本发明专利技术属于模拟集成电路设计技术领域，尤其涉及一种低功耗的低压差稳压器。包括基准电路和交叉耦合式LDO电路，基准电路的输出端与交叉耦合式LDO电路的输入端连接；基准电路能够为交叉耦合式LDO电路提供nA级别的静态电流和基准电压；交叉耦合式LDO电路将基准电路输入的基准电压稳定输出至交叉耦合式LDO电路的输出端。本发明专利技术采用了基准电路和交叉耦合式LDO电路，通过基准电路能够为交叉耦合式LDO电路提供nA级别的静态电流，从而降低低压差稳压器中的静态电流，实现低压差稳压器的低功耗，交叉耦合式LDO电路通过交叉耦合结构将基准电路输入的电压转换到输出端，电路中不使用电阻，从而实现小版图。从而实现小版图。从而实现小版图。
【技术实现步骤摘要】
一种低功耗的低压差稳压器
[0001]本专利技术属于模拟集成电路设计
，尤其涉及一种低功耗的低压差稳压器。
技术介绍
[0002]低压差稳压器在各种系统中都极其重要，通常用于产生稳定的电压来为系统供电。采用CMOS工艺实现的低压差稳压器一直被不断地进行着供电效率的优化。
[0003]传统的低压差稳压器如图1所示，电路中运放结构与电阻网络的作用，使得输出电压与输入电压成一定比例，得到稳定输出电压VOUT，C1用于调节电路的相位裕度。但是该电路结构有个缺点，VOUT的值通常在1V以上，若要整体电路静态电流较小，所使用电阻的阻值就要很大。若要实现几nA级别的电流，则要有几百MΩ的电阻，版图上要耗费相当大的面积。考虑流片成本，若要保持版图面积较小，所使用的电阻阻值就不能太大，静态电流就会变得很大。
技术实现思路
[0004]本专利技术提供了一种低功耗的低压差稳压器，解决了传统结构中小版图与低功耗不可兼得的问题。
[0005]本专利技术采用了如下技术方案：一种低功耗的低压差稳压器，包括基准电路和交叉耦合式LDO电路，所述基准电路的输出端与所述交叉耦合式LDO电路的输入端连接；所述基准电路能够为所述交叉耦合式LDO电路提供nA级别的静态电流和基准电压；所述交叉耦合式LDO电路通过交叉耦合结构将基准电路输入的基准电压稳定输出至交叉耦合式LDO电路的输出端。
[0006]进一步地，所述基准电路包括第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第五MOS管M5、第六MOS管M6、第七MOS管M7、第八MOS管M8、第九MOS管M9、第十MOS管M10、第十一MOS管M11、第一电阻R1、第二电阻R2、第一三极管T1、第二三极管T2、第三三极管T3；所述第五MOS管M5的栅极分别与所述第六MOS管M6的栅极、第三MOS管M3的漏极、第一MOS管M1的漏极、第八MOS管M8的栅极、第十MOS管M10的栅极连接，所述第五MOS管M5的源极连接供电电源，第五MOS管M5的漏极连接第三MOS管M3的源极，所述第三MOS管M3的栅极连接第二MOS管M2的源极，所述第一MOS管M1的栅极连接第二MOS管M2的栅极与漏极，第一MOS管M1的源极分别连接第四MOS管M4的栅极、第七MOS管M7的栅极、第九MOS管M9的栅极和第一电阻R1的一端，所述第一电阻R1的另一端与所述第一三极管T1的发射极，所述第一三极管T1的集电极连接信号地，所述第一三极管T1的基极分别连接所述第二三极管T2的基极和信号地；第六MOS管M6的源极连接供电电源，所述第六MOS管M6的漏极连接第四MOS管M4的栅极，第四MOS管M4的漏极连接第二MOS管M2的漏极，第二MOS管M2的源极连接第二三极管T3
的发射极，所述第二三极管T3的集电极连接信号地；所述第八MOS管M8的源极连接供电电源，所述第八MOS管M8的漏极与所述第七MOS管M7的源极，第七MOS管M7的漏极连接第二电阻R2的一端，所述第二电阻R2的另一端连接所述第三三极管T3的发射极，所述第三三极管T3的集电极与基极均连接信号地；所述第十MOS管M10的源极连接供电电源，所述第十MOS管M10的漏极连接所述第九MOS管M9的源极，所述第九MOS管M9的漏极连接所述第十一MOS管M11的栅极与漏极，所述第十一MOS管M11的源极连接信号地。
[0007]进一步地，所述交叉耦合式LDO电路包括第十二MOS管M12、第十三MOS管M13、第十四MOS管M14、第十五MOS管M15、第十六MOS管M16、第十七MOS管M17、第十八MOS管M18、第十九MOS管M19、第二十MOS管M20、第二十一MOS管M21、第二十二MOS管M22、第二十三MOS管M23、第二十四MOS管M24；所述第十四MOS管M14的源极分别连接所述第十五MOS管M15的源极、第十六MOS管M16的源极，所述第十四MOS管M14的栅极分别连接第十五MOS管M15的栅极和漏极，所述第十四MOS管M14的漏极分别连接第十八MOS管M18的漏极和栅极，所述第十八MOS管M18的源极连接信号地；所述第十五MOS管M15的分别源极连接第二十四MOS管M24的漏极和第十七MOS管M17的源极，所述第十二MOS管M12的漏极连接所述第十五MOS管M15的漏极，第十二MOS管M12的栅极连接第十三MOS管M13的栅极，所述第十二MOS管M12的源极连接信号地；所述第十六MOS管M16的栅极与漏极均连接所述第十七MOS管M16的栅极，所述第十三MOS管M13的漏极连接第十六MOS管M16的漏极，所述第十三MOS管M13的源极连接信号地；所述第二十四MOS管M24的源极连接供电电源，第二十四MOS管M24的栅极连接所述第二十二MOS管M22的漏极，所述第十七MOS管M17的漏极连接所述第二十MOS管M20的漏极和栅极，第二十MOS管M20的源极连接信号地；所述第二十二MOS管M22的源极连接供电电源，所述第二十二MOS管M22的栅极连接第二十三MOS管M23的栅极和漏极，所述第二十二MOS管M22的漏极连接第十九MOS管M19的漏极，所述第十九MOS管M19的栅极连接第十八MOS管M18的栅极，第十九MOS管M19的源极连接信号地；所述第二十三MOS管M23的源极连接供电电源，所述第二十三MOS管M23的漏极连接第二十一MOS管M21的漏极，所述第二十一MOS管M21的栅极连接第二十MOS管M20的栅极，所述第二十一MOS管M21的源极连接信号地。
[0008]进一步地，所述第二十四MOS管M24的漏极与栅极之间设有第一电容C1。
[0009]本专利技术的有益效果：本专利技术采用了基准电路和交叉耦合式LDO电路，通过基准电路能够为交叉耦合式LDO电路提供nA级别的静态电流，从而降低低压差稳压器中的静态电流，实现低压差稳压器的低功耗，交叉耦合式LDO电路通过交叉耦合结构将基准电路输入的电压转换到输出端，电路中不使用电阻，从而实现小版图。
附图说明
[0010]图1是现有技术中低压差稳压器的结构图。
[0011]图2是本专利技术的低压差稳压器的结构图。
具体实施方式
[0012]为了使本领域技术人员更好地理解本专利技术方案，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本专利技术保护的范围。
[0013]在本专利技术的实施例中，图2是根据本专利技术一种低功耗的低压差稳压器的具体结构提供的结构示意图，如图2所示，本专利技术包括基准电路21和交叉耦合式LDO电路22，所述基准电路的输出端与所述交叉耦合式LDO电路的输入端连接；所述基准电路21能够为所述交叉耦合式LDO电路22提供nA级别的静态电流和基准电压，所述交叉耦合式LDO电路22通过交叉耦合结构将基准电路21输入的基准电压稳定输出至交叉耦合式LDO电路的本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种低功耗的低压差稳压器，其特征在于，包括基准电路（21）和交叉耦合式LDO电路（22），所述基准电路的输出端与所述交叉耦合式LDO电路的输入端连接；所述基准电路（21）能够为所述交叉耦合式LDO电路（22）提供nA级别的静态电流和基准电压；所述交叉耦合式LDO电路（22）通过交叉耦合结构将基准电路（21）输入的基准电压稳定输出至交叉耦合式LDO电路的输出端。2.如权利要求1所述的低功耗的低压差稳压器，其特征在于，所述基准电路（21）包括第一MOS管（M1）、第二MOS管（M2）、第三MOS管（M3）、第四MOS管（M4）、第五MOS管（M5）、第六MOS管（M6）、第七MOS管（M7）、第八MOS管（M8）、第九MOS管（M9）、第十MOS管（M10）、第十一MOS管（M11）、第一电阻（R1）、第二电阻（R2）、第一三极管（T1）、第二三极管（T2）、第三三极管（T3）；所述第五MOS管（M5）的栅极分别与所述第六MOS管（M6）的栅极、第三MOS管（M3）的漏极、第一MOS管（M1）的漏极、第八MOS管（M8）的栅极、第十MOS管（M10）的栅极连接，所述第五MOS管（M5）的源极连接供电电源，第五MOS管（M5）的漏极连接第三MOS管（M3）的源极，所述第三MOS管（M3）的栅极连接第二MOS管（M2）的源极，所述第一MOS管（M1）的栅极连接第二MOS管（M2）的栅极与漏极，第一MOS管（M1）的源极分别连接第四MOS管（M4）的栅极、第七MOS管（M7）的栅极、第九MOS管（M9）的栅极和第一电阻（R1）的一端，所述第一电阻（R1）的另一端与所述第一三极管（T1）的发射极，所述第一三极管（T1）的集电极连接信号地，所述第一三极管（T1）的基极分别连接所述第二三极管（T2）的基极和信号地；第六MOS管（M6）的源极连接供电电源，所述第六MOS管（M6）的漏极连接第四MOS管（M4）的栅极，第四MOS管（M4）的漏极连接第二MOS管（M2）的漏极，第二MOS管（M2）的源极连接第二三极管（T3）的发射极，所述第二三极管（T3）的集电极连接信号地；所述第八MOS管（M8）的源极连接供电电源，所述第八MOS管（M8）的漏极与所述第七MOS管（M7）的源极，第七MOS管（M7）的漏极连接第二电阻（R2）的一端，所述第二电阻（R2）的另一端连接所述第三三极管（T3）的发射极，所述第三三极管（T3）的集电极与基极均连接信号地；所述第十MOS管（M10）的源极连接供电电源，所述第十MOS管（M10）的漏极连接所述第九MOS管（M9）的源极，所述第九MOS管（M9）的漏极连接所述第十一MOS管（M11）的栅极与漏...
【专利技术属性】
技术研发人员：李景旺，于云丰，
申请(专利权)人：南京中科微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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