一种高压真空陶瓷电容组件及其柱上开关制造技术

本发明专利技术提供了一种高压真空陶瓷电容组件及其柱上开关，包括：壳体组件；陶瓷电容，陶瓷电容包括高压电极和低压电极；高压端子，高压端子的一端焊接于高压电极，另一端插设且焊接于壳体组件；低压端子，低压端子的一端焊接于低压电极，另一端插设且焊接于壳体组件；其中，壳体组件、高压端子和低压端子构成密闭的真空腔体，陶瓷电容设置于真空腔体。根据本实施例的技术方案，由于真空的绝缘强度高于环氧树脂，能够在不改变陶瓷电容的容值和提及的情况下增大电气距离和爬电距离，减少电气故障率，同时，壳体组件阻隔了环氧树脂面与陶瓷面的结合，避免了陶瓷面与环氧树脂面出现沿面击穿，有效提高了柱上开关的生产良品率。有效提高了柱上开关的生产良品率。有效提高了柱上开关的生产良品率。

【技术实现步骤摘要】
一种高压真空陶瓷电容组件及其柱上开关


[0001]本专利技术属于电气设备
，尤其涉及一种高压真空陶瓷电容组件及其柱上开关。

技术介绍

[0002]陶瓷电容是柱上开关的常用器件，设置在柱上开关的环氧树脂层内。由于陶瓷电容的陶瓷面与环氧树脂层直接接触，并且陶瓷电容的电容量通常较大，在制造工艺的限制以及柱上开关体积较小的情况下，陶瓷电容的高压电极与低压电极之间的电气距离和爬电距离较小，造成陶瓷电容沿面电场强度较大，在柱上开关的制造和使用过程中容易发生局部放电和沿面击穿等故障，影响柱上开关的良品率和生产效率。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例提供了一种高压真空陶瓷电容组件及其柱上开关，能够降低陶瓷电容的电气故障率，提高柱上开关的良品率和生产效率。
[0004]第一方面，本专利技术实施例提供了一种高压真空陶瓷电容组件，包括：
[0005]壳体组件；
[0006]陶瓷电容，所述陶瓷电容包括高压电极和低压电极；
[0007]高压端子，所述高压端子的一端焊接于所述高压电极，另一端插设且焊接于所述壳体组件；
[0008]低压端子，所述低压端子的一端焊接于所述低压电极，另一端插设且焊接于所述壳体组件；
[0009]其中，所述壳体组件、所述高压端子和所述低压端子构成密闭的真空腔体，所述陶瓷电容设置于所述真空腔体。
[0010]在一些实施例中，所述壳体组件包括：
[0011]环形壳体，所述环形壳体包括第一开口和第二开口，所述第一开口和所述第二开口位于所述环形壳体相对的两端；
[0012]第一端盖，所述第一端盖焊接于所述第一开口，所述高压端子插设且焊接于所述第一端盖；
[0013]第二端盖，所述第二端盖焊接于所述第二开口，所述低压端子插设于所述第二端盖；
[0014]其中，所述环形壳体、第一端盖、第二端盖、所述高压端子和所述低压端子构成所述真空腔体。
[0015]在一些实施例中，所述第一端盖和所述第二端盖为凹型结构，所述第一端盖的外壁焊接于所述环形壳体的内壁，所述第二端盖的外壁焊接于所述环形壳体的内壁。
[0016]在一些实施例中，所述环形壳体为环形瓷壳。
[0017]在一些实施例中，还包括：
[0018]屏蔽环，所述屏蔽环设置于所述真空腔体，所述屏蔽环围设于所述陶瓷电容的外侧，所述屏蔽环焊接于所述环形壳体的内壁。
[0019]在一些实施例中，还包括：
[0020]硅橡胶套，所述硅橡胶套套接于所述壳体组件、所述高压端子和所述低压端子的外侧，所述高压端子和所述低压端子的一端外露于所述硅橡胶套。
[0021]第二方面，本专利技术实施例还提供了一种柱上开关，包括如第一方面所述的高压真空陶瓷电容组件。
[0022]在一些实施例中，还包括：
[0023]极柱；
[0024]环氧树脂层，所述环氧树脂层位于所述极柱内，所述高压真空陶瓷电容组件位于所述环氧树脂层内。
[0025]在一些实施例中，还包括：
[0026]高压引线，所述高压引线位于所述环氧树脂层内，所述高压引线连接于所述高压端子；
[0027]低压引线，所述低压引线位于所述环氧树脂层内，所述低压引线连接于所述低压端子。
[0028]在一些实施例中，还包括：
[0029]带电体，所述带电体设置于所述极柱与所述环氧树脂层之间，所述高压真空陶瓷电容组件位于所述环氧树脂层内远离所述带电体的一侧。
[0030]本专利技术实施例包括：壳体组件；陶瓷电容，所述陶瓷电容包括高压电极和低压电极；高压端子，所述高压端子的一端焊接于所述高压电极，另一端插设且焊接于所述壳体组件；低压端子，所述低压端子的一端焊接于所述低压电极，另一端插设且焊接于所述壳体组件；其中，所述壳体组件、所述高压端子和所述低压端子构成密闭的真空腔体，所述陶瓷电容设置于所述真空腔体。根据本实施例的技术方案，由于真空的绝缘强度高于环氧树脂，能够在不改变陶瓷电容的容值和提及的情况下增大电气距离和爬电距离，减少电气故障率，同时，壳体组件阻隔了环氧树脂面与陶瓷面的结合，避免了陶瓷面与环氧树脂面出现沿面击穿，有效提高了柱上开关的生产良品率。
