一种包含降低电压的ITO溅镀方法的LED芯片生产工艺技术

本发明专利技术涉及半导体制备技术领域，具体涉及一种包含降低电压的ITO溅镀方法的LED芯片生产工艺，包括以下步骤：S2：将Wafer放置溅射机的溅射盘上，以60

【技术实现步骤摘要】
一种包含降低电压的ITO溅镀方法的LED芯片生产工艺


[0001]本专利技术涉及半导体制备
，具体涉及一种包含降低电压的ITO溅镀方法的LED芯片生产工艺。

技术介绍

[0002]氮化镓基发光二极管(Light Emitting Diode，LED)具有功能损耗低、寿命长、可靠性好等优点被广泛应用于信号灯、背光源显示、汽车照明及室内照明等领域。
[0003]降低LED芯片的工作电压可以提升芯片的发光效率。LED芯片中在P层和P极之间通常设置一层ITO，ITO扩散流过P层的电流，提高LED芯片的发光量。
[0004]但是专利技术人发现ITO的设置严重提高了LED芯片的工作电压，造成LED芯片发光量不足的问题。
[0005]而目前有关通过ITO溅镀方法来控制LED工作电压的方法(如公开号为CN103186309A的中国专利)是通过真空磁镀或黄光光刻工艺等方式来实现的。

