外延沉积设备制造技术

本申请涉及一种外延沉积设备，本申请提供的外延沉积设备包括上下料台、操作台、机械臂组件和多个外延生长装置，上下料台以及多个外延生长装置间隔分布于操作台的外周，机械臂组件一端可活动地连接操作台，另一端用于夹取硅片，机械臂组件能够在上下料台和操作台之间转运硅片。本申请提供的外延沉积设备解决了现有的外延沉积设备的硅片转运效率偏低的问题。的外延沉积设备的硅片转运效率偏低的问题。的外延沉积设备的硅片转运效率偏低的问题。

【技术实现步骤摘要】
外延沉积设备


[0001]本申请涉及半导体外延生长
，尤其涉及一种外延沉积设备。

技术介绍

[0002]外延生长是半导体产业链条之中的重要一环，外延薄膜的质量直接制约着后续器件的性能，随着工业上对高质量半导体器件的需求越来越大，高效率高质量的外延沉积设备得到了越来越多的关注。现有的外延沉积设备的硅片转运效率偏低，不利于硅片的大规模加工制造。

技术实现思路

[0003]基于此，有必要提供一种外延沉积设备，解决现有的外延沉积设备的硅片转运效率偏低的问题。
[0004]本申请提供的外延沉积设备包括上下料台、操作台、机械臂组件和多个外延生长装置，上下料台以及多个外延生长装置间隔分布于操作台的外周，机械臂组件一端可活动地连接操作台，另一端用于夹取硅片，机械臂组件能够在上下料台和操作台之间转运硅片。
[0005]在其中一个实施例中，外延生长装置包括炉体，炉体设有反应腔，反应腔内分别设有水平设置的第一反应基座和第二反应基座，第一反应基座和第二反应基座沿着水平方向间隔设置；炉体还设有分别连通反应腔的第一进气部、第二进气部和出气部，第一反应基座设于第一进气部和出气部之间，第二反应基座设于第二进气部和出气部之间；反应介质能够分别通过第一进气部和第二进气部进入反应腔，并通过出气部离开反应腔。
[0006]在其中一个实施例中，操作台包括第一操作区和第二操作区，多个外延生长装置、第二操作区和上下料台分别设于第一操作区的不同侧，且多个外延生长装置设于第二操作区的不同侧。机械臂组件包括第一转运臂和第二转运臂，第一转运臂设于第一操作区，第二转运臂设于第二操作区。第一操作区和第二操作区之间设有中转台，第二转运臂能够在设于第二操作区外周侧的外延生长装置和中转台之间转运硅片，第一转运臂能够在设于第一操作区外周侧的外延生长装置、中转台和上下料台之间转运硅片。
[0007]在其中一个实施例中，第一操作区和第二操作区均为方形区域，第二操作区和上下料台分别设于第一操作区相对的两侧，第一操作区未设置有第二操作区和上下料台的两侧设有一对相对设置的外延生长装置，第二操作区未设置有第一操作区的三个侧面分别设有一个外延生长装置。
[0008]在其中一个实施例中，第一操作区和第二操作区之间设有分隔组件，分隔组件能够将第一操作区所在的操作空间和第二操作区所在的操作空间分隔成两个密闭空间。
[0009]在其中一个实施例中，操作台呈多边形状，上下料台以及多个外延生长装置分布于操作台的不同侧边区域，机械臂组件能够在外延生长装置和上下料台之间转运硅片。
[0010]在其中一个实施例中，机械臂组件包括依次连接的转动部、第一驱动段、第二驱动段和叉取部，第一驱动段一端固定连接转动部，另一端活动连接第二驱动段，第二驱动段远
离第一驱动段的一端活动连接叉取部，叉取部能够同步叉取分别设于第一反应基座和第二反应基座的两个硅片。
[0011]在其中一个实施例中，叉取部包括第一叉头、第二叉头以及连接第一叉头和第二叉头的连接杆，第一叉头和第二叉头能够同步叉取分别设于第一反应基座和第二反应基座的两个硅片。
[0012]在其中一个实施例中，第一叉头包括沿着竖直方向排列的第一分叉头和第二分叉头，第一分叉头和第二分叉头能够分别独立移动，第二叉头包括沿着竖直方向排列的第三分叉头和第四分叉头，第三分叉头和第四分叉头也能够分别独立移动。
[0013]在其中一个实施例中，上下料台和操作台之间设有装载室和卸载室，机械臂组件能够在装载室和外延生长装置之间转运硅片，或者，机械臂组件能够在卸载室和外延生长装置之间转运硅片。
[0014]在其中一个实施例中，上下料台的一侧还设有多个晶盒，机械臂组件还包括设于上下料台的第三转运臂，第三转运臂，第三转运臂能够在晶盒和装载室之间转运硅片，或者，第三转运臂能够在晶盒和卸载室之间转运硅片。
[0015]与现有技术相比，本申请提供的外延沉积设备，由于上下料台以及多个外延生长装置间隔分布于操作台的外周，并且，机械臂组件一端可活动地连接操作台，另一端能够在上下料台和操作台之间夹取转运硅片，因此，大大降低了机械臂组件转运硅片所需的时间，进而提高了外延沉积设备的硅片转运效率。
附图说明
[0016]为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0017]图1为本申请提供的一实施例的外延生长装置的俯视结构示意图；
[0018]图2为本申请提供的一实施例的外延生长装置的剖面结构示意图；
