采用位线漏电流侦测方法的用于群组抹除模式的抹除电压补偿机制技术

本发明专利技术提供一种采用位线漏电流侦测用于群组抹除模式的抹除电压补偿机制，其包含借由施加抹除电压进行区块抹除操作。继续区块抹除直到侦测到位线漏电流，然后闩锁该抹除电压并进行过抹除修正。补偿电压值借由当侦测到该位线漏电流时，找出临界电压分布的上限与抹除验证点之间的差值进行计算。将该经闩锁抹除电压提高该补偿电压以建立经补偿电压。进行群组抹除操作并将该群组地址递增1，并载入该经补偿电压值。然后，对该下一群组进行该群组抹除操作。递增该地址、载入该经补偿电压，并进行该群组抹除操作直到该群组是该最后群组。组抹除操作直到该群组是该最后群组。组抹除操作直到该群组是该最后群组。

【技术实现步骤摘要】
采用位线漏电流侦测方法的用于群组抹除模式的抹除电压补偿机制


[0001]本专利技术所公开内容涉及抹除电压补偿，尤其涉及一种采用位线漏电流侦测方法的用于群组抹除模式的抹除电压补偿机制。

技术介绍

[0002]闪存存储器是由具有源极、汲极、浮动闸极、和控制闸极的电晶体存储器单元构成。该等电晶体存储器单元编程为借由向该等控制闸极施加电压以储存二进制1或二进制0。该编程程序包括抹除、然后读取该等电晶体存储器单元，然后验证该存储器单元已抹除。
[0003]在现有闪存存储器中，该等电晶体存储器单元的该等汲极连接到位线。可惜的是，若过多存储器单元产生背景漏电流，漏电流可能超过单元读取电流，导致该存储器单元的该状态无法被读取。因此，使该闪存存储器失去功能。
[0004]该等电流抹除操作可分成经预编程、抹除、过抹除修正(Over
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erase correction，OEC)、和后过抹除修正(Post over
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erase correction，POEC)。针对区块(Block)抹除，首先向整个区块施加抹除电压。在抹除的触发之后，侦测该位线的该漏电流以判定是否变更抹除区域。若未侦测到位线(Bit line)漏电流(BL Leakage)，向该整个区块施加该下一次抹除电压。一旦发现位线漏电流，即执行OEC以修复经过抹除单元。之后，该操作切换成群组抹除模式，这意指将该抹除区域从整个区块变更为其大小小于区块(如1个区段(Sector)、2个区段等)的群组，以降低过抹除可能性。
[0005]请即参考图1，其例示对现有技术的闪存存储器所进行的操作流程的方法的流程图。
[0006]现有方法10是从步骤20的预编程该等闪存存储器单元开始。在步骤30，抹除该等闪存存储器单元。在步骤40进行过抹除修正处理，并在步骤50进行后过抹除修正处理。
[0007]该抹除操作(步骤30)包括一连串步骤。在步骤31，针对区块抹除，首先向整个区块施加该抹除电压。然后，在步骤32进行位线漏电流(BL Leakage)侦测。若未侦测到位线漏电流，方法10返回步骤31进行该区块抹除操作。一旦侦测到位线漏电流，即在步骤33执行该OEC以修复过抹除单元。在步骤34，该方法切换成群组抹除模式，这意指将该抹除区域从整个区块变更为群组以降低过抹除的风险或可能性。
[0008]在步骤34的每个群组抹除操作之后，在步骤35判定该群组是否是待抹除的该区块的该最后群组。若该群组并非该最后群组，该方法返回在步骤34对该下一群组进行该群组抹除操作。当该群组是该区块的该最后群组时，这意指完成该区块的该抹除步骤，在步骤36完成该方法。
[0009]请即参考图2，其例示早期位线漏电流侦测，及对临界电压分布与该抹除验证(Erase verify，EV)点之间的该关系的该所得到效应的图式。
[0010]针对进阶处理，闪存存储器单元呈现出宽广临界电压分布的该特征。如图2所示，当过早侦测到位线漏电流时，临界电压分布的该上限仍远离该EV点，这意指该区块抹除过
早切换成群组抹除模式。因此，许多区块群组需要很长时间将其抹除到该EV点，从而导致区块抹除时间很长。
[0011]因此，为克服先前技术的多个缺点，本领域亟需一种采用位线漏电流侦测方法的用于群组抹除模式的经改良抹除电压补偿机制。

