绝缘栅双极型晶体管的制备方法技术

本申请涉及一种绝缘栅双极型晶体管的制备方法，包括：提供第一基片及第二基片，第一基片包括第一表面；自第一基片的第一表面对其进行注入，形成绝缘栅双极型晶体管的背面结构；于第二基片上形成牺牲层；通过牺牲层，将第二基片键合至第一基片形成有背面结构的一侧；于第一基片的远离第二基片的一侧形成绝缘栅双极型晶体管的正面结构；去除牺牲层，将第二基片与第一基片分离。本申请使背面结构的制作工艺更简单，减少了用于制作绝缘栅双极型晶体管的背面结构的设备花费。的背面结构的设备花费。的背面结构的设备花费。

【技术实现步骤摘要】
绝缘栅双极型晶体管的制备方法


[0001]本申请涉及半导体
，特别是涉及一种绝缘栅双极型晶体管的制备方法。

技术介绍

[0002]随着半导体技术的发展，传统的逆导型绝缘栅双极型晶体管结构具有厚度极薄的特点。
[0003]然而，传统的逆导型绝缘栅双极型晶体管结构存在背面工艺(包括高能注入、高温退火)难度过高，背面结构的加工设备昂贵的问题。

技术实现思路

[0004]基于此，有必要针对传统技术中的背面工艺难度过高，背面结构的加工设备昂贵的问题提供一种绝缘栅双极型晶体管的制备方法。
[0005]为了实现上述目的，本申请提供了一种绝缘栅双极型晶体管的制备方法，提供第一基片及第二基片，所述第一基片包括第一表面；
[0006]自所述第一基片的第一表面对其进行注入，形成所述绝缘栅双极型晶体管的背面结构；
[0007]于所述第二基片上形成牺牲层；
[0008]通过所述牺牲层，将所述第二基片键合至所述第一基片形成有所述背面结构的一侧；
[0009]于所述第一基片的远离所述第二基片的一侧形成所述绝缘栅双极型晶体管的正面结构；
[0010]去除所述牺牲层，将所述第二基片与所述第一基片分离。
[0011]上述绝缘栅双极型晶体管的制备方法，先于第一基片的第一表面上完成绝缘栅双极型晶体管的背面结构，后于第一基片上完成绝缘栅双极型晶体管的正面结构，使背面结构的制作工艺更简单，减少了用于制作绝缘栅双极型晶体管的背面结构的设备花费。
[0012]牺牲层可以方便第一基片与第二基片的键合及分离。同时，牺牲层将第二基片与第一基片上形成的背面结构分隔开，从而可以在去除第二基片的过程中，有效防止第一基片上形成的背面结构受到误伤。
[0013]在其中一个实施例中，所述牺牲层包括第一氧化层，于所述第二基片上形成牺牲层，包括如下步骤：
[0014]对所述第二基片进行热氧化处理，以于所述第二基片表面形成所述第一氧化层。
[0015]在其中一个实施例中，去除所述牺牲层，将所述第二基片与第一基片分离，包括如下步骤：
[0016]对所述第二基片远离所述第一基片的一侧进行减薄；
[0017]通过第一腐蚀液去除所述第二基板的剩余部分；
[0018]通过第二腐蚀液去除所述牺牲层。
[0019]在其中一个实施例中，所述对所述第二基片远离所述第一基片的一侧进行减薄，包括：
[0020]对所述第二基片远离所述第一基片的一侧进行机械减薄。
[0021]在其中一个实施例中，自所述第一基片的第一表面对其进行注入，形成所述绝缘栅双极型晶体管的背面结构，包括如下步骤：
[0022]自所述第一基片的第一表面对其进行离子注入，形成缓冲层；
[0023]于缓冲层表面形成注入阻挡层，所述注入阻挡层内具有开口，所述开口暴露出所述缓冲层；
[0024]基于所述注入阻挡层对所述缓冲层进行离子注入，以于所述缓冲层底部形成N型短路区；
[0025]去除注入阻挡层，且对所述缓冲层以及N型短路区进行离子注入，以于所述缓冲层底部形成P型掺杂区。在其中一个实施例中，于缓冲层表面形成注入阻挡层，包括如下步骤：
[0026]于所述缓冲层上形成注入阻挡材料层；
[0027]于所述注入阻挡材料层上形成图形化光刻胶；
[0028]基于图形化光刻胶对注入阻挡材料层进行刻蚀，于所述缓冲层表面形成所述注入阻挡层。
[0029]在其中一个实施例中，所述注入阻挡材料层包括第二氧化层，于所述缓冲层上形成注入阻挡材料层，包括如下步骤：
[0030]对所述缓冲层进行热氧化处理，以于所述缓冲层表面形成所述第二氧化层。
[0031]在其中一个实施例中，所述注入阻挡材料层还包括第三氧化层，于所述第一基片的第一表面上形成缓冲层之前，还包括如下步骤：
[0032]对所述第一基片进行热氧化处理，以于所述第一基片的第一表面形成所述第三氧化层；
[0033]所述第三氧化层厚度小于所述第二氧化层的厚度，对所述缓冲层进行热氧化处理之后，所述第二氧化层位于第三氧化层与缓冲层之间。
[0034]在其中一个实施例中，于所述第一基片的远离所述第一表面的一侧形成所述绝缘栅双极型晶体管的正面结构之前，包括如下步骤：
[0035]对所述第一基片远离所述第二基片的一侧进行减薄。
[0036]在其中一个实施例中，对所述第一基片远离所述第二基片的一侧进行减薄，包括如下步骤：
[0037]将所述第一基片远离所述第二基片的一侧进行机械减薄；
[0038]将经机械减薄后的所述第一基片进行化学机械抛光。
附图说明
[0039]为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0040]图1为一实施例中提供的绝缘栅双极型晶体管的制备方法的流程图；
