掩模版保护装置及掩模结构制造方法及图纸

本申请涉及一种掩模版保护装置及掩模结构。本申请提供的掩模版保护装置，包括：保护框，设置于掩模版的至少一侧；以及，保护膜，无胶键合于所述保护框背离所述掩模版的表面，并密封所述保护框的开口。本申请提供的掩模版保护装置，能够避免由于保护膜与保护框采用粘合剂进行粘接而导致掩模版表面雾化的问题，减少掩模版的损耗，避免掩模版受到污染进而损坏其上掩模图案，有利于实现掩模版的重复使用和长期使用。期使用。期使用。

【技术实现步骤摘要】
掩模版保护装置及掩模结构


[0001]本申请涉及半导体制造
，特别是涉及一种掩模版保护装置及掩模结构。

技术介绍

[0002]掩模版是光刻工艺中不可或缺的重要材料，它上面载有芯片设计者设计的电路图案，这些电路图案是通过光刻工艺复制到待加工件上的。掩模版受到污染会直接影响到待刻蚀件上电路图案的质量，进而影响最终芯片器件性能。在电路图案尺寸不断缩小的情况下，控制和减少掩模版所受污染就变得尤为重要。
[0003]因此，如何减少掩模版所受污染，是当前亟需解决的问题。

技术实现思路

[0004]基于此，本申请根据一些实施例，提供一种掩模版保护装置及掩模结构。
[0005]本申请根据一些实施例，提供一种掩模版保护装置，包括：
[0006]保护框，设置于掩模版的至少一侧；以及，
[0007]保护膜，无胶键合于所述保护框背离所述掩模版的表面，并密封所述保护框的开口。
[0008]上述实施例提供的掩模版保护装置中，保护膜与保护框采用无胶键合的方式相连接，这样能够避免使用粘合剂对保护膜与保护框进行粘接。由于掩模版在工作状态下曝光光源照射时，粘合剂会发生缓慢的化学反应(分解或老化聚合等)导致掩模版表面雾化，进而导致掩模版受到污染，影响掩模版的使用寿命。因此，上述实施例提供的掩模版保护装置，通过采用无胶键合的方式连接保护膜与保护框，能够避免掩模版表面雾化，减少掩模版的损耗，避免掩模版受到污染进而损坏其上掩模图案，有利于实现掩模版的重复使用和长期使用。
[0009]在一些实施例中，所述保护框背离所述掩模版表面的粗糙度小于或等于0.5nm；和/或，
[0010]所述保护膜靠近所述保护框表面的粗糙度小于或等于0.5nm。
[0011]在上述实施例提供的掩模版保护装置中，由于保护框背离掩模版表面的粗糙度以及保护膜靠近保护框表面的粗糙度较小，两个表面的分子之间吸引力较大，从而使得保护膜能够更好地键合于保护框表面，进而提升掩模版保护装置的可靠性，延长掩模版保护装置的使用寿命。
[0012]在一些实施例中，所述保护框背离所述掩模版表面的粗糙度与所述保护膜靠近所述保护框表面的粗糙度相等或相近。
[0013]在上述实施例提供的掩模版保护装置中，保护框与保护膜相接触的两接触面的粗糙度相等或相近，则保护框与保护膜相接触的两接触面具有相同或相近的表面质量，一致性较好，使得保护膜能够更好地键合于保护框表面，进而提升掩模版保护装置的可靠性，延长掩模版保护装置的使用寿命。
[0014]在一些实施例中，所述保护框包括石英玻璃框、钠玻璃框或硼玻璃框；
[0015]和/或，所述保护膜包括石英玻璃保护膜、钠玻璃保护膜或硼玻璃保护膜。
[0016]在一些实施例中，所述保护框的材质与所述保护膜的材质相同或相近。
[0017]在上述实施例提供的掩模版保护装置中，保护框的材质与保护膜的材质相同或相近，能够确保保护框与保护膜相对的两面能够紧密贴合，从而使保护膜与保护框之间无胶键合质量更高，进而提升掩模版保护装置的可靠性。
[0018]在一些实施例中，所述保护膜的厚度的取值范围包括30μm～100μm。
[0019]在一些实施例中，所述保护膜的厚度的取值范围包括40μm～60μm。
[0020]在一些实施例中，所述掩模版保护装置还包括：
[0021]减反射膜，设置于所述保护膜背离所述保护框的表面，和/或，所述保护膜靠近所述保护框且裸露于所述开口内的表面。
[0022]上述实施例提供的掩模版保护装置，当曝光光源发出的光照射至掩模版上时，减反射膜能够降低光的反射，增加透射量，从而能够提升曝光光功率的利用效率。
[0023]在一些实施例中，所述减反射膜的反射率小于或等于0.1％。
[0024]本申请还根据一些实施例，提供一种掩模结构，包括：
[0025]掩模版；以及，