技术实现思路

[0012]本专利技术的目的是提供一种用于群组抹除模式的电压补偿机制。
[0013]本专利技术提供一种用于群组模式的电压补偿机制。为利用该补偿机制，必须判定该补偿电压。
[0014]为此，判定该位线漏电流侦测点、该抹除验证点、和该临界电压分布。由于该抹除能力与该抹除电压成正比，因此计算该临界电压(Vt)分布的上限与该抹除验证(EV)点之间的该差值，以判定当该临界电压分布的该下界限到达该漏电流侦测点时的该补偿电压(Vcomp)，如图3所示。
[0015]举例来说，假设该位线漏电流侦测点＝
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0.1伏、该抹除验证点＝4伏、且该临界电压分布＝5伏，可将补偿电压计算为0.9伏。
[0016]当侦测到位线漏电流时，将该抹除电压提高补偿电压以增强群组抹除模式期间的该抹除能力。因此，该区块抹除时间可借由每个群组的该经补偿抹除速度而改善。
[0017]该抹除操作分别对闪存存储器单元的该P型井区(P
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well，PW)和该字线(Word Line，WL)施加正与负电压。当完成该电流电压阶跃(Step)的该触发数时，该正电压将斜升至较高位准。尤其是，记录进入群组抹除模式时的该抹除电压作为针对每个群组的该初始抹除电压。因此，可借由提高正电压或负电压以增强该抹除能力，如下述所说明。
[0018]若判定借由经提高正电压补偿抹除电压：当该抹除操作切换成群组抹除模式时，将针对每个群组的该初始正高电压提高补偿电压Vcomp。
[0019]若判定借由经提高负电压补偿抹除电压：当该抹除操作切换成群组抹除模式时，将针对每个群组的该初始负高电压补偿补偿电压Vcomp。
[0020]本专利技术提供一种抹除电压补偿方法包含侦测位线漏电流；侦测电流抹除电压；计算补偿电压；将该电流抹除电压提高该补偿电压以得到经补偿电压；使用该经补偿电压；及借由施加该经补偿电压作为该初始抹除电压直到到达最后群组，进行群组抹除操作。
[0021]本专利技术也提供一种抹除电压补偿方法包含进行区块抹除操作直到侦测到位线漏电流；闩锁电流抹除电压；判定补偿电压值；将该经闩锁抹除电压提高该补偿电压值以得到经补偿电压；对群组进行群组抹除操作；将该群组的地址递增1；载入该经补偿电压；及对下一群组进行群组抹除操作。
[0022]在一具体实施例中，本专利技术的该方法还包括递增该地址、载入该经补偿电压，并进行该群组抹除操作直到该群组是最后群组。在具体实施例中，本专利技术的该方法将针对每个群组的正高电压提高该补偿电压值。在一具体实施例中，本专利技术的该方法将针对每个群组的负高电压提高该补偿电压值。在一具体实施例中，针对该区块抹除操作和该群组抹除操作，本专利技术的该方法分别对闪存存储器单元的P型井区(PW)和字线(WL)施加正与负电压。在一具体实施例中，当完成该电流电压阶跃的该触发数时，本专利技术的该方法将该正电压斜升至较高位准。
[0023]在一具体实施例中，本专利技术的该方法还包括当侦测到位线漏电流时，进行过抹除修正操作。在一具体实施例中，首先在该区块抹除操作期间，向整个区块施加该抹除电压。
[0024]在一具体实施例中，该补偿电压值等于临界电压分布的上限与抹除验证点之间的差值。为了判定该补偿电压值，判定位线漏电流侦测电压点、抹除验证点、和临界电压分布，然后计算该临界电压分布的上限与该抹除验证点之间的差值以判定该补偿电压值。
