晶体管和显示装置制造方法及图纸

公开了一种晶体管和一种显示装置。所述晶体管包括有源层、栅极电极、第一电极、第二电极和第一连接电极。所述有源层设置在基底上并且包括第一区、第二区以及在所述第一区与所述第二区之间的沟道区。所述栅极电极设置在所述有源层上并且与所述沟道区重叠。所述第一电极设置在所述基底上并且电连接到所述第一区。所述第二电极设置在所述基底上并且电连接到所述第二区。所述第一连接电极设置在所述基底上并且电连接所述栅极电极和所述第二电极。且电连接所述栅极电极和所述第二电极。且电连接所述栅极电极和所述第二电极。

【技术实现步骤摘要】
晶体管和显示装置


[0001]实施例涉及一种晶体管和一种显示装置。更具体地，实施例涉及一种二极管式连接的晶体管和一种包括晶体管的显示装置。

技术介绍

[0002]显示装置可以包括多个像素和将信号提供至像素的多条线。当流入到显示装置中的静电通过线传输到像素时，包括在像素中的元件可能被静电损坏。
[0003]为了防止由于静电引起的对包括在像素中的元件的损坏，显示装置可以包括连接到线的放电二极管。放电二极管可以实现为二极管式连接的晶体管。放电二极管可以释放流入到显示装置中的静电。然而，当静电通过放电二极管时，放电二极管可能被损坏。

