灵敏放大器的版图形成方法及灵敏放大器的版图技术

本申请涉及一种灵敏放大器的版图形成方法及灵敏放大器的版图，所述方法包括：提供第一有源区版图层；于第一有源区版图层的上表面形成第一金属接触图形层，第一金属接触图形层包括位于第一图形区域的相对两侧的第一金属接触图形及第二金属接触图形；于第一金属接触图形层的上表面形成第一导电线图形层，第一导电线图形层包括覆盖第一金属接触图形及第二金属接触图形的第一导电线图形；于第一导电图形层的上表面形成包括若干个连接孔图案的第一连接孔图形层，连接孔图案用于连接形成连接第一金属接触图形层的连接结构，以增加相邻导电线之间的间隙及单条导电线的宽度，提高版图上图案形状的均一性。上图案形状的均一性。上图案形状的均一性。

【技术实现步骤摘要】
灵敏放大器的版图形成方法及灵敏放大器的版图


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，特别是涉及灵敏放大器的版图形成方法及灵敏放大器的版图。

技术介绍

[0002]随着集成电路制程的快速发展，对半导体产品的集成度的要求越来越高。而随着半导体产品的集成化，要求单个半导体器件的尺寸越来越小，半导体器件中相邻导电线之间的间隙越来越小及单条导电线的宽度越来越小。导致对半导体工艺制程的要求越来越高，并且相邻导电线之间容易出现桥接短路的风险，导电线产生的寄生电容增加，影响半导体器件中数据传输的效率，并且增加半导体器件的能耗。
[0003]并且，传统的集成电路产品中，多层工艺复杂程度较高，对各层版图的设计规则要求较高，版图上图案形状不均一，导致光刻工艺复杂程度较高。

