱状体，所述聚焦离子束柱状体在镜筒中内置有聚焦离子束光学系统而将聚焦离子束从所述镜筒的前端部射出，其中，在从所述聚焦离子束光学系统射出的所述聚焦离子束的去路的附近配置有向被处理基板的表面供给电子的金属针、金属片等电子供给部、具备捕获二次带电粒子的检测部的微通道板等，聚焦离子束装置通过设为这样简单的结构，由此能够实现聚焦离子束装置的低成本化，并且能够有效地防止带电。电。电。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】聚焦离子束装置


[0001]本专利技术涉及聚焦离子束装置。

技术介绍

[0002]聚焦离子束装置在真空中产生离子并使其在静电场中聚集而成为聚焦离子束。在聚焦离子束装置中，捕捉从被照射了聚焦的离子束的位置产生的二次带电粒子(二次电子、二次离子等)，并基于其强度信息一边扫描离子束一边获取数据生成图像。若基于该数据来表示离子束照射位置处的强度信息，则能够确认照射了离子束的样本的表面形状。
[0003]另一方面，在聚焦离子束装置中，也能够增加离子束电流来使样本表面发生溅射以进行加工。还能够利用该现象来将聚焦离子束装置用作光掩模等的修正装置。光掩模的图案由铬(Cr)形成。通过对该图案中的不良(残留缺陷)部位照射聚焦离子束，从而能够使图案发生溅射而除去。在聚焦离子束装置中，除了上述的样本的表面形状的确认及蚀刻(溅射)的功能以外，还具有利用聚焦离子束和成膜用气体来进行CVD(化学气相沉积)的功能等。
[0004]然而，由于聚焦离子束是单极性的镓正离子，因此若是持续照射则会在样本表面蓄积正电荷。在样本自身是绝缘体的情况下，样本表面会带电(charge
‑
up)，存在使照射的聚焦离子束偏转或无法照射这样的问题。
[0005]作为防止样本表面的带电的现有技术，已知有具备将电子束朝向照射离子束的样本表面射出的中和用电子枪的带电粒子束处理装置(例如参照专利文献1)。上述的中和用电子枪在被真空排气的筒体中具备电子源和电子光学系统。在该带电粒子束处理装置中，从电子源引出电子束，利用电子枪控制器来控制电子束而从前端部射出电子束。并且，该中和用电子枪的前端部配置在样本表面的附近，设定为将电子束向样本表面照射。
[0006]在先技术文献
[0007]专利文献
[0008]专利文献1：日本特开平8－138617号公报

