操作存储器装置和存储器控制器的方法以及存储器系统制造方法及图纸

提供操作存储器装置和存储器控制器的方法以及存储器系统。操作存储器装置的方法包括：从控制器接收第一命令；基于第一命令激活存储器单元阵列的页；读取激活的页的数据；从读取的数据检测错误；对检测到的错误进行纠正，以生成纠错数据；基于检测到的错误是单个位错误，将纠错数据回写到激活的页；以及基于检测到的错误是多位错误，阻止纠错数据到激活的页的回写。的页的回写。的页的回写。

【技术实现步骤摘要】
操作存储器装置和存储器控制器的方法以及存储器系统


[0001]与示例实施例一致的方法、设备和系统涉及存储器装置、存储器控制器和存储器系统。

技术介绍

[0002]在高性能电子系统中广泛使用的半导体存储器装置在容量和速度两者上正在增加。作为半导体存储装置的示例，动态随机存取存储器(DRAM)是通过在电容器中存储电荷来存储数据的易失性存储器。
[0003]当将数据写入半导体存储器装置、从半导体存储器装置读取数据、或将数据存储在半导体存储器装置中时，可能发生错误。例如，错误可以是其中数据位之一具有错误的单个位(single
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bit)错误、以及其中两个或更多个位具有错误的多位错误。这样的错误可通过纠错电路被纠正。
[0004]作为示例，奇偶校验(parity)信息可从将被从存储器装置读取或将被写入存储器装置的数据生成，并且对数据的错误检测操作和纠正操作可通过奇偶校验信息被执行。当具有单个位纠错能力的纠错电路纠正多位错误时，数据可能被错误地纠正。

