适用于高频交变电场电磁阻垢除垢系统的铁氧体传导件技术方案

一种适用于高频交变电场电磁阻垢除垢系统的铁氧体传导件,属于利用高频交变电场对水垢进行处理的领域。包括上表面、主体部和下表面,上表面通过上倒角连接部与主体部连接,下表面通过下倒角连接部与主体部连接,这种方式可以有效的缓解应力影响而造成铁氧体传导件的迸裂,同时通过由多个铁氧体传导件首尾连接后形成的传导环,放置在阻垢除垢系统后还可以将高频交变电场全方位的传导出去,使阻垢除垢效果更好。效果更好。效果更好。

【技术实现步骤摘要】
适用于高频交变电场电磁阻垢除垢系统的铁氧体传导件


[0001]本技术属于利用高频交变电场对水垢进行处理的领域,特别涉及一种适用于高频交变电场电磁阻垢除垢系统的铁氧体传导件。

技术介绍

[0002]铁氧体作为高频交变电场电磁阻垢除垢的重要环节，出现了诸多问题，例如：铁氧体脆弱易碎，运输途中需要注意颠簸对铁氧体的损伤；在铁氧体应用到管道时，容易因应力影响，出现崩裂的情况。由此可能导致高频电磁阻垢除垢设备的效果不如预期，严重干扰工业生产的正常运行。

技术实现思路

[0003]针对现有技术存在的不足，本技术的目的是提供一种适用于高频交变电场电磁阻垢除垢系统的铁氧体传导件。
[0004]技术所采用的技术方案是：一种适用于高频交变电场电磁阻垢除垢系统的铁氧体传导件，其技术要点是，铁氧体包括上表面、主体部和下表面，上表面和主体部的连接处通过30
°
～60
°
倒角处理形成上倒角连接部，主体部和下表面的连接处通过30
°
～60
°
倒角处理形成下倒角连接部,上倒角连接部和下倒角连接部的宽度均为2.3mm～3.7mm。
[0005]上述方案中，上表面和主体部的连接处通过30
°
～60
°
倒圆角处理形成上倒角连接部，主体部和下表面的连接处通过30
°
～60
°
倒圆角处理形成下倒角连接部,且圆角的半径在2.5mm～3.5mm以内。
[0006]上述方案中，所述的铁氧体传导件通过穿过连接孔的销轴彼此连接，多个铁氧体传导件首尾连接后形成传导环。
[0007]上述方案中，所述的传导环环抱高频交变电场电磁阻垢除垢系统壳体设置。
[0008]本技术的有益效果是：该适用于高频交变电场电磁阻垢除垢系统的铁氧体传导件, 包括上表面、主体部和下表面, 上表面通过上倒角连接部与主体部连接, 下表面通过下倒角连接部与主体部连接,这种方式可以有效的缓解应力影响而造成铁氧体传导件的迸裂,同时通过由多个铁氧体传导件首尾连接后形成的传导环,放置在阻垢除垢系统后还可以将高频交变电场全方位的传导出去,使阻垢除垢效果更好。
附图说明
[0009]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可根据这些附图获得其他的附图。
[0010]图1为本技术实施例中适用于高频交变电场电磁阻垢除垢系统的铁氧体传导件的结构示意图；
[0011]图2为本技术实施例中传导环结构示意图；
[0012]图中序号说明：1上表面、2主体部、3上倒角连接部、4销轴、5铁氧体传导件、6下表面。
具体实施方式
[0013]使本技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图1和具体实施方式对本技术作进一步详细的说明。
[0014]实施例1：
[0015]本实施例采用的适用于高频交变电场电磁阻垢除垢系统的铁氧体传导件，铁氧体包括上表面1、主体部2和下表面6，上表面1和主体部2的连接处通过35
°
倒角处理形成上倒角连接部3，主体部2和下表面6的连接处通过35
°
倒角处理形成下倒角连接部,上倒角连接部3和下倒角连接部的宽度均为2.5mm。
[0016]铁氧体传导件5的两端分别设有销轴孔，两个铁氧体传导件5的销轴孔相对放置使销轴孔相连通，再通过穿过上述连通孔的销轴4将两个铁氧体传导件5连接。多个铁氧体传导件5首尾连接后形成传导环。传导环环抱高频交变电场电磁阻垢除垢系统壳体设置。
[0017]本实施例对铁氧体传导件连接形成传导环，使其作为高效耦合环，强化电磁场，增强传导效率，提高阻垢除垢设备的工作效率，同时也降低了能耗。
[0018]实施例2：
[0019]本实施例与实施例1的区别在于：所述的上表面和主体部的连接处通过45
°
（在30
‑
60之间选择一个，35已经在实施例1选择了，重新选择一个即可）倒圆角处理形成上倒角连接部，主体部和下表面的连接处通过45
°
倒圆角处理形成下倒角连接部,且圆角的半径为3mm。
[0020]本实施例采用的圆角倒角可以在锈蚀管壁和因环境因素造成管壁凹凸不平的情况下，保护铁氧体，圆角保护效果优于普通倒角效果。
[0021]以上所述，仅为本技术的具体实施方式，但本技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本
的技术人员在本技术揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本技术的保护范围之内。因此，本技术的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种适用于高频交变电场电磁阻垢除垢系统的铁氧体传导件,其特征在于,铁氧体包括上表面、主体部和下表面，上表面和主体部的连接处通过30
°
～60
°
倒角处理形成上倒角连接部，主体部和下表面的连接处通过30
°
～60
°
倒角处理形成下倒角连接部,上倒角连接部和下倒角连接部的宽度均为2.3mm～3.7mm。2.如权利要求1所述的适用于高频交变电场电磁阻垢除垢系统的铁氧体传导件,其特征在于, 上表面和主体部的连接处通过30
°
～...

【专利技术属性】
技术研发人员：曲殿平，刘佳音，闻丽丽，张磊，杜恩胜，董金松，王国威，白海祥，
申请(专利权)人：辽宁佳霖特电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：