[0025]在一具体实施例中，本专利技术提供一种采用位线漏电流侦测用于群组抹除模式的抹除电压补偿机制，其包含：借由施加抹除电压进行区块抹除操作；判定是否已侦测到位线漏电流；若尚未侦测到位线漏电流，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种抹除电压补偿方法，其包含：侦测位线漏电流；侦测电流抹除电压；计算补偿电压；将该电流抹除电压提高该补偿电压以得到经补偿电压；及借由施加该经补偿电压作为初始抹除电压直到到达最后群组，进行群组抹除操作。2.根据权利要求1所述的抹除电压补偿方法，其还包括：将群组地址递增1、载入该经补偿电压，并进行该群组抹除操作直到群组是该最后群组。3.根据权利要求1所述的抹除电压补偿方法，其中，将针对每个群组的正高电压提高该补偿电压。4.根据权利要求1所述的抹除电压补偿方法，其中，将针对每个群组的负高电压提高该补偿电压。5.根据权利要求1所述的抹除电压补偿方法，其中，区块抹除操作和该群组抹除操作分别对闪存存储器单元的P型井区(PW)和字线(WL)施加正与负电压。6.根据权利要求5所述的抹除电压补偿方法，其中，当完成电流电压阶跃的触发数时，该正电压斜升至较高位准。7.根据权利要求1所述的抹除电压补偿方法，其还包括：当侦测到该位线漏电流时，进行过抹除修正。8.根据权利要求1所述的抹除电压补偿方法，其中，在该区块抹除操作期间，向整个区块施加该抹除电压。9.根据权利要求1所述的抹除电压补偿方法，其中，该补偿电压等于临界电压分布的上限与抹除验证点之间的差值。10.根据权利要求1所述的抹除电压补偿方法，其中，为了判定该补偿电压，判定位线漏电流侦测电压点、抹除验证点、和临界电压分布，然后计算该临界电压分布的上限与该抹除验证点之间的差值以判定该补偿电压。11.一种抹除电压补偿方法，其包含：进行区块抹除操作直到侦测到位线漏电流；闩锁抹除电压；判定补偿电压值；将经闩锁抹除电压提高该补偿电压值以得到经补偿电压；对群组进行群组抹除操作；将该群组的地址递增1；载入该经补偿电压；及对下一群组进行群组抹除操作。12.根据权利要求11所述的抹除电压补偿方法，其还包括：递增该地址、载入该经补偿电压，并进行该群组抹除操作直到该群组是最后群组。13.根据权利要求11所述的抹除电压补偿方法，其中，将针对每个群组的初始正高电压提高该补偿电压值。
14.根据权利要求11所述的抹除电压补偿方法，其中，将针对每个群组的初始负高电压提高该补偿电压值。15.根据权利要求11所述的抹除电压补偿方法，其中，该区块抹除操作和该群组抹除操作分别对闪存存储器单元的P型井区(PW)和字线(WL)施加正与负电压。16.根据权利要求15所述的抹除电压补偿方法，其中，当完成电流电压阶跃的触发数时，该正电压斜升至较高位准。17.根据权利要求11所述的抹除电压补偿方法，其还包括：当侦测到该位线漏电流时，进行过抹除修正。18.根据权利要求11所述的抹除电压补偿方法，其中，在该区块抹除操作期间，向整个区块施加该抹除电压。19.根据权利要求11所述的抹除电压补偿方法，其中，该补偿电压值等于临界电压分布的上限与抹除验证点之间的差值。20.根据权利要求11所述的抹除电压补偿方法，其中，为了判定该补偿电压值，判定位线漏电流侦测电压点、抹除验证点、和临界电压分布，然后计算该临界电压分布的上限与该抹除验证点之间的差值以判定该补偿电压值。21.一种采用位线漏电流侦测用于群组抹除模式的抹除电压补偿机制，其包含：借由施加抹除电压进行区块抹除操作；判定是否已侦测到位线漏电流；若尚未侦测到该位线漏电流，继续该区块抹除操作；当侦测...

【专利技术属性】
技术研发人员：王铭勋，
申请(专利权)人：晶豪科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：