技术实现思路

[0006]本专利技术所要解决的技术问题是：一种包含降低电压的ITO溅镀方法的LED芯片生产工艺，其降低LED芯片的工作电压。
[0007]为了解决上述技术问题，本专利技术采用的一种技术方案为：一种包含降低电压的ITO溅镀方法的LED芯片生产工艺，包括以下步骤：S1：在蓝宝石衬底上依次生产N层、量子阱和P层，得到Wafer1；
[0008]S2：将Wafer放置溅射机的溅射盘上，以60
‑
100W的DC功率，210
‑
290W的RF功率，400<br/>‑
600S/R的溅射盘转速，溅射1圈的ITO；
[0009]S3：以110
‑
170W的DC功率，350
‑
470W的RF功率，8
‑
12S/R的溅射盘转速，溅射50
‑
70圈ITO；完成降低电压的ITO溅镀。
[0010]本专利技术的有益效果在于：本专利技术提供的包含降低电压的ITO溅镀方法的LED芯片生产工艺在溅镀ITO时，参照S2，以非常低的DC功率、非常低的RF功率，非常低的溅射盘转速，先溅镀一层ITO；第一层ITO作为溅镀保护层，为了提高溅镀ITO的效率，后续溅镀ITO需要提高DC功率、RF功率和溅镀盘转速；溅镀保护层能尽可能避免后续提高溅镀功率后P层损伤。
[0011]S3中的DC功率、RF功率和溅射盘转速仍然较低，避免P层被破坏。
[0012]本专利技术提供的包含降低电压的ITO溅镀方法的LED芯片生产工艺中，本领域技术人员难以发现减低溅镀盘转速也能避免P层被溅镀ITO时的损伤，分两个步骤溅镀ITO以及降低ITO的溅镀功率保护了P层，降低了LED芯片的工作电压；具有显著的进步。
具体实施方式
[0013]为详细说明本专利技术的
技术实现思路
、所实现目的及效果，以下结合实施方式予以说明。
[0014]本专利技术提供一种包含降低电压的ITO溅镀方法的LED芯片生产工艺，包括以下步
骤：
[0015]S1：在蓝宝石衬底上依次生产N层、量子阱和P层，得到Wafer1；
[0016]S2：将Wafer放置溅射机的溅射盘上，以60
‑
100W的DC功率，210
‑
290W的RF功率，400
‑
600S/R的溅射盘转速，溅射1圈的ITO；
[0017]S3：以110
‑
170W的DC功率，350
‑
470W的RF功率，8
‑
12S/R的溅射盘转速，溅射50
‑
70圈ITO；完成降低电压的ITO溅镀。
[0018]专利技术人潜心研究发现，设置ITO提高LED芯片工作电压的原因在于：溅镀ITO时，ITO分子动能过大而轰击P层表面，造成了P层表面不可逆的伤害。
[0019]由上描述可知，为了解决上述问题，本专利技术提供的包含降低电压的ITO溅镀方法的LED芯片生产工艺在溅镀ITO时，参照S2，以非常低的DC功率、非常低的RF功率，非常低的溅射盘转速，先溅镀一层ITO；第一层ITO作为溅镀保护层，为了提高溅镀ITO的效率，后续溅镀ITO需要提高DC功率、RF功率和溅镀盘转速；溅镀保护层能尽可能避免后续提高溅镀功率后P层损伤。
[0020]S3中的DC功率、RF功率和溅射盘转速仍然较低，避免P层被破坏。
[0021]本专利技术提供的包含降低电压的ITO溅镀方法的LED芯片生产工艺中，本领域技术人员难以发现减低溅镀盘转速也能避免P层被溅镀ITO时的损伤，分两个步骤溅镀ITO以及降低ITO的溅镀功率保护了P层，降低了LED芯片的工作电压；具有显著的进步。
[0022]进一步地，所述S1具体为：
[0023]在蓝宝石衬底上依次生产N层、量子阱和P层，使用光刻工艺刻蚀P层和量子阱，使N层表面裸露，在P层上沉积二氧化硅，刻蚀二氧化硅边沿，使P层边沿裸露出，得到Wafer1。
[0024]由上描述可知，使N层表面裸露方便后续N极设置在N层上。
[0025]进一步地，还包括S4；
[0026]S4：刻蚀ITO边沿，ITO边沿距离P层边沿10
‑
20微米。
[0027]由上描述可知，上述步骤避免LED芯片漏电。
[0028]进一步地，还包括S5；
[0029]S5：在ITO上蒸镀P极，在裸露的N层上蒸镀N极，得到Wafer2。
[0030]由上描述可知，上述设置提供一种简单高效的蒸镀LED芯片电极的方法。
[0031]进一步地，还包括S6；
[0032]S6：在Wafer2上沉积二氧化硅。
[0033]由上描述可知，此步骤的二氧化硅作为LED芯片的保护层，避免LED芯片漏电，以及避免LED芯片受物理损伤。
[0034]进一步地，还包括S7；
[0035]S7：所述S1的“沉积二氧化硅，刻蚀二氧化硅边沿，使P层边沿裸露出”得到电流阻挡层；ITO覆盖在P层和电流阻挡层上，所述S5的“在Wafer2上沉积二氧化硅”得到保护层；P极在电流阻挡层正上方，在保护层上刻蚀N极开孔和P极开孔，使N极和P极表面裸露出，得到LED芯片。
[0036]由上描述可知，提供一种的开设电极开孔的方法；并限定电流阻挡层和ITO的关系。
[0037]实施例一
[0038]本实施例提供一种包含降低电压的ITO溅镀方法的LED芯片生产工艺，包括如下步骤：
[0039]S1：在蓝宝石衬底上依次生产N层、量子阱和P层，使用光刻工艺刻蚀P层和量子阱，使N层表面裸露，在P层上沉积二氧化硅，刻蚀二氧化硅边沿，使P层边沿裸露出，得到Wafer1；
[0040]S2：将Wafer1放置溅射机的溅射盘上，以60
‑
100W的DC功率，210
‑
290W的RF功率，400
‑
600S/R的溅射盘转速，溅射1圈的ITO；本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种包含降低电压的ITO溅镀方法的LED芯片生产工艺，其特征在于，包括以下步骤：S1：在蓝宝石衬底上依次生产N层、量子阱和P层，得到Wafer1；S2：将Wafer放置溅射机的溅射盘上，以60
‑
100W的DC功率，210
‑
290W的RF功率，400
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600S/R的溅射盘转速，溅射1圈的ITO；S3：以110
‑
170W的DC功率，350
‑
470W的RF功率，8
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12S/R的溅射盘转速，溅射50
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70圈ITO；完成降低电压的ITO溅镀。2.根据权利要求1所述的包含降低电压的ITO溅镀方法的LED芯片生产工艺，其特征在于，所述S1具体为：在蓝宝石衬底上依次生产N层、量子阱和P层，使用光刻工艺刻蚀P层和量子阱，使N层表面裸露，在P层上沉积二氧化硅，刻蚀二氧化硅边沿，使P层边沿裸露出，...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴永胜，李刚，尚大可，
申请(专利权)人：福建兆元光电有限公司，
类型：发明
国别省市：