[0041]图2至图12为一实施例中提供的绝缘栅双极型晶体管的制备方法中所得结构的截面结构示意图；
[0042]附图标记说明：10
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第一基片，20
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背面结构，21
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缓冲层，22
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N型短路区，23
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P型掺杂区，31
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注入阻挡材料层，311
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第二氧化层，312
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第三氧化层，30
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注入阻挡层，40
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图形化光刻胶，50
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集电极层，60
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正面结构，70
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第二基片，80
‑
牺牲层。
具体实施方式
[0043]为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的实施例。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使本申请的公开内容更加透彻全面。
[0044]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。
[0045]应当明白，当元件或层被称为“在...上”、“与...相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在...上”、“与...直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层、掺杂类型和/或部分，这些元件本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种绝缘栅双极型晶体管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供第一基片及第二基片，所述第一基片包括第一表面；自所述第一基片的第一表面对其进行注入，形成所述绝缘栅双极型晶体管的背面结构；于所述第二基片上形成牺牲层；通过所述牺牲层，将所述第二基片键合至所述第一基片形成有所述背面结构的一侧；于所述第一基片的远离所述第二基片的一侧形成所述绝缘栅双极型晶体管的正面结构；去除所述牺牲层，将所述第二基片与所述第一基片分离。2.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管的制备方法，其特征在于，所述牺牲层包括第一氧化层，于所述第二基片上形成牺牲层，包括如下步骤：对所述第二基片进行热氧化处理，以于所述第二基片表面形成所述第一氧化层。3.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管的制备方法，其特征在于，去除所述牺牲层，将所述第二基片与第一基片分离，包括如下步骤：对所述第二基片远离所述第一基片的一侧进行减薄；通过第一腐蚀液去除所述第二基板的剩余部分；通过第二腐蚀液去除所述牺牲层。4.根据权利要求3所述的绝缘栅双极型晶体管的制备方法，其特征在于，所述对所述第二基片远离所述第一基片的一侧进行减薄，包括：对所述第二基片远离所述第一基片的一侧进行机械减薄。5.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管的制备方法，其特征在于，自所述第一基片的第一表面对其进行注入，形成所述绝缘栅双极型晶体管的背面结构，包括如下步骤：自所述第一基片的第一表面对其进行离子注入，形成缓冲层；于缓冲层表面形成注入阻挡层，所述注入阻挡层内具有开口，所述开口暴露出所述缓冲层；基于所述注入阻挡层对所述缓冲层进行离子注入，以于所述缓冲层底部形...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙向东，
申请(专利权)人：上海积塔半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：