一种芯片的纳米银封装结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种芯片的纳米银封装结构，涉及芯片封装技术领域。包括基板和芯片，所述基板顶部开设有安装槽，安装槽槽底壁固定有铜网格板，铜网格板顶端涂覆有纳米银焊膏层，芯片放置在纳米银焊膏层的顶部，基板顶端固定有封装盒，封装盒两侧开设有多个矩形槽，一侧的矩形槽外侧设置有第一外引脚，另一侧的矩形槽内壁固定有第二外引脚。本实用新型专利技术设置有铜网格板和纳米银焊膏层，纳米颗粒具有独特的性能，其比表面积小并且表面曲率半径小，这种特性赋予了它具有比常规的粉体更低的熔点和焊接温度，利用纳米尺度下金属颗粒的高表面能、低熔点特性来实现芯片与基板的低温低压烧结互连。结互连。结互连。

【技术实现步骤摘要】
一种芯片的纳米银封装结构


[0001]本技术涉及芯片封装
，具体为一种芯片的纳米银封装结构。

技术介绍

[0002]半导体芯片是在半导体片材上进行浸蚀，布线，制成的能实现某种功能的半导体器件。不只是硅芯片，常见的还包括砷化镓，锗等半导体材料，也有属性更佳的纳米银芯片。
[0003]由于现有封装技术的限制，特别是芯片与基板的互连技术，例如银浆、聚合物材料，软钎焊等互连技术由于焊料合金的低熔点、环氧树脂的低温分解等原因，使其不能在高温环境下可靠工作，导致电力电子系统性能及可靠性降低，由于芯片整体都比较小巧，在对芯片引脚与封装引脚之间进行焊接时使得导线焊点的空洞率大，焊点强度低，易造成开裂或焊点脱落，从而导致封装质量不好。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种芯片的纳米银封装结构，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0005]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种芯片的纳米银封装结构，包括基板和芯片，所述基板顶部开设有安装槽，安装槽槽底壁固定有铜网格板，铜网格板顶端涂覆有纳米银焊膏层，芯片放置在纳米银焊膏层的顶部，基板顶端固定有封装盒，封装盒两侧开设有多个矩形槽，一侧的矩形槽外侧设置有第一外引脚，另一侧的矩形槽内壁固定有第二外引脚，第一外引脚与芯片之间通过第一连接装置相连接，第二外引脚与芯片之间通过第二连接装置相连接，安装槽的长度大于铜网格板的长度，铜网格板的一侧与靠近第一连接装置的安装槽侧壁相固定，封装盒顶部放置有顶盒。
[0006]更进一步的，所述芯片包括第一引脚和第二引脚，第一引脚两侧均一体成型有抵压块，第一引脚的端部一体成型有插板，插板的顶端和底端均开设有卡槽。
[0007]更进一步的，所述第一连接装置包括固定在封装盒外侧板的空心块，空心块与矩形槽相连通，第一外引脚与空心块内壁相固定，第一连接装置还包括与第一外引脚一体成型的承插块，承插块的顶部和底部内壁均一体成型有弹性板，弹性板与卡槽相卡接。
[0008]更进一步的，所述空心块顶部开设有第二焊料口，空心块顶端固定有与第二焊料口相连通的焊料进管，通过焊料进管向承插块与空心块所形成的间隙内填充有锡颗粒。
[0009]更进一步的，所述第二连接装置包括固定在封装盒内侧板的连接块，连接块顶部开设有插槽，连接块的两侧内壁均固定有挡板，第一引脚的宽度小于两个挡板之间的宽度，两个抵压块外侧之间的宽度大于两个挡板之间的宽度，连接块顶部设置有限位结构。
[0010]更进一步的，所述限位结构包括限位板，限位板的底端固定有多个燕尾块，连接块的侧板顶端均开设有燕尾槽，燕尾槽和燕尾块相适配，限位板顶端开设有多个第一焊料口，第一焊料口与插槽相连通，通过第一焊料口向第一引脚与第二外引脚之间形成的间隙内填充有锡颗粒。
[0011]更进一步的，所述顶盒包括盒盖，盒盖的底部侧板一体成型有L型板，L型板与侧板之间形成有U型槽，U型槽的宽度大于封装盒的宽度，盒盖顶端两侧均开设有注入孔，通过其中一个注入孔向封装盒与盒盖之间所形成的空间内注入有封装胶。
[0012]更进一步的，所述封装胶为环氧基树脂。
[0013]与现有技术相比，本技术的有益效果是：
[0014]该纳米银芯片的封装结构，设置有铜网格板和纳米银焊膏层，纳米颗粒具有独特的性能，其比表面积小并且表面曲率半径小，这种特性赋予了它具有比常规的粉体更低的熔点和焊接温度，利用纳米尺度下金属颗粒的高表面能、低熔点特性来实现芯片与基板的低温低压烧结互连，形成的纳米银互连层具有优良耐高温性能及高热导率能力，适用于芯片的封装要求，提高了其电力电子系统性能及芯片的可靠性。