技术实现思路

[0004]根据实施例的晶体管可以包括：有源层，设置在基底上并且包括第一区、第二区以及在所述第一区与所述第二区之间的沟道区；栅极电极，设置在所述有源层上，所述栅极电极与所述沟道区重叠；第一电极，设置在所述基底上，所述第一电极电连接到所述第一区；第二电极，设置在所述基底上，所述第二电极电连接到所述第二区；以及第一连接电极，设置在所述基底上并且电连接所述栅极电极和所述第二电极。
[0005]在实施例中，所述第一连接电极可以与所述有源层设置在同一层处。
[0006]在实施例中，所述第一连接电极可以包括氧化物半导体。
[0007]在实施例中，所述晶体管还可以包括：第二连接电极，设置在所述栅极电极上，所述第二连接电极接触所述第一连接电极和所述栅极电极。
[0008]在实施例中，所述第一连接电极可以接触所述第二连接电极和所述第二电极。r/>[0009]在实施例中，所述第二连接电极可以与所述第二电极设置在同一层处。
[0010]在实施例中，所述第二连接电极可以设置在所述第二电极上。
[0011]在实施例中，所述晶体管还可以包括：虚设图案，与所述栅极电极设置在同一层处，所述虚设图案与所述第一连接电极的一部分重叠。
[0012]在实施例中，在所述第一连接电极的所述部分中可以不掺杂杂质。
[0013]在实施例中，所述第一连接电极可以设置在所述第二电极上。
[0014]在实施例中，所述第一连接电极可以包括透明导电氧化物。
[0015]在实施例中，所述第一连接电极可以接触所述栅极电极和所述第二电极。
[0016]在实施例中，所述晶体管还可以包括：第二连接电极，与所述第二电极设置在同一层处，所述第二连接电极接触所述栅极电极和所述第一连接电极。
[0017]在实施例中，所述第一连接电极可以接触所述第二连接电极和所述第二电极。
[0018]在实施例中，所述第一连接电极的电阻可以大于所述栅极电极的电阻。
[0019]根据实施例的显示装置可以包括：显示部分，包括基底和设置在所述基底上的多个像素；驱动器，配置为将驱动信号提供至所述显示部分；控制器，配置为将控制信号提供
至所述驱动器；以及晶体管，连接到连接线，所述连接线连接所述显示部分和所述驱动器或连接所述驱动器和所述控制器。所述晶体管可以包括：有源层，设置在所述基底上并且包括第一区、第二区以及在所述第一区与所述第二区之间的沟道区；栅极电极，设置在所述有源层上，所述栅极电极与所述沟道区重叠；第一电极，设置在所述基底上，所述第一电极电连接到所述第一区；第二电极，设置在所述基底上，所述第二电极电连接到所述第二区；以及第一连接电极，设置在所述基底上并且电连接所述栅极电极和所述第二电极。
[0020]在实施例中，所述第一连接电极的电阻可以大于所述栅极电极的电阻。
[0021]在实施例中，所述第一电极和所述第二电极中的一个可以连接到所述连接线，并且所述第一电极和所述第二电极中的另一个可以连接到被配置为将电源电压提供到所述多个像素的电源电压线。
[0022]在实施例中，所述多个像素中的每一者可以包括：像素电极，设置在所述第二电极上；发射层，设置在所述像素电极上；以及对电极，设置在所述发射层上。
[0023]在实施例中，所述晶体管还可以包括：第二连接电极，设置在所述栅极电极上，所述第二连接电极接触所述第一连接电极和所述栅极电极。
[0024]在实施例中，所述第一连接电极可以与所述有源层设置在同一层处，并且所述第二连接电极可以与所述第二电极设置在同一层处。
[0025]在实施例中，所述第一连接电极可以与所述有源层设置在同一层处，并且所述第二连接电极可以与所述像素电极设置在同一层处。
[0026]在实施例中，所述第一连接电极可以与所述像素电极设置在同一层处，并且所述第二连接电极可以与所述第二电极设置在同一层处。
[0027]在实施例中，所述第一连接电极可以与所述像素电极设置在同一层处。
[0028]在实施例中，所述第一连接电极可以与所述有源层设置在同一层处或设置在所述第二电极上。
[0029]根据实施例的晶体管可以包括电连接栅极电极和第二电极并且具有相对大的电阻的第一连接电极，使得晶体管可以不被静电损坏。
附图说明
[0030]根据以下结合附图进行的详细描述，说明性的、非限制性的实施例将被更清楚地理解。
[0031]图1是示出根据实施例的显示装置的框图。
[0032]图2是示出根据实施例的显示装置的平面图。
[0033]图3是示出包括在根据实施例的显示装置中的像素的电路图。
[0034]图4是示出图3中的像素的截面图。
[0035]图5是示出包括在根据实施例的显示装置中的放电二极管的图。
[0036]图6是示出包括在根据实施例的显示装置中的晶体管的电路图。
[0037]图7是示出根据实施例的晶体管的平面图。
[0038]图8是示出沿着图7中的线I
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I'截取的晶体管的截面图。
[0039]图9、图10、图11、图12、图13、图14、图15和图16是示出制造根据实施例的晶体管的方法的图。
[0040]图17是示出根据实施例的晶体管的平面图。
[0041]图18是示出沿着图17中的线II
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II'截取的晶体管的截面图。
[0042]图19、图20、图21和图22是示出制造根据实施例的晶体管的方法的图。
[0043]图23是示出根据实施例的晶体管的平面图。
[0044]图24是示出根据实施例的晶体管的平面图。
[0045]图25是示出沿着图24中的线III
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III'截取的晶体管的截面图。
[0046]图26、图27、图28、图29、图30和图31是示出制造根据实施例的晶体管的方法的图。
[0047]图32是示出根据实施例的晶体管的平面图。
[0048]图33是示出沿着图32中的线IV
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IV'截取的晶体管的截面图。
[0049]图34是示出根据实施例的晶体管的平面图。
[0050]图35是示出沿着图34中的线V
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V'截取的晶体管的截本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶体管，其中，所述晶体管包括：有源层，设置在基底上并且包括第一区、第二区以及在所述第一区与所述第二区之间的沟道区；栅极电极，设置在所述有源层上，所述栅极电极与所述沟道区重叠；第一电极，设置在所述基底上，所述第一电极电连接到所述第一区；第二电极，设置在所述基底上，所述第二电极电连接到所述第二区；以及第一连接电极，设置在所述基底上并且电连接所述栅极电极和所述第二电极。2.根据权利要求1所述的晶体管，其中，所述第一连接电极与所述有源层设置在同一层处。3.根据权利要求2所述的晶体管，其中，所述第一连接电极包括氧化物半导体。4.根据权利要求2所述的晶体管，其中，所述晶体管还包括：第二连接电极，设置在所述栅极电极上，所述第二连接电极接触所述第一连接电极和所述栅极电极。5.根据权利要求4所述的晶体管，其中，所述第一连接电极接触所述第二连接电极和所述第二电极。6.根据权利要求4所述的晶体管，其中，所述第二连接电极与所述第二电极设置在同一层处。7.根据权利要求4所述的晶体管，其中，所述第二连接电极设置在所述第二电极上。8.根据权利要求2所述的晶体管，其中，所述晶体管还包括：虚设图案，与所述栅极电极设置在同一层处，所述虚设图案与所述第一连接电极的一部分重叠。9.根据权利要求8所述的晶体管，其中，在所述第一连接电极的所述部分中不掺杂杂质。10.根据权利要求1所述的晶体管，其中，所述第一连接电极设置在所述第二电极上。11.根据权利要求10所述的晶体管，其中，所述第一连接电极包括透明导电氧化物。12.根据权利要求10所述的晶体管，其中，所述第一连接电极接触所述栅极电极和所述第二电极。13.根据权利要求10所述的晶体管，其中，所述晶体管还包括：第二连接电极，与所述第二电极设置在同一层处，所述第二连接电极接触所述栅极电极和所述第一连接电极。14.根据权利要求13所述的晶体管，其中，所述第一连接电极接触所述第二连接电极和所述第二电极。15.根据权利要求1所述的晶体管，其中，所述第一连接电极的电阻大于所述栅极电极的电阻。16.一种显示装置，其中，所述显示装置包括：显示部分，包括基底和设置在所述基底上的多个像素；驱动器，...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑形基，孙榕德，延淳昌，刘永勋，李才敏，林都基，郑秀真，丁炯太，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：