技术实现思路

[0004]基于此，有必要针对上述
技术介绍
中的问题，提供一种灵敏放大器的版图形成方法及灵敏放大器的版图，增加半导体产品中相邻导电线之间的间隙及单条导电线的宽度，提高版图上图案形状的均一性，降低对各层版图的设计规则要求，并降低光刻工艺的复杂程度，以提高制成半导体产品的良率及可靠性。
[0005]为实现上述目的及其他相关目的，本申请的一方面提供一种灵敏放大器的版图形成方法，包括：
[0006]提供第一有源区版图层，所述第一有源区版图层包括用于限定第一存储单元结构的第一图形区域；
[0007]于所述第一有源区版图层的上表面形成第一金属接触图形层，所述第一金属接触图形层包括位于所述第一图形区域的第一侧的第一金属接触图形，及位于所述第一图形区域的第二侧的第二金属接触图形，所述第一侧与所述第二侧为所述第一图形区域沿第一方向相对的两侧；
[0008]于所述第一金属接触图形层的上表面形成第一导电线图形层，所述第一导电线图形层包括第一导电线图形，所述第一导电线图形沿所述第一方向延伸且覆盖所述第一金属接触图形及所述第二金属接触图形；
[0009]于所述第一导电图形层的上表面形成第一连接孔图形层，所述第一连接孔图形层包括若干个连接孔图案，所述连接孔图案与所述第一存储单元结构中的晶体管一一对应设置，所述连接孔图案用于连接形成连接所述第一金属接触图形层的连接结构。
[0010]于上述实施例中的灵敏放大器的版图形成方法中，首先在第一有源区版图层的上表面形成第一金属接触图形层，所述第一金属接触图形层包括位于第一图形区域的沿第一方向相对两侧的第一金属接触图形及第二金属接触图形；然后于第一金属接触图形层的上表面形成第一导电线图形层，所述第一导电线图形层包括第一导电线图形，所述第一导电
线图形沿所述第一方向延伸且覆盖所述第一金属接触图形及所述第二金属接触图形；以便于在所述第一导电图形层的上表面形成包括若干个连接孔图案的第一连接孔图形层，其中，所述连接孔图案与所述第一存储单元结构中的晶体管一一对应设置，使得所述连接孔图案连接形成连接第一金属接触图形层的连接结构。由于第一导电线图形经由连接孔图案与连接结构连接，使得存储单元结构中第一导电线图形的宽度增加，减少制成半导体器件中导电线产生的寄生电容，提高半导体器件中数据传输的效率并且降低半导体器件的能耗。以第一存储单元结构版图为基本单元左右对称及/或上下对称地形成包括该基本单元阵列的版图，提高了版图上图案形状的均一性，降低了对各层版图的设计规则要求，降低了光刻工艺的复杂程度，并且增加了制成半导体产品中相邻导电线之间的间隙，便于对导电线充分镀铜，进一步降低导电线的电阻及寄生电容。
[0011]在其中一个实施例中，所述的灵敏放大器的版图形成方法还包括：提供第二存储单元结构版图，所述第二存储单元结构版图与第一存储单元结构版图沿所述第一方向对称设置，所述第一存储单元结构版图与所述第二存储单元结构版图共用所述第二金属接触图形。
[0012]在其中一个实施例中，所述的灵敏放大器的版图形成方法还包括：提供第三存储单元结构版图及/或第四存储单元结构版图，所述第三存储单元结构版图与所述第一存储单元结构版图沿第二方向对称设置，所述第四存储单元结构版图与所述第二存储单元结构版图沿所述第二方向对称设置。
[0013]在其中一个实施例中，所述提供第一有源区版图层包括：提供第一有源区图形层，所述第一有源区图形层包括沿所述第一方向依次间隔设置的第一有源区图形、第二有源区图形、第三有源区图形及第四有源区图形；于所述第一有源区图形层的上表面形成第二连接孔图形层；于所述第二连接孔图形层的上表面形成栅条图形层，所述栅条图形层包括第一栅条图形、第二栅条图形、第三栅条图形及第四栅条图形，所述第一栅条图形和所述第三栅条图形沿所述第一方向依次间隔设置，所述第二栅条图形和第四栅条图形沿所述第一方向依次间隔设置；所述第一栅条图形和所述第二栅条图形沿第二方向依次间隔设置，所述第三栅条图形和所述第四栅条图形沿所述第二方向依次间隔设置；其中，所述第一有源区图形与所述第三栅条图形和所述第四栅条图形分别交叠，所述第二有源区图形与所述第一栅条图形及所述第四栅条图形分别交叠，所述第三有源区图形与所述第一栅条图形及所述第四栅条图形分别交叠，所述第四有源区图形与所述第一栅条图形及所述第二栅条图形分别交叠。
