半导体晶圆及测试方法技术

本发明专利技术实施例提供一种半导体晶圆及测试方法，半导体晶圆包括：衬底；衬底包括若干芯片区以及位于相邻芯片区之间的切割道区；电路测试器件，电路测试器件位于切割道区且具有若干个测试端口；防裂导电结构，防裂导电结构位于切割道区且绕芯片区设置，且位于电路测试器件与芯片区之间；至少一条第一导线层，第一导线层一端与相应的测试端口相连，另一端与邻近的防裂导电结构相连。本发明专利技术实施例通过利用防裂导电结构给电路测试器件提供测试信号，来解决切割道区导线布线空间不足的问题。切割道区导线布线空间不足的问题。切割道区导线布线空间不足的问题。

【技术实现步骤摘要】
半导体晶圆及测试方法


[0001]本申请涉及半导体领域，特别涉及一种半导体晶圆及测试方法。

技术介绍

[0002]为确认半导体晶圆在生产过程中的良率通常会对半导体晶圆进行晶圆检测，晶圆检测是通过测试探针和测试机配合使用，对晶圆的元器件进行功能和电参数测试。
[0003]半导体晶圆可以分为芯片区及切割道区，一般的，会在切割道区设置焊盘结构及电路测试器件，且利用导线将焊盘结构与电路测试器件相连，通过测试探针和测试机给焊盘结构提供电信号，进而给电路测试器件提供相应的电信号进行测试。
[0004]然而，目前切割道区存在导线布线空间不足的问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术实施例解决的技术问题为提供一种半导体晶圆及测试方法，通过利用防裂导电结构，来解决切割道区导线布线空间不足的问题。
[0006]本专利技术实施例提供一种半导体晶圆，包括：衬底；所述衬底包括若干芯片区以及位于相邻所述芯片区之间的切割道区；电路测试器件，所述电路测试器件位于所述切割道区且具有若干个测试端口；防裂导电结构，所述防裂导电结构位于所述切割道区且绕所述芯片区设置，且位于所述电路测试器件与所述芯片区之间；至少一条第一导线层，所述第一导线层一端与相应的所述测试端口相连，另一端与邻近的所述防裂导电结构相连。
[0007]另外，所述电路测试器件相对两侧均设置有所述防裂导电结构；所述电路测试器件通过所述第一导线层与至少一侧的所述防裂导电结构相连。
[0008]另外，所述第一导线层为两条，其中一条所述第一导线层与位于所述电路测试器件一侧的所述防裂导电结构相连，另一条所述第一导线层与位于所述电路测试器件另一侧的所述防裂导电结构相连。
[0009]另外，半导体晶圆还包括：若干第一焊盘结构，若干所述第一焊盘结构位于所述切割道且与所述电路测试器件间隔设置；第二导线层，所述第二导线层一端与所述第一焊盘结构相连，另一端与相应的所述测试端口相连。
[0010]另外，所述电路测试器件相对两侧均设置有所述第一焊盘结构；所述第二导线层的数量为两条，其中一条所述第二导线层与位于所述电路测试器件一侧的所述第一焊盘结构相连，另一条所述第二导线层与位于所述电路测试器件另一侧的所述第一焊盘结构相连。
[0011]另外，与所述电路测试器件电连接的所述第一焊盘结构的数量为三个；且所述第二导线层的数量为三条，每一条所述第二导线层电连接所述电路测试器件与相应的所述第一焊盘结构。
[0012]另外，三条所述第二导线层包括：两条直线型导线，所述直线型导线电连接所述电路测试器件与相邻的所述第一焊盘结构；一条折线型导线，所述折线型导线电连接所述电
路测试器件与距离所述电路测试器件最远的所述第一焊盘结构。
[0013]另外，所述第一焊盘结构包括：层叠设置的若干层第一导电层以及电连接相邻所述第一导电层的第一导电柱；其中，所述第二导线层与至少一层所述第一导电层处于同层且相连。
[0014]另外，半导体晶圆还包括：若干第二焊盘结构，若干所述第二焊盘结构位于所述切割道区且与所述第一焊盘结构间隔设置；第三导线层，所述第三导线层一端与所述第二焊盘结构相连，另一端与所述防裂导电结构相连。
[0015]另外，所述第二焊盘结构包括：层叠设置的若干层第二导电层以及电连接相邻所述第二导电层的第二导电柱；所述防裂导电结构包括：层叠设置的若干层第三导电层以及电连接相邻所述第三导电层的第三导电柱；所述第三导线层与至少一层所述第二导电层以及所述第三导电层处于同层且相连。
[0016]另外，所述第二焊盘结构位于所述第一焊盘结构远离所述电路测试器件的一侧。
[0017]另外，与所述防裂导电结构电连接的所述第二焊盘结构的数量为两个，其中一所述第二焊盘结构与位于所述电路测试器件一侧的所述防裂导电结构电连接，另一所述第二焊盘结构与位于所述电路测试器件相对另一侧的所述防裂导电结构电连接。
[0018]另外，本专利技术实施例还提供一种测试方法，包括：提供上述任一项所述的半导体晶圆；向所述防裂导电结构提供第一测试信号，且所述第一测试信号通过所述第一导线层传输至所述电路测试器件的所述测试端口。