[0015]另外，还设置有第一连接装置、第二连接装置和顶盒，将芯片引脚与第一外引脚和第二外引脚初步固定后,将锡颗粒通过第一焊料口和第二焊料口放入空心块和连接块内，震动夯实后放入到加热炉中进行加热，从而使锡颗粒融化，冷却后实现芯片引脚与第一外引脚和第二外引脚之间固定，这样可以防止芯片引脚与第一外引脚及第二外引脚连接处发生脱离或开裂，降低了空洞率，增强了连接强度及提高了封装质量。
附图说明
[0016]图1为本技术的左侧轴视图；
[0017]图2为本技术的部分分解图；
[0018]图3为本技术的完全分解图；
[0019]图4为本技术顶盒的半剖图；
[0020]图5为本技术芯片的轴视图；
[0021]图6为本技术去除芯片、顶盒、铜网格板及纳米银焊膏层的轴视图；
[0022]图7为本技术的半剖图。
[0023]图中：1、基板；101、安装槽；2、铜网格板；3、纳米银焊膏层；4、封装盒；5、芯片；501、第一引脚；502、抵压块；503、第二引脚；504、插板；505、卡槽；6、顶盒；601、盒盖；602、注入孔；603、L型板；7、第一连接装置；701、空心块；702、焊料进管；8、第二连接装置；801、连接块；802、插槽；803、燕尾槽；804、挡板；805、限位板；806、第一焊料口；807、燕尾块；9、第一外引脚；901、承插块；902、弹性板；10、第二外引脚；11、封堵胶。
具体实施方式
[0024]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0025]需要说明的是，在本技术的描述中，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，并不是指示或暗示所指的装置或元件所必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限
制。
[0026]此外，应当理解，为了便于描述，附图中所示出的各个部件的尺寸并不按照实际的比例关系绘制，例如某些层的厚度或宽度可以相对于其他层有所夸大。
[0027]应注意的是，相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义或说明，则在随后的附图的说明中将不需要再对其进行进一步的具体讨论和描述。
[0028]如图1
‑
图7所示，本技术提供一种技术方案：一种芯片的纳米银封装结构，包括基板1和芯片5，其中芯片5包括多个第一引脚501和与第一引脚501数量相等的多个第二引脚503，在第一引脚501两侧均一体成型有抵压块502，第一引脚501的端部一体成型有插板504，并且插板504的顶端和底端均开设有卡槽505，基板1顶部开设有安装槽101，在安装槽101槽底壁固定有铜网格板2，能理解的是，铜网格板2是使由交错方向的走线组成，使得铜网格板2中部形成有镂空本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片的纳米银封装结构，包括基板(1)和芯片(5)，其特征在于：所述基板(1)顶部开设有安装槽(101)，安装槽(101)槽底壁固定有铜网格板(2)，铜网格板(2)顶端涂覆有纳米银焊膏层(3)，芯片(5)放置在纳米银焊膏层(3)的顶部，基板(1)顶端固定有封装盒(4)，封装盒(4)两侧开设有多个矩形槽，一侧的矩形槽外侧设置有第一外引脚(9)，另一侧的矩形槽内壁固定有第二外引脚(10)，第一外引脚(9)与芯片(5)之间通过第一连接装置(7)相连接，第二外引脚(10)与芯片(5)之间通过第二连接装置(8)相连接，安装槽(101)的长度大于铜网格板(2)的长度，铜网格板(2)的一侧与靠近第一连接装置(7)的安装槽(101)侧壁相固定，封装盒(4)顶部放置有顶盒(6)。2.根据权利要求1所述的一种芯片的纳米银封装结构，其特征在于：所述芯片(5)包括第一引脚(501)和第二引脚(503)，第一引脚(501)两侧均一体成型有抵压块(502)，第一引脚(501)的端部一体成型有插板(504)，插板(504)的顶端和底端均开设有卡槽(505)。3.根据权利要求2所述的一种芯片的纳米银封装结构，其特征在于：所述第一连接装置(7)包括固定在封装盒(4)外侧板的空心块(701)，空心块(701)与矩形槽相连通，第一外引脚(9)与空心块(701)内壁相固定，第一连接装置(7)还包括与第一外引脚(9)一体成型的承插块(901)，承插块(901)的顶部和底部内壁均一体成型有弹性板(902)，弹性板(902)与卡槽(505)相卡接。4.根据权利要求3所述的一种芯片的纳米银封装结构，其特征在于：所述空心块(701)顶部开设有第二焊料口...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭跃伟，段磊，崔健，黎荣林，于长江，卢啸，刘鹏，王静辉，
申请(专利权)人：河北博威集成电路有限公司，
类型：新型
国别省市：