技术实现思路

[0005]一个或多个示例实施例提供操作防止错误的累积的存储器装置的方法。
[0006]一个或多个示例实施例提供操作防止错误的累积的存储器控制器的方法。
[0007]一个或多个示例实施例提供防止错误的累积的存储器系统。
[0008]根据示例实施例的一个方面，一种操作存储器装置的方法包括：从控制器接收第一命令；基于第一命令，激活存储器单元阵列的页；读取激活的页的数据；从读取的数据检测错误；纠正检测到的错误，以生成纠错数据；基于检测到的错误是单个位错误，将纠错数据回写到激活的页；以及基于检测到的错误是多位错误，阻止纠错数据到激活的页的回写。
[0009]根据示例实施例的一个方面，一种操作存储器控制器的方法包括：将读取
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修改
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写入命令发送到存储器装置；从存储器装置接收错误信息信号，错误信息信号指示从自存储器装置的存储器单元阵列读取的数据检测到的错误；以及基于错误信息信号指示检测到的错误是多位错误，将回写阻止信号提供给存储器装置，以阻止存储器装置将通过对检测到的错误进行纠正而获得的纠错数据回写到存储器单元阵列。
[0010]根据示例实施例的一个方面，一种存储器系统包括：存储器控制器；以及存储器装置，包括纠错电路和设置在存储器单元阵列中的多个存储体阵列。存储器装置被配置为：基于从存储器控制器接收的第一命令来执行存储器操作。纠错电路被配置为执行清理操作，清理操作包括：检测从存储器单元阵列读取的数据的错误，对检测到的错误进行纠正以生成纠错数据，以及将纠错数据回写到存储器单元阵列。存储器控制器被配置为：基于由纠错电路检测到的错误是多位错误，将第二命令提供给存储器装置，以阻止清理操作。
[0011]然而，本专利技术的方面不限于在此阐述的方面。通过参照下面给出的本专利技术的具体
实施方式，本专利技术这些和其他方面对于本专利技术所属领域的普通技术人员将变得更加清楚。
附图说明
[0012]从以下结合附图的描述，上面的和其他的目的、特征和优点将变得更加清楚，其中：
[0013]图1是示出根据示例实施例的存储器系统的示图。
[0014]图2是示出根据示例实施例的存储器装置的示图。
[0015]图3是用于解释图2的存储器单元阵列的示图。
[0016]图4是用于解释根据示例实施例的存储器系统的操作的流程图。
[0017]图5和图6是用于解释根据示例实施例的存储器系统的操作的时序图。
[0018]图7示出根据示例实施例的存储器装置的示意性布局。
[0019]图8和图9是用于解释根据示例实施例的存储器系统的纠错电路的操作的示图。
[0020]图10是示出根据示例实施例的存储器装置的示图。
[0021]图11是用于解释根据示例实施例的存储器系统的操作的流程图。
[0022]图12是用于解释根据示例实施例的存储器系统的操作的示图。
[0023]图13至图15是用于解释根据示例实施例的存储器系统的纠错电路的操作的示图。
[0024]图16是示出根据示例实施例的存储器系统的示图。
[0025]图17和图18是示出根据示例实施例的存储器装置的示图。
[0026]图19是示出根据示例实施例的存储器系统的示图。
[0027]图20是示出根据示例实施例的存储器装置的示图。
[0028]图21是用于解释根据示例实施例的存储器系统的操作的流程图。
[0029]图22是示出根据示例实施例的包括存储器系统的存储器芯片的示图。
[0030]图23是示出根据示例实施例的包括存储器系统的存储器装置的示图。
具体实施方式
[0031]在下文中，将参照附图描述示例实施例。
[0032]图1是示出根据示例实施例的存储器系统的示图。图2是示出根据示例实施例的存储器装置的示图。图3是用于解释图2的存储器单元阵列的示图。
[0033]参照图1，存储器系统1包括存储器控制器100和存储器装置200。
[0034]存储器控制器100可总体控制存储器装置200的操作。存储器控制器100可提供用于控制存储器装置200的各种信号。例如，存储器控制器100可提供命令(或命令信号)CMD、地址ADDR和时钟信号CLK。此外，存储器控制器100可响应于来自主机的请求而将数据DQ提供给存储器装置200以写入数据，或者可从存储器装置200读取数据DQ并接收该数据。
[0035]存储器控制器100可向存储器装置200提供指示模式寄存器232指定存储器装置200的操作模式的MRS命令。
[0036]存储器控制器100可从存储器装置200接收错误信息信号EIS，并且将回写阻止(write
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back block)信号WB_Block提供给存储器装置200。如果存储器控制器100基于提供的错误信息信号EIS确定存储在存储器装置200中的数据具有多位错误，则存储器控制器100可将回写阻止信号WB_Block提供给存储器装置200。这将在下面参照图2详细描述。
[0037]存储器装置200可响应于来自存储器控制器100的命令CMD、地址ADDR或时钟信号CLK而执行存储器操作。例如，存储器装置200可执行读取操作、写入操作或擦除操作。
[0038]此外，存储器装置200可执行数据清理(scrubbing)操作。存储器装置200的数据清理操作可包括读取存储器单元阵列的数据和将其中从读取的数据检测到的错误被纠正的数据回写到存储器单元阵列。在示例实施例中，存储器装置200的数据清理操作可由外部命令(诸如，来自存储器控制器100的多用途命令(例如，读取
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修改
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写入命令))指示。在示例实施例中，可在自动模式下以规则周期执行存储器装置200的数据清理操作，而无需来自存储器控制器100的命令。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种操作存储器装置的方法，所述方法包括：从控制器接收第一命令；基于第一命令，激活存储器单元阵列的页；读取激活的页的数据；从读取的数据检测错误；纠正检测到的错误，以生成纠错数据；基于检测到的错误是单个位错误，将纠错数据回写到激活的页；以及基于检测到的错误是多位错误，阻止纠错数据到激活的页的回写。2.根据权利要求1所述的操作存储器装置的方法，其中，阻止纠错数据到激活的页的回写的步骤包括：从控制器接收阻止纠错数据的回写的第二命令；以及基于第二命令，阻止纠错数据的回写。3.根据权利要求1所述的操作存储器装置的方法，还包括：通过控制器确定检测到的错误是否是多位错误；并且基于检测到的错误是多位错误，通过控制器将阻止纠错数据的回写的第二命令提供给存储器装置。4.根据权利要求1所述的操作存储器装置的方法，其中，激活的页包括数据单元和奇偶校验单元，并且其中，阻止纠错数据的回写的步骤包括：基于检测到的错误在奇偶校验单元中，阻止纠错数据的回写。5.根据权利要求1所述的操作存储器装置的方法，其中，激活的页包括第一区域和第二区域，并且其中，阻止纠错数据的回写的步骤包括：将新的数据写入第一区域；以及阻止纠错数据到第二区域的回写。6.根据权利要求1所述的操作存储器装置的方法，其中，存储器单元阵列包括多个存储体阵列，其中，所述页设置在所述多个存储体阵列中，并且其中，阻止纠错数据的回写的步骤包括：阻止纠错数据到所述多个存储体阵列中的每个的回写。7.根据权利要求1所述的操作存储器装置的方法，其中，存储器单元阵列包括多个存储体阵列，所述多个存储体阵列中的每个包括多个页，并且其中，所述多个存储体阵列中的第一存储体阵列的第一页被允许回写纠错数据，而针对第一存储体阵列的第二页，纠错数据的回写被阻止。8.一种操作存储器控制器的方法，所述方法包括：将读取
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修改
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写入命令发送到存储器装置；从存储器装置接收错误信息信号，错误信息信号指示从自存储器装置的存储器单元阵列读取的数据检测到的错误；以及基于错误信息信号指示检测到的错误是多位错误，将回写阻止信号提供给存储器装
置，以阻止存储器装置将通过对检测到的错误进行纠正而获得的纠错数据回写到存储器单元阵列。9.根据权利要求8所述的操作存储器控制器的方法，还包括：用读取
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修改
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写入命令来发送指示清理存储在存储器单元阵列中的数据的清理命令。10.根据权利要求8所述的操作存储器控制器的方法，其中，存储器单元阵列包括第一区域和第二区域，其中，回写阻止信号控制存储器装置，以阻止纠错数据到存储器装置的第...

【专利技术属性】
技术研发人员：金基兴，金俊亨，李昌容，车相彦，河庆洙，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：