[0019]另外，所述半导体晶圆还包括：若干第一焊盘结构，若干所述第一焊盘结构位于所述切割道区且与所述电路测试器件间隔设置；第二导线层，所述第二导线层一端与所述第一焊盘结构相连，另一端与相应的所述测试端口相连；所述测试方法还包括：向所述第一焊盘结构提供第二测试信号，且所述第二测试信号通过所述第二导线层传输至所述电路测试器件的所述测试端口。
[0020]另外，所述第一测试信号包括工作电源信号或者接地信号。
[0021]本专利技术实施例提供的技术方案具有以下优点：
[0022]上述技术方案中，利用至少一条第一导线层，将电路测试器件与相邻的防裂导电结构相连，通过给防裂导电结构提供相应的电信号，从而给电路测试器件提供相应的电信号，减少晶圆检测需要用到的导线布线空间从而可以根据需求增加电路测试器件的数量。此外，本专利技术实施例提供的半导体晶圆还可以应用于切割道区小尺寸设计，以解决小尺寸切割道区面临的测试所需的导线布线空间不足的问题。
[0023]另外，半导体晶圆还包括：若干第一焊盘结构及若干第二导线层，通过若干第二导线层将电路测试器件的其他测试端口与第一焊盘结构相连，从而通过第一焊盘结构给电路测试器件提供电路测试器件所需的电信号。本专利技术实施例中，对于同一电路测试器件，其测试所需的第一焊盘结构的数量减少，因此可以提高切割道区的空间的利用，例如可以增加切割道区的第一导线层和第二导线层的布局空间，有利于更好的实现第一导线层和第二导线层的空间布局；此外，还能够使得与第二导线层相连的第一焊盘结构的表面具有较大的尺寸，从而使得测试探针与第一焊盘结构具有足够的接触位置，避免出现测试探针滑出第一焊盘结构或者扎到第一焊盘结构以外区域的问题，从而提升测试结果的可靠性，且防止测试探针受到损坏。
附图说明
[0024]图1为一种半导体晶圆的结构示意图；
[0025]图2为本专利技术一实施例提供的一种半导体晶圆的结构示意图；
[0026]图3为本专利技术一实施例沿AA1方向的一种剖面结构示意图；
[0027]图4为本专利技术一实施例沿AA1方向的另一种剖面结构示意图；
[0028]图5为本专利技术一实施例沿AA2方向的一种剖面结构局部放大示意图；
[0029]图6为本专利技术另一实施例提供的一种半导体晶圆的结构示意图；
[0030]图7为本专利技术另一实施例沿AA3方向的一种剖面结构示意图；
[0031]图8为本专利技术另一实施例沿AA3方向的另一种剖面结构示意图。
具体实施方式
[0032]由
技术介绍
可知，目前在半导体晶圆测试存在切割道区导线布线空间不够的情况。
[0033]图1为相关技术中一种半导体晶圆的结构示意图，参考图1，半导体晶圆包括：衬底10；衬底10包括芯片区100及切割道区101，切割道本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体晶圆，其特征在于，包括：衬底；所述衬底包括若干芯片区以及位于相邻所述芯片区之间的切割道区；电路测试器件，所述电路测试器件位于所述切割道区且具有若干个测试端口；防裂导电结构，所述防裂导电结构位于所述切割道区且绕所述芯片区设置，且位于所述电路测试器件与所述芯片区之间；至少一条第一导线层，所述第一导线层一端与相应的所述测试端口相连，另一端与邻近的所述防裂导电结构相连。2.如权利要求1所述的半导体晶圆，其特征在于，所述电路测试器件相对两侧均设置有所述防裂导电结构；所述电路测试器件通过所述第一导线层与至少一侧的所述防裂导电结构相连。3.如权利要求2所述的半导体晶圆，其特征在于，所述第一导线层为两条，其中一条所述第一导线层与位于所述电路测试器件一侧的所述防裂导电结构相连，另一条所述第一导线层与位于所述电路测试器件另一侧的所述防裂导电结构相连。4.如权利要求1所述的半导体晶圆，其特征在于，还包括：若干第一焊盘结构，若干所述第一焊盘结构位于所述切割道区且与所述电路测试器件间隔设置；第二导线层，所述第二导线层一端与所述第一焊盘结构相连，另一端与相应的所述测试端口相连。5.如权利要求4所述的半导体晶圆，其特征在于，所述电路测试器件相对两侧均设置有所述第一焊盘结构；所述第二导线层的数量为两条，其中一条所述第二导线层与位于所述电路测试器件一侧的所述第一焊盘结构相连，另一条所述第二导线层与位于所述电路测试器件另一侧的所述第一焊盘结构相连。6.如权利要求4所述的半导体晶圆，其特征在于，与所述电路测试器件电连接的所述第一焊盘结构的数量为三个；且所述第二导线层的数量为三条，每一条所述第二导线层电连接所述电路测试器件与相应的所述第一焊盘结构。7.如权利要求6所述的半导体晶圆，其特征在于，三条所述第二导线层包括：两条直线型导线，所述直线型导线电连接所述电路测试器件与相邻的所述第一焊盘结构；一条折线型导线，所述折线型导线电连接所述电路测试器件与距离所述电路测试器件最远的所述第一焊盘结构。8.如权利要求4所述的半导体晶圆，其特征在于，所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：章中杰，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：