显示装置的制造装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供显示装置的制造装置。显示装置的制造装置包括：台；至少一个电场施加部，设置在所述台的至少一侧；以及至少一个振动产生部，设置在所述台上，并且产生声波。并且产生声波。并且产生声波。

【技术实现步骤摘要】
显示装置的制造装置


[0001]本技术涉及显示装置的制造装置。

技术介绍

[0002]随着对显示装置的关注高涨，对显示装置的研究开发正在持续进行中。

技术实现思路

[0003]要解决的技术问题
[0004]本技术要解决的技术问题是提供能够提高发光元件的对准度的显示装置的制造装置。
[0005]本技术的技术问题不限于以上提及的技术问题，本领域技术人员可以通过下面的描述清楚地理解未提及的其它技术问题。
[0006]解决方案
[0007]用于解决上述技术问题的根据一个实施例的显示装置的制造装置包括：台；至少一个电场施加部，设置在所述台的至少一侧；以及至少一个振动产生部，设置在所述台上，并且产生声波(acoustic wave)。
[0008]所述振动产生部可以包括微电极。
[0009]所述微电极可以接收交流信号，从而产生所述声波。
[0010]所述微电极可以包括彼此分离并且交替布置的第一微电极和第二微电极。
[0011]所述振动产生部还可以包括与所述第一微电极电连接的第一电极端子和与所述第二微电极电连接的第二电极端子。
[0012]所述电场施加部可以包括具有至少一个探针引脚的探针头。
[0013]其它实施例的具体事项包括在详细说明及附图中。
[0014]有益效果
[0015]根据本技术的实施例，可以在对准发光元件的过程中，向各像素区域施加声波，以将发光元件从基板隔开。因此，发光元件可以在从基板隔开的状态下容易地对准，并以对准完成的状态安置在基板上。即，可以防止发光元件以未对准的状态在发光元件墨水中沉降并安置在基板上，因此可以提高发光元件的对准度。
[0016]根据实施例的效果不限于以上例示的内容，且更多种效果包括在本说明书中。
附图说明
[0017]图1和图2是示出根据一个实施例的发光元件的透视图和剖视图。
[0018]图3是示出根据一个实施例的显示装置的平面图。
[0019]图4是示出根据一个实施例的像素的电路图。
[0020]图5和图6是示出根据一个实施例的像素的剖视图。
[0021]图7是示意性地示出根据一个实施例的显示装置的制造装置的剖视图。
[0022]图8至图18是用于说明根据一个实施例的显示装置的制造方法的各工艺步骤的剖视图。
具体实施方式
[0023]本技术的优点和特征以及实现这些优点和特征的方法将通过参照下面与附图一起详细描述的实施例而变得清楚。然而，本技术并不限于以下所公开的实施例，而是能够以彼此不同的多种形态实现，本实施例只是为了使本技术的公开完整，并向本技术所属
的普通技术人员完整地告知技术的范围而提供的，本技术仅由权利要求书的范围限定。
[0024]本说明书中使用的术语是为了说明实施例，并不是为了限制本技术。在本说明书中，除非在句中特别提及，单数形式也包括复数形式。说明书中使用的“包括(comprises)”和/或“包含(comprising)”不排除除了所提及的构成要素、步骤、操作和/或元件之外存在或增加一个以上的其他构成要素、步骤、操作和/或元件。。
[0025]此外，“连接”或“衔接”可以包括性地意指物理的和/或电的连接或衔接。此外，这可以包括性地意指直接的或间接的连接或衔接以及一体的或非一体的连接或衔接。
[0026]元件(elements)或层被称为在另一个元件或层“上(on)”不仅包括其在另一个元件或层的正上方，而且还包括其它层或其它元件介于中间的情况。在整个说明书中，相同的附图标记指代相同的构成要素。
[0027]虽然“第一”、“第二”等用于描述各种构成要素，但是这些构成要素显然不被这些术语所限制。这些术语仅用于区分一个构成要素与另一个构成要素。因此，以下提及的第一构成要素在本技术的技术思想之内显然也可以是第二构成要素。
[0028]以下，参照附图详细说明本技术的实施例。
[0029]图1和图2是示出根据一个实施例的发光元件的透视图和剖视图。尽管在图1和图2中示出了柱形发光元件LD，但是发光元件LD的种类和/或形状不限于此。
[0030]参照图1和图2，发光元件LD可以包括第一半导体层11、有源层12、第二半导体层13和/或电极层14。
[0031]发光元件LD可以形成为沿着一个方向延伸的柱的形状。发光元件LD可以具有第一端部EP1和第二端部EP2。发光元件LD的第一端部EP1上可以布置有第一半导体层11和第二半导体层13中的一个。发光元件LD的第二端部EP2上可以布置有第一半导体层11和第二半导体层13中的剩下一个。例如，发光元件LD的第一端部EP1上可以布置有第一半导体层11，且发光元件LD的第二端部EP2上可以布置有第二半导体层13。
[0032]根据实施例，发光元件LD可以是通过蚀刻方式等制造成柱的形状的发光元件。在本说明书中，柱的形状包括诸如圆柱或多边形柱的纵横比大于1的杆状形状(rod
‑
like shape)或棒状形状(bar
‑
like shape)，并且其截面的形状不受限制。
[0033]发光元件LD可以具有小到纳米级至微米级程度的大小。例如，发光元件LD可以具有分别在纳米级至微米级范围内的直径D(或宽度)和/或长度L。然而，发光元件LD的大小不限于此，且发光元件LD的大小可以根据将使用发光元件LD的发光装置用作光源的各种装置、例如显示装置等的设计条件而不同地改变。
[0034]第一半导体层11可以是第一导电型的半导体层。例如，第一半导体层11可以包括p
型半导体层。例如，第一半导体层11可以包括InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN、InN中的至少一种半导体材料，并且可以包括掺杂有诸如Mg等的第一导电型掺杂剂的p型半导体层。然而，构成第一半导体层11的物质不限于此，且除此之外，各种物质可以构成第一半导体层11。
[0035]有源层12可以布置在第一半导体层11与第二半导体层13之间，并且可以形成为单量子阱(single
‑
quantum well)或多量子阱结构(multi
‑
quantum well)。有源层12的位置可以根据发光元件LD的种类不同地改变。根据实施例，AlGaN、InAlGaN等物质可以用于形成有源层12，且除此之外，各种物质可以构成有源层12。有源层12的上部和/或下部可以形成有掺杂有导电掺杂剂的包层(未示出)。例如，包层可以由AlGaN或InAlGaN形成。
[0036]第二半导体层13可以布置在有源层12上，并且可以包括与第一半导体层11不同的类型的半导体层。第二半导体层13可以包括n型半导体层。例如，第二半导体层13可以包括InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN、InN中的任何一种半导体材料，并且可以包括掺杂本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.显示装置的制造装置，其特征在于，包括：台，提供布置基板的空间；至少一个电场施加部，设置在所述台的至少一侧，并且在所述基板上形成电场；以及至少一个振动产生部，设置在所述台上，并且产生表面声波，使得提供到所述基板上的发光元件向上移动从而在与所述基板隔开的状态下通过所述电场对准。2.根据权利要求1所述的显示装置的制造装置，其特征在于，所述振动产生部包括微电极。3.根据权利要求2所述的显示装置的制造装置，其特征在于，所述微...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩政洹，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：新型
国别省市：