一种腐蚀污迹片的挽救方法技术

本发明专利技术涉及一种腐蚀污迹片的挽救方法，包括如下步骤：步骤一，酸腐蚀后检查出来的污迹不良片，按照类型装入特氟龙制成的片盒内，然后进行预清洗，预清洗药液槽采用SC

【技术实现步骤摘要】
一种腐蚀污迹片的挽救方法


[0001]本专利技术涉及腐蚀片加工
，具体涉及一种腐蚀污迹片的挽救方法。

技术介绍

[0002]当前8英寸硅片进行腐蚀去除机械损伤层的方法主要是采用酸腐蚀的工艺，体系为硝酸+氢氟酸，硝酸把硅氧化成二氧化硅、然后二氧化硅与氢氟酸进行反应，从而达到去除损伤层的目的；轻掺品酸腐蚀后的硅片后面抛光采用单面抛光的方法，所以有一面为腐蚀面，腐蚀面上面的污迹会影响产品的质量。

技术实现思路

[0003]针对现有技术存在的问题，本专利技术提供一种腐蚀污迹片的挽救方法，已解决上述至少一个技术问题。
[0004]本专利技术的技术方案是：一种腐蚀污迹片的挽救方法，其特征在于，包括如下步骤：
[0005]步骤一，酸腐蚀后检查出来的污迹不良片，按照类型装入特氟龙制成的片盒内，然后进行预清洗，预清洗药液槽采用SC
‑
1药液；
[0006]步骤二，预清洗药液槽处理后，纯水槽处理时间10分钟；
[0007]步骤三，进行碱腐蚀药液槽处理，碱腐蚀药液槽采用氢氧化钾溶液进行配置；
[0008]步骤四，对碱腐蚀药液槽处理后的污迹不良片进行洗净，洗净采用稀释的HF药液进行金属的去除，经过清水洗净；
[0009]步骤五，经过TMAH有机碱去除硅片表面的酸液残留，后续经过纯水洗净甩干后，进入检查工程。
[0010]使用以上所述方法对酸腐蚀后的污迹不良片进行碱腐蚀返工，返工后硅片表面洁净，且光泽度稍微上升，TTV参数无影响，可以满足产品良品需求。本专利采用新的腐蚀方法，来改善酸腐蚀后硅片表面污迹的情况，利用碱腐蚀的方法，对表面有污迹的硅片，进行表面微量去除，单面去除量在1～1.5微米，可以有效的剥离掉酸腐蚀后硅片表面的污迹。
[0011]进一步优选，步骤一中，预清洗药液槽的温度在60～70℃，处理时间10分钟，所述SC
‑
1药液的浓度在1％～5％之间。优选为1.5％浓度的SC
‑
1药液。
[0012]进一步优选，所述预清洗药液槽的内壁增加有超声波清洗装置，所述超声波清洗装置的工作方向朝向所述预清洗药液槽的中央。预清洗采用SC
‑
1药液加超声波的清洗方式进行，可以提高预清洗的效果。
[0013]进一步优选，所述碱腐蚀药液槽的底部增加有一震动台。从而可以在腐蚀过程中增加硅片上下摇动及转动，来保证腐蚀的均匀性。
[0014]进一步优选，所述氢氧化钾溶液的浓度在40％～60％之间。优选为48％的氢氧化钾溶液。
[0015]进一步优选，所述碱腐蚀药液槽的处理温度90～100℃，所述碱腐蚀药液槽的循环流量12L～18L/min，根据去除速率进行时间设定。
[0016]进一步优选，所述HF药液的浓度范围在1％～5％之间。优选为1％的HF药液。
[0017]进一步优选，所述TMAH的浓度范围在1％～5％之间。优选为2.5％的TMAH。腐蚀结束后采用HF+TMAH药液进行洗净甩干。
具体实施方式
[0018]具体实施例
[0019]一种腐蚀污迹片的挽救方法，包括如下步骤：
[0020]步骤一，酸腐蚀后检查出来的污迹不良片，按照类型装入特氟龙制成的片盒内，然后进行预清洗，预清洗药液槽采用SC
‑
1药液；
[0021]步骤二，预清洗药液槽处理后，纯水槽处理时间10分钟；
[0022]步骤三，进行碱腐蚀药液槽处理，碱腐蚀药液槽采用氢氧化钾溶液进行配置；
[0023]步骤四，对碱腐蚀药液槽处理后的污迹不良片进行洗净，洗净采用稀释的HF药液进行金属的去除，经过清水洗净；
[0024]步骤五，经过TMAH有机碱去除硅片表面的酸液残留，后续经过纯水洗净甩干后，进入检查工程。
[0025]使用以上方法对酸腐蚀后的污迹不良片进行碱腐蚀返工，返工后硅片表面洁净，且光泽度稍微上升，TTV参数无影响，可以满足产品良品需求。本专利采用新的腐蚀方法，来改善酸腐蚀后硅片表面污迹的情况，利用碱腐蚀的方法，对表面有污迹的硅片，进行表面微量去除，单面去除量在1～1.5微米，可以有效的剥离掉酸腐蚀后硅片表面的污迹。
[0026]进一步优选，步骤一中，预清洗药液槽的温度在60～70℃，处理时间10分钟，SC
‑
1药液的浓度在1％～5％之间。优选为1.5％浓度的SC
‑
1药液。
[0027]进一步优选，预清洗药液槽的内壁增加有超声波清洗装置，超声波清洗装置的工作方向朝向预清洗药液槽的中央。预清洗采用SC
‑
1药液加超声波的清洗方式进行，可以提高预清洗的效果。
[0028]进一步优选，碱腐蚀药液槽的底部增加有一震动台。从而可以在腐蚀过程中增加硅片上下摇动及转动，来保证腐蚀的均匀性。
[0029]进一步优选，氢氧化钾溶液的浓度在40％～60％之间。优选为48％的氢氧化钾溶液。
[0030]进一步优选，碱腐蚀药液槽的处理温度90～100℃，碱腐蚀药液槽的循环流量12L～18L/min，根据去除速率进行时间设定。
[0031]进一步优选，HF药液的浓度范围在1％～5％之间。优选为1％的HF药液。
[0032]进一步优选，TMAH的浓度范围在1％～5％之间。优选为2.5％的TMAH。腐蚀结束后采用HF+TMAH药液进行洗净甩干。
[0033]以上仅是本专利技术的优选实施方式，应当指出，对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本专利技术的保护范围。
本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种腐蚀污迹片的挽救方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一，酸腐蚀后检查出来的污迹不良片，按照类型装入特氟龙制成的片盒内，然后进行预清洗，预清洗药液槽采用SC
‑
1药液；步骤二，预清洗药液槽处理后，纯水槽处理时间10分钟；步骤三，进行碱腐蚀药液槽处理，碱腐蚀药液槽采用氢氧化钾溶液进行配置；步骤四，对碱腐蚀药液槽处理后的污迹不良片进行洗净，洗净采用稀释的HF药液进行金属的去除，经过清水洗净；步骤五，经过TMAH有机碱去除硅片表面的酸液残留，后续经过纯水洗净甩干后，进入检查工程。2.根据权利要求1所述的一种腐蚀污迹片的挽救方法，其特征在于：步骤一中，预清洗药液槽的温度在60～70℃，处理时间10分钟，所述SC
‑
1药液的浓度在1％～5％之间。优选为1.5％浓度的SC
‑
1药液。...

【专利技术属性】
技术研发人员：王琪琳，王小波，
申请(专利权)人：上海中欣晶圆半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：