[0014]在其中一个实施例中，所述第一栅条图形和沿所述第二方向位于其两侧的第四有源区图形用于形成第五MOS管，所述第二栅条图形和沿所述第二方向位于其两侧的第四有源区图形用于形成第一MOS管，所述第一栅条图形和沿所述第二方向位于其两侧的第三有源区图形用于形成第三MOS管，所述第四栅条图形和沿所述第二方向位于其两侧的第二有源区图形用于形成第四MOS管，所述第三栅条图形和沿所述第二方向位于其两侧的第一有源区图形用于形成第二MOS管，所述第四栅条图形和沿所述第二方向位于其两侧的第一有源区图形用于形成第六MOS管。
[0015]在其中一个实施例中，所述第二连接孔图形层包括第一连接孔图形、第二连接孔图形、第三连接孔图形、第四连接孔图形、第五连接孔图形、第六连接孔图形、第七连接孔图
形、第八连接孔图形、第九连接孔图形、第十连接孔图形、第十一连接孔图形及第十二连接孔图形；所述第一连接孔图形位于所述第三栅条图形远离所述第四栅条图形一侧的第一有源区图形内；所述第二连接孔图形位于所述第三栅条图形与所述第四栅条图形之间的第一有源区图形内；所述第三连接孔图形覆盖所述第二有源区图形与所述第一栅条图形交叠形成的第一重叠区域；所述第四连接孔图形位于所述第四栅条图形远离所述第一栅条图形一侧的第二有源区图形内；所述第五连接孔图形位于所述第一栅条图形远离所述第四栅条图形一侧的第三有源区图形内；所述第六连接孔图形覆盖所述第三有源区图形与所述第四栅条图形交叠形成的第二重叠区域；所述第七连接孔图形位于所述第一栅条图形远离所述第二栅条图形一侧的第四有源区图形内；所述第八连接孔图形位于所述第一栅条图形与所述第二栅条图形之间的第四有源区图形内；所述第九连接孔图形位于所述第二栅条图形远离所述第一栅条图形一侧的第四有源区图形内；所述第十连接孔图形位于所述第四栅条图形远离本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种灵敏放大器的版图形成方法，其特征在于，包括：提供第一有源区版图层，所述第一有源区版图层包括用于限定第一存储单元结构的第一图形区域；于所述第一有源区版图层的上表面形成第一金属接触图形层，所述第一金属接触图形层包括位于所述第一图形区域的第一侧的第一金属接触图形，及位于所述第一图形区域的第二侧的第二金属接触图形，所述第一侧与所述第二侧为所述第一图形区域沿第一方向相对的两侧；于所述第一金属接触图形层的上表面形成第一导电线图形层，所述第一导电线图形层包括第一导电线图形，所述第一导电线图形沿所述第一方向延伸且覆盖所述第一金属接触图形及所述第二金属接触图形；于所述第一导电图形层的上表面形成第一连接孔图形层，所述第一连接孔图形层包括若干个连接孔图案，所述连接孔图案与所述第一存储单元结构中的晶体管一一对应设置，所述连接孔图案用于连接形成连接所述第一金属接触图形层的连接结构。2.根据权利要求1所述的灵敏放大器的版图形成方法，其特征在于，还包括：提供第二存储单元结构版图，所述第二存储单元结构版图与第一存储单元结构版图沿所述第一方向对称设置，所述第一存储单元结构版图与所述第二存储单元结构版图共用所述第二金属接触图形。3.根据权利要求2所述的灵敏放大器的版图形成方法，其特征在于，还包括：提供第三存储单元结构版图及/或第四存储单元结构版图，所述第三存储单元结构版图与所述第一存储单元结构版图沿第二方向对称设置，所述第四存储单元结构版图与所述第二存储单元结构版图沿所述第二方向对称设置。4.根据权利要求1
‑
3任一项所述的灵敏放大器的版图形成方法，其特征在于，所述提供第一有源区版图层包括：提供第一有源区图形层，所述第一有源区图形层包括沿所述第一方向依次间隔设置的第一有源区图形、第二有源区图形、第三有源区图形及第四有源区图形；于所述第一有源区图形层的上表面形成第二连接孔图形层；于所述第二连接孔图形层的上表面形成栅条图形层，所述栅条图形层包括第一栅条图形、第二栅条图形、第三栅条图形及第四栅条图形，所述第一栅条图形和所述第三栅条图形沿所述第一方向依次间隔设置，所述第二栅条图形和第四栅条图形沿所述第一方向依次间隔设置；所述第一栅条图形和所述第二栅条图形沿第二方向依次间隔设置，所述第三栅条图形和所述第四栅条图形沿所述第二方向依次间隔设置；其中，所述第一有源区图形与所述第三栅条图形和所述第四栅条图形分别交叠，所述第二有源区图形与所述第一栅条图形及所述第四栅条图形分别交叠，所述第三有源区图形与所述第一栅条图形及所述第四栅条图形分别交叠，所述第四有源区图形与所述第一栅条图形及所述第二栅条图形分别交叠。5.根据权利要求4所述的灵敏放大器的版图形成方法，其特征在于，所述第一栅条图形和沿所述第二方向位于其两侧的第四有源区图形用于形成第五MOS管，所述第二栅条图形和沿所述第二方向位于其两侧的第四有源区图形用于形成第一MOS管，所述第一栅条图形和沿所述第二方向位于其两侧的第三有源区图形用于形成第三MOS管，所述第四栅条图形
