光刻设备和用于形成光刻胶图案的方法技术

提供了光刻设备和用于形成光刻胶图案的方法。该光刻设备包括清洁目标衬底的清洁单元、干燥从清洁单元提供的目标衬底的干燥单元以及通过在从干燥单元提供的目标衬底上涂布光刻胶来形成光刻胶层的涂布单元。干燥单元包括对目标衬底执行真空处理的第一真空单元。括对目标衬底执行真空处理的第一真空单元。括对目标衬底执行真空处理的第一真空单元。

【技术实现步骤摘要】
光刻设备和用于形成光刻胶图案的方法


[0001]本专利技术的实施例涉及光刻设备和用于形成光刻胶图案的方法。

技术介绍

[0002]显示装置的重要性随着多媒体技术的发展而稳步增加。因此，诸如液晶显示(“LCD”)装置、有机发光显示(“OLED”)装置等的各种类型的显示装置已广泛用于各个领域。
[0003]显示装置通常包括布置在衬底上的各种图案。图案可以为电极、布线、半导体图案等，并且可以通过光刻工艺来形成。

技术实现思路

[0004]本专利技术的实施例提供了光刻设备和用于形成光刻胶图案的方法，光刻工艺中的缺陷在涂敷光刻胶之前通过去除布置在包括在目标衬底中的裂纹中的异物的真空处理来减少。
[0005]本专利技术的实施例提供了一种光刻设备，该光刻设备包括：清洁目标衬底的清洁单元；干燥从清洁单元提供的目标衬底的干燥单元；以及通过在从干燥单元提供的目标衬底上涂布光刻胶来形成光刻胶层的涂布单元。在这样的实施例中，干燥单元包括对目标衬底执行真空处理的第一真空单元。
[0006]在实施例中，干燥单元可以进一步包括加热目标衬底的第一加热单元和冷却由第一加热单元加热的目标衬底的第一冷却单元。
[0007]在实施例中，第一真空单元可以布置在第一冷却单元与涂布单元之间。
[0008]在实施例中，第一真空单元可以布置在第一加热单元与第一冷却单元之间。
[0009]在实施例中，第一真空单元可以布置在清洁单元与第一加热单元之间。
[0010]在实施例中，光刻设备可以进一步包括：固化从涂布单元提供的目标衬底的光刻胶层的固化单元；在从固化单元提供的目标衬底的光刻胶层上布置掩模之后辐射光的曝光单元；以及通过对从曝光单元提供的目标衬底的光刻胶层进行显影来形成光刻胶图案的显影单元。
[0011]在实施例中，固化单元可以包括对目标衬底执行真空处理的第二真空单元、加热从第二真空单元提供的目标衬底的第二加热单元以及冷却从第二加热单元提供的目标衬底的第二冷却单元。
[0012]在实施例中，第一真空单元可以包括腔室、布置在腔室内部的台以及向腔室的内部空间提供负压的真空泵。
[0013]在实施例中，第一真空单元可以进一步包括联接到台的加热器。
[0014]在实施例中，第一真空单元可以进一步包括联接到台的冷却器。
[0015]在实施例中，清洁单元可以包括将清洁溶液喷射到目标衬底上的清洁溶液喷射器以及将空气喷射到从清洁溶液喷射器提供的目标衬底上的空气喷射器。
[0016]在实施例中，目标衬底可以包括：基础衬底；布置在基础衬底上的第一导电层；布
置在第一导电层上的第一绝缘层；以及布置在第一绝缘层上并且与第一导电层重叠的第二导电层。在这样的实施例中，第一导电层的边缘和第二导电层的边缘可以彼此对齐。
[0017]在实施例中，目标衬底进一步包括布置在第二导电层上的第二绝缘层。在这样的实施例中，第二绝缘层可以包括与彼此对齐的第一导电层的边缘和第二导电层的边缘相邻布置的裂纹。
[0018]在实施例中，目标衬底中的基础衬底的一个表面与连接彼此对齐的第一导电层的边缘和第二导电层的边缘的假想线之间的对齐角可以在大约80
°
至大约100
°
的范围中。
[0019]本专利技术的实施例提供了一种用于形成光刻胶图案的方法，该方法包括：清洁目标衬底；干燥目标衬底；以及通过在目标衬底上涂敷光刻胶来形成光刻胶层。在这样的实施例中，干燥目标衬底包括对目标衬底执行真空处理。
[0020]在实施例中，目标衬底的干燥(例如，干燥目标衬底)可以进一步包括加热目标衬底。在这样的实施例中，可以在对目标衬底执行真空处理之前执行加热目标衬底。
[0021]在实施例中，干燥目标衬底可以进一步包括加热目标衬底。在这样的实施例中，可以在对目标衬底执行真空处理之后执行加热目标衬底。
[0022]在实施例中，该方法可以进一步包括：在目标衬底上形成光刻胶层之后，固化光刻胶层；在光刻胶层上布置掩模之后辐射光；以及对光刻胶层进行显影以形成光刻胶图案。