[0031]本专利技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
[0032]附图用来提供对本专利技术技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本专利技术的实施例一起用于解释本专利技术的技术方案，并不构成对本专利技术技术方案的限制。
[0033]图1是本专利技术一个实施例提供的高压真空陶瓷电容组件的剖面示意图；
[0034]图2是本专利技术另一个实施例提供的柱上开关的局部剖面示意图。
具体实施方式
[0035]为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对
本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。
[0036]需要说明的是，虽然在装置示意图中进行了功能模块划分，在流程图中示出了逻辑顺序，但是在某些情况下，可以以不同于装置中的模块划分，或流程图中的顺序执行所示出或描述的步骤。说明书、权利要求书或上述附图中的术语“第一”、“目标”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。
[0037]本专利技术提供了一种高压真空陶瓷电容组件，包括：壳体组件；陶瓷电容，陶瓷电容包括高压电极和低压电极；高压端子，高压端子的一端焊接于高压电极，另一端插设且焊接于壳体组件；低压端子，低压端子的一端焊接于低压电极，另一端插设且焊接于壳体组件；其中，壳体组件、高压端子和低压端子构成密闭的真空腔体，陶瓷电容设置于真空腔体。根据本实施例的技术方案，由于真空的绝缘强度高于环氧树脂，能够在不改变陶瓷电容的容值和提及的情况下增大电气距离和爬电距离，减少电气故障率，同时，壳体组件阻隔了环氧树脂面与陶瓷面的结合，避免了陶瓷面与环氧树脂面出现沿面击穿，有效提高了柱上开关的生产良品率。
[0038]如图1所示，图1是本专利技术一个实施例提供的一种高压真空陶瓷电容组件的剖面示意图，本实施例的高压真空陶瓷电容组件10包括：
[0039]第一方面，本专利技术实施例提供了一种高压真空陶瓷电容组件，包括：
[0040]壳体组件；
[0041]陶瓷电容11，陶瓷电容11包括高压电极111和低压电极112；
[0042]高压端子12，高压端子12的一端焊接于高压电极111，另一端插设且焊接于壳体组件；
[0043]低压端子13，低压端子13的一端焊接于低压电极112，另一端插设且焊接于壳体组件；
[0044]其中，壳体组件、高压端子12和低压端子13构成密闭的真空腔体19，陶瓷电容11设置于真空腔体19。
[0045]需要说明的是，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高压真空陶瓷电容组件，其特征在于，包括：壳体组件；陶瓷电容，所述陶瓷电容包括高压电极和低压电极；高压端子，所述高压端子的一端焊接于所述高压电极，另一端插设且焊接于所述壳体组件；低压端子，所述低压端子的一端焊接于所述低压电极，另一端插设且焊接于所述壳体组件；其中，所述壳体组件、所述高压端子和所述低压端子构成密闭的真空腔体，所述陶瓷电容设置于所述真空腔体。2.根据权利要求1所述的高压真空陶瓷电容组件，其特征在于，所述壳体组件包括：环形壳体，所述环形壳体包括第一开口和第二开口，所述第一开口和所述第二开口位于所述环形壳体相对的两端；第一端盖，所述第一端盖焊接于所述第一开口，所述高压端子插设且焊接于所述第一端盖；第二端盖，所述第二端盖焊接于所述第二开口，所述低压端子插设于所述第二端盖；其中，所述环形壳体、第一端盖、第二端盖、所述高压端子和所述低压端子构成所述真空腔体。3.根据权利要求2所述的高压真空陶瓷电容组件，其特征在于：所述第一端盖和所述第二端盖为凹型结构，所述第一端盖的外壁焊接于所述环形壳体的内壁，所述第二端盖的外壁焊接于所述环形壳体的内壁。4.根据权利要求2所述的高压真空陶瓷电容组件，其特征在于：所述环形壳...

【专利技术属性】
技术研发人员：武可，周斌，钟子华，李斐刚，高艳辉，李旭光，
申请(专利权)人：珠海许继电气有限公司，
类型：发明
国别省市：