[0019]图3为本申请提供的一实施例的外延沉积设备的结构示意图；
[0020]图4为本申请提供的另一实施例的外延沉积设备的结构示意图；
[0021]图5为本申请提供的一实施例的叉取部的结构示意图；
[0022]图6为本申请提供的又一实施例的外延沉积设备的结构示意图。
[0023]附图标记：100、外延生长装置；110、炉体；111、反应腔；112、第一进气部；113、第二进气部；114、出气部；115、石英上盖；116、石英下盖；117、阀门；120、第一反应基座；130、第二反应基座；150、旋转组件；151、旋转驱动电机；153、旋转传动蜗杆；154、第一转动杆；155、第二转动杆；160、升降组件；161、升降驱动电机；163、升降传动蜗杆；164、第一螺杆；165、第二螺杆；166、第一顶针；167、第二顶针；170、控温组件；171、加热灯管；200、上下料台；300、操作台；310、第一操作区；320、第二操作区；330、中转台；340、分隔组件；341、密封隔板；400、机械臂组件；410、第一转运臂；420、第二转运臂；430、转动部；440、第一驱动段；450、第二驱动段；460、叉取部；461、第一叉头；461a、第一分叉头；461b、第二分叉头；462、第二叉头；462a、第三分叉头；462b、第四分叉头；463、连接杆；470、第三转运臂；500、硅片；610、装
载室；620、卸载室；630、晶盒。
具体实施方式
[0024]在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
[0025]此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种外延沉积设备，其特征在于，包括上下料台(200)、操作台(300)、机械臂组件(400)和多个外延生长装置(100)，所述上下料台(200)以及多个所述外延生长装置(100)间隔分布于所述操作台(300)的外周，所述机械臂组件(400)一端可活动地连接所述操作台(300)，另一端用于夹取硅片(500)，所述机械臂组件(400)能够在所述上下料台(200)和所述操作台(300)之间转运硅片(500)。2.根据权利要求1所述的外延沉积设备，其特征在于，所述外延生长装置(100)包括炉体(110)，所述炉体(110)设有反应腔(111)，所述反应腔(111)内分别设有水平设置的第一反应基座(120)和第二反应基座(130)，所述第一反应基座(120)和所述第二反应基座(130)沿着水平方向间隔设置；所述炉体(110)还设有分别连通所述反应腔(111)的第一进气部(112)、第二进气部(113)和出气部(114)，所述第一反应基座(120)设于所述第一进气部(112)和所述出气部(114)之间，所述第二反应基座(130)设于所述第二进气部(113)和所述出气部(114)之间；反应介质能够分别通过所述第一进气部(112)和所述第二进气部(113)进入所述反应腔(111)，并通过所述出气部(114)离开所述反应腔(111)。3.根据权利要求1所述的外延沉积设备，其特征在于，所述操作台(300)包括第一操作区(310)和第二操作区(320)，多个所述外延生长装置(100)、所述第二操作区(320)和所述上下料台(200)分别设于所述第一操作区(310)的不同侧，且多个所述外延生长装置(100)设于所述第二操作区(320)的不同侧；所述机械臂组件(400)包括第一转运臂(410)和第二转运臂(420)，所述第一转运臂(410)设于所述第一操作区(310)，所述第二转运臂(420)设于所述第二操作区(320)；所述第一操作区(310)和所述第二操作区(320)之间设有中转台(330)，所述第二转运臂(420)能够在设于所述第二操作区(320)外周侧的所述外延生长装置(100)和所述中转台(330)之间转运硅片(500)，所述第一转运臂(410)能够在设于所述第一操作区(310)外周侧的所述外延生长装置(100)、所述中转台(330)和所述上下料台(200)之间转运硅片(500)。4.根据权利要求3所述的外延沉积设备，其特征在于，所述第一操作区(310)和所述第二操作区(320)均为方形区域，所述第二操作区(320)和所述上下料台(200)分别设于所述第一操作区(310)相对的两侧，所述第一操作区(310)未设置有所述第二操作区(320)和所述上下料台(200)的两侧设有一对相对设置的所述外延生长装置(100)，所述第二操作区(320)未设置有所述第一操作区(310)的三个侧面分别设有一个所述外延生长装置(100)。5.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：王树林，曹建伟，
申请(专利权)人：浙江求是半导体设备有限公司，
类型：新型
国别省市：