[0023]在实施例中，目标衬底可以包括：基础衬底；布置在基础衬底上的第一导电层；布置在第一导电层上的第一绝缘层；以及布置在第一绝缘层上并且与第一导电层重叠的第二导电层。在这样的实施例中，第一导电层的边缘和第二导电层的边缘可以彼此对齐。
[0024]在实施例中，目标衬底可以进一步包括布置在第二导电层上的第二绝缘层。在这样的实施例中，第二绝缘层可以包括与彼此对齐的第一导电层的边缘和第二导电层的边缘相邻布置的裂纹。
[0025]根据本专利技术的实施例，光刻工艺中的缺陷可以通过在涂敷光刻胶之前通过真空处理来去除布置在包括在衬底中的裂纹中的异物来减少。
附图说明
[0026]根据以下结合附图的实施例的描述，本专利技术的这些和/或其它特征将变得明显以及更易于领会，在附图中：
[0027]图1A是根据实施例的显示装置的平面视图；
[0028]图1B是图1A的圈出部分的放大视图；
[0029]图2是根据实施例的显示装置的一个像素的截面视图；
[0030]图3是图2的区域Q的放大视图；
[0031]图4是根据实施例的光刻设备的示意性视图；
[0032]图5是清洁之前的目标衬底的局部截面视图；
[0033]图6和图7是根据实施例的清洁单元的示意性视图；
[0034]图8是根据实施例的由清洁单元清洁的目标衬底的局部截面视图；
[0035]图9是根据实施例的第一加热单元的示意性视图；
[0036]图10是根据实施例的第一冷却单元的示意性视图；
[0037]图11是已经过第一加热单元和第一冷却单元的目标衬底的局部截面视图；
[0038]图12是根据一个实施例的真空单元的示意性视图；
[0039]图13是已经过真空单元的目标衬底的局部截面视图；
[0040]图14至图17是光刻工艺的示意性视图；
[0041]图18是根据实施例的用于形成光刻胶图案的方法的流程图；
[0042]图19是根据可替代的实施例的光刻设备的示意性视图；
[0043]图20是根据另一可替代的实施例的光刻设备的示意性视图；
[0044]图21是根据又一可替代的实施例的光刻设备的示意性视图；
[0045]图22是根据可替代的实施例的第一加热单元的示意性视图；
[0046]图23是根据另一可替代的实施例的光刻设备的示意性视图；并且
[0047]图24是根据另一可替代的实施例的第一冷却单元的示意性视图。
具体实施方式
[0048]现在将在下文中参考附图更充分地描述本专利技术的实施例，在附图中示出了本专利技术的实施例。然而，本专利技术可以以不同形式体现，而不应被解释为限于本文中阐述的实施例。相反地，提供这些实施例以使得本公开将为透彻和完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达本专利技术的范围。在整个本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光刻设备，包括：清洁目标衬底的清洁单元；干燥从所述清洁单元提供的所述目标衬底的干燥单元；以及通过在从所述干燥单元提供的所述目标衬底上涂布光刻胶来形成光刻胶层的涂布单元，其中，所述干燥单元包括对所述目标衬底执行真空处理的第一真空单元。2.根据权利要求1所述的光刻设备，其中，所述干燥单元进一步包括加热所述目标衬底的第一加热单元和冷却由所述第一加热单元加热的所述目标衬底的第一冷却单元。3.根据权利要求2所述的光刻设备，其中，所述第一真空单元布置在所述第一冷却单元与所述涂布单元之间、在所述第一加热单元与所述第一冷却单元之间、或在所述清洁单元与所述第一加热单元之间。4.根据权利要求2所述的光刻设备，进一步包括：固化从所述涂布单元提供的所述目标衬底的所述光刻胶层的固化单元；在从所述固化单元提供的所述目标衬底的所述光刻胶层上布置掩模之后辐射光的曝光单元；以及通过对从所述曝光单元提供的所述目标衬底的所述光刻胶层进行显影来形成光刻胶图案的显影单元。5.根据权利要求4所述的光刻设备，其中，所述固化单元包括对所述目标衬底执行真空处理的第二真空单元、加热从所述第二真空单元提供的所述目标衬底的第二加热单元以及冷却从所述第二加热单元提供的所述目标衬底的第二冷却单元。6.根据权利要求1所述的光刻设备，其中，所述第一真空单元包括腔室、布置在所述腔室内部的台、向...

【专利技术属性】
技术研发人员：柳龙焕，朴商鎭，李沙罗，朱成培，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：