技术实现思路

[0009]本专利技术要解决的问题
[0010]在上述的现有的技术中，需要在从聚焦离子束装置的侧方到样本表面的附近的区域中设置中和用电子枪，以将筒体的前端部配置在样本表面的附近，因此存在装置整体复杂且大型化而导致成本增加的课题。
[0011]本专利技术鉴于上述的课题而作成，其目的在于，提供能够以简单的结构实现低成本化且能够有效地防止带电(charge
‑
up)的聚焦离子束装置。
[0012]用于解决课题的方案
[0013]为了解决上述的课题来实现目的，本专利技术的方案涉及的聚焦离子束装置具备聚焦离子束柱状体，该聚焦离子束柱状体在镜筒中内置有聚焦离子束光学系统而将聚焦离子束
从所述镜筒的前端部射出，其中，所述聚焦离子束装置优选在从所述聚焦离子束光学系统射出的所述聚焦离子束的去路的附近配置有电子供给部，该电子供给部向被处理基板的表面供给电子。
[0014]作为上述方案，优选所述电子供给部通过被照射所述聚焦离子束来产生二次电子。
[0015]作为上述方案，优选所述电子供给部为金属针或金属片。
[0016]作为上述方案，优选所述电子供给部是微通道板，所述微通道板具有使所述聚焦离子束通过而向所述被处理基板入射的离子束通过口，且在离子束通过口的外侧具有检测部，该检测部能够捕捉从所述被处理基板产生的二次带电粒子。
[0017]作为上述方案，优选所述聚焦离子束光学系统能够对使所述聚焦离子束通过所述微通道板的离子束通过口的去路与使所述聚焦离子束向所述微通道板照射的去路进行选择，所述微通道板设定为在被照射所述聚焦离子束时被施加反向偏压。
[0018]作为上述方案，优选所述聚焦离子束装置具备UV光照射机构，所述电子供给部通过从所述UV光照射机构被照射UV光而产生光电子。
[0019]作为上述方案，优选所述电子供给部是微通道板，所述微通道板具有使所述聚焦离子束通过而向所述被处理基板入射的离子束通过口，且在所述离子束通过口的外侧具有检测部，该检测部能够捕捉从被处理基板产生的二次带电粒子。
[0020]作为上述方案，优选所述微通道板设定为在被照射所述UV光时被施加反向偏压。
[0021]作为上述方案，优选所述电子供给部是配置在所述聚焦离子束光学系统的前端侧的用于产生热电子的灯丝。
[0022]作为上述方案，优选在聚焦离子束柱状体的前端部具备差动排气装置。
[0023]专利技术的效果
[0024]根据本专利技术，能够实现以简单的结构实现低成本化且可有效地防止带电的聚焦离子束装置。
附图说明
[0025]图1
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1是本专利技术的第一实施方式的聚焦离子束装置的主要部分剖视说明图，示出观察被处理基板的表面的状态。
[0026]图1
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2是本专利技术的第一实施方式的聚焦离子束装置的主要部分剖视说明图，示出利用二次电子来中和被处理基板的表面的带电的状态。
[0027]图1
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3是表示在本专利技术的第一实施方式的聚焦离子束装置中扫描离子束的状态的俯视说明图。
[0028]图2是本专利技术的第二实施方式的聚焦离子束装置的主要部分剖视说明图。
[0029]图3
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1是本专利技术的第三实施方式的聚焦离子束装置的主要部分剖视说明图，示出观察被处理基板的表面的状态。
[0030]图3
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2是本专利技术的第三实施方式的聚焦离子束装置的主要部分剖视说明图，示出中和被处理基板的表面的带电的状态。
[0031]图4是本专利技术的第四实施方式的聚焦离子束装置的主要部分剖视说明图。
[0032]图5是本专利技术的第五实施方式的聚焦离子束装置的主要部分剖视说明图。
[0033]图6是本专利技术的第六实施方式的聚焦离子束装置的主要部分剖视说明图。
具体实施方式
[0034]以下，参照附图对本专利技术的实施方式的聚焦离子束装置的详细情况进行说明。需要说明的是，应留意附图是示意性的，各构件的尺寸、尺寸的比例、数目、形状等与实际上不同。另外，在附图相互之间也包括彼此的尺寸的关系、比例、形状不同的部分。
[0035][第一实施方式](聚焦离子束装置的简要结构)
[0036]图1－1示出第一实施方式的聚焦离子束装置1A的简要结构。聚焦离子束装置1A具备未图示的能够在X－Y方向上移动的基板支承台、聚焦离子束柱状体(以下，称为FIB柱状体)10、在闪烁器上光学地连接光导而成的闪烁器/光导14以及作为电子供给部的钨针20。本实施方式的聚焦离子束装置1A能够用于例如形成在石英玻璃上的具有Cr图案的光掩模的表面状态的观察、Cr图案的缺陷部位的蚀刻(溅射)、图案修正膜的CVD成膜等以各种图案修正为目标的处理中。
[0037](FIB柱状体)
[0038]FIB柱状体10在镜筒11内内置有聚焦离子束光学系统12。在FIB柱状体10的前端部(前端壁部)11A的中央形成有前端开口部11B。在FIB柱状体10中，通过使聚焦离子束Ib穿过前端开口部11B而将其朝向被处理基板S的表本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种聚焦离子束装置，其具备聚焦离子束柱状体，该聚焦离子束柱状体在镜筒中内置有聚焦离子束光学系统而将聚焦离子束从所述镜筒的前端部射出，其中，在从所述聚焦离子束光学系统射出的所述聚焦离子束的去路的附近配置有电子供给部，该电子供给部向被处理基板的表面供给电子。2.根据权利要求1所述的聚焦离子束装置，其中，所述电子供给部通过被照射所述聚焦离子束来产生二次电子。3.根据权利要求2所述的聚焦离子束装置，其中，所述电子供给部为金属针或金属片。4.根据权利要求2所述的聚焦离子束装置，其中，所述电子供给部是微通道板，所述微通道板具有使所述聚焦离子束通过而向所述被处理基板入射的离子束通过口，且在离子束通过口的外侧具有检测部，该检测部能够捕捉从所述被处理基板产生的二次带电粒子。5.根据权利要求4所述的聚焦离子束装置，其中，所述聚焦离子束光学系统能够对使所述聚焦离子束通过所述微通道板的离子束通过口的去路与使所述聚焦离子束向...

【专利技术属性】
技术研发人员：水村通伸，
申请(专利权)人：株式会社V技术，
类型：发明
国别省市：