[0026]如前述任一实施例提供的掩模版保护装置；其中，所述保护框无胶键合于所述掩模版的至少一侧。
[0027]上述实施例提供的掩模结构，包括如前述任一实施例提供的掩模版保护装置，因此，前述掩模版保护装置所能实现的技术效果，所述掩模结构也均能实现，此处就不再赘述。
附图说明
[0028]为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0029]图1为一种传统掩模结构的结构示意图；
[0030]图2至图3为本申请一些实施例提供的掩模版保护装置的结构示意图；图2至图3亦为本申请一些实施例提供的掩模结构的结构示意图；
[0031]图4为本申请另一些实施例提供的掩模版保护装置的结构示意图。
[0032]附图标记说明：
[0033]100'/100、掩模版保护装置；110'、固定架；110、保护框；120'、掩模版保护膜120'；120、保护膜；131、第一减反射膜；132、第二减反射膜；140'、第一粘合剂；300'、第二粘合剂；200'/200、掩模版；210'/210、掩模图案。
具体实施方式
[0034]为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的实施例。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述
的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使本申请的公开内容更加透彻全面。
[0035]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。
[0036]可以理解，本申请所使用的术语“第一”、“第二”等可在本文中用于描述各种元件，但这些元件不受这些术语限制。这些术语仅用于将第一个元件与另一个元件区分。举例来说，在不脱离本申请的范围的情况下，可以将第一减反射膜称为第二减反射膜，且类似地，可将第二减反射膜称为第一减反射膜。第一减反射膜和第二减反射膜两者都是减反射膜，但其不是同一减反射膜。
[0037]在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也可以包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应当理解的是，术语“包括/包含”或“具有”等指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的存在，但是不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的可能性。同时，在本说明书中使用的术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。
[0038]图1示出了一种传统掩模结构，包括传统的掩模版保护装置100'，以及掩模版200'。掩模版保护装置100'用于对掩模版200'进行保护，掩模版200'上具有掩模图案210'。<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种掩模版保护装置，其特征在于，包括：保护框，设置于掩模版的至少一侧；以及，保护膜，无胶键合于所述保护框背离所述掩模版的表面，并密封所述保护框的开口。2.根据权利要求1所述的掩模版保护装置，其特征在于，所述保护框背离所述掩模版表面的粗糙度小于或等于0.5nm；和/或，所述保护膜靠近所述保护框表面的粗糙度小于或等于0.5nm。3.根据权利要求1或2所述的掩模版保护装置，其特征在于，所述保护框背离所述掩模版表面的粗糙度与所述保护膜靠近所述保护框表面的粗糙度相等或相近。4.根据权利要求1所述的掩模版保护装置，其特征在于，所述保护框包括石英玻璃框、钠玻璃框或硼玻璃框；和/或，所述保护膜包括石英玻璃保护膜、钠玻璃保护膜或硼玻璃保护膜。5.根据权利要求1或4所述的掩模版保护装置，...

【专利技术属性】
技术研发人员：林岳明，季明华，黄早红，
申请(专利权)人：上海传芯半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：