和沿所述第二方向位于其两侧的第二有源区图形用于形成第四MOS管，所述第三栅条图形和沿所述第二方向位于其两侧的第一有源区图形用于形成第二MOS管，所述第四栅条图形和沿所述第二方向位于其两侧的第一有源区图形用于形成第六MOS管。6.根据权利要求4所述的灵敏放大器的版图形成方法，其特征在于，所述第二连接孔图形层包括第一连接孔图形、第二连接孔图形、第三连接孔图形、第四连接孔图形、第五连接孔图形、第六连接孔图形、第七连接孔图形、第八连接孔图形、第九连接孔图形、第十连接孔图形、第十一连接孔图形及第十二连接孔图形；所述第一连接孔图形位于所述第三栅条图形远离所述第四栅条图形一侧的第一有源区图形内；所述第二连接孔图形位于所述第三栅条图形与所述第四栅条图形之间的第一有源区图形内；所述第三连接孔图形覆盖所述第二有源区图形与所述第一栅条图形交叠形成的第一重叠区域；所述第四连接孔图形位于所述第四栅条图形远离所述第一栅条图形一侧的第二有源区图形内；所述第五连接孔图形位于所述第一栅条图形远离所述第四栅条图形一侧的第三有源区图形内；所述第六连接孔图形覆盖所述第三有源区图形与所述第四栅条图形交叠形成的第二重叠区域；所述第七连接孔图形位于所述第一栅条图形远离所述第二栅条图形一侧的第四有源区图形内；所述第八连接孔图形位于所述第一栅条图形与所述第二栅条图形之间的第四有源区图形内；所述第九连接孔图形位于所述第二栅条图形远离所述第一栅条图形一侧的第四有源区图形内；所述第十连接孔图形位于所述第四栅条图形远离所述第三栅条图形一侧的第一有源区图形内；所述第十一连接孔图形位于所述第一图形区域的第一侧，且与所述第四有源区图形间隔设置，所述第十一连接孔图形与所述第一金属接触图形电连接；所述第十二连接孔图形位于所述第一图形区域的第二侧，且与所述第一有源区图形间隔设置，所述第十二连接孔图形与所述第二金属接触图形电连接。7.根据权利要求6所述的灵敏放大器的版图形成方法，其特征在于，所述提供第一有源区版图层还包括：于所述栅条图形层的上表面形成第二导电线图形层；所述第二导电线图形层包括第一导电图形、第二导电图形、第三导电图形、第四导电图形、第五导电图形、第六导电图形、第七导电图形、第八导电图形、第九导电图形及第十导电图形；所述第一导电图形覆盖所述第一连接孔图形；所述第二导电图形覆盖所述第二连接孔图形及部分所述第三连接孔图形；所述第三导电图形覆盖所述第四连接孔图形；
所述第四导电图形覆盖所述第五连接孔图形；所述第五导电图形覆盖部分所述第六连接孔图形及所述第八连接孔图形；所述第六导电图形覆盖所述第七连接孔图形；所述第七导电图形覆盖所述第九连接孔图形；所述第八导电图形覆盖所述第十二连接孔图形及所述第二金属接触图形；所述第九导电图形覆盖所述第十连接孔图形；所述第十导电图形覆盖所述第十一连接孔图形及所述第一金属接触图形。8.根据权利要求7所述的灵敏放大器的版图形成方法，其特征在于，所述连接孔图案包括第一连接孔图案、第二连接孔图案、第三连接孔图案、第四连接孔图案、第五连接孔图案及第六连接孔图案；所述第一连接孔图案位于所述第一图形区域的第一侧的所述第六导电图形内；所述第二连接孔图案与所述第三导电图形及所述第二有源区图形均交叠；所述第三连接孔图案位于所述第一导电图形内，且与所述第一连接孔图形交叠；所述第四连接孔图案位于所述第七导电图形内，且与所述第九连接孔图形交叠；所述第五连接孔图案与所述第三有源区图形及所述第四导电图形均交叠；所述第六连接孔图案位于所述第一图形区域的第二侧的第九导电图形内。9.根据权利要求1
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3任一项所述的灵敏放大器的版图形成方法，其特征在于，所述第一导电线图形沿第二方向的长度大于或等于预设宽度阈值。10.根据权利要求1
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3任一项所述的灵敏放大器的版图形成方法，其特征在于，所述第一存储单元结构为...

【专利技术属性】
技术研发人员：李宗翰，刘志拯，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：