封装结构及其制造方法技术

本申请提供一种封装结构，包括封装基板、芯片、异方性导电层以及第一线路板，所述封装基板沿厚度方向贯穿设置有开孔，所述芯片容置于所述开孔内，所述异方性导电层设置于开孔的一侧，所述芯片与所述异方性导电层于所述厚度方向上电性导通，所述第一线路板设置于所述异方性导电层上，所述第一线路板与所述异方性导电层于所述厚度方向上电性导通。本申请能够降低芯片导通不良的风险。另外，本申请还提供一种封装结构的制造方法。种封装结构的制造方法。种封装结构的制造方法。

【技术实现步骤摘要】
封装结构及其制造方法


[0001]本申请涉及封装结构及其制造方法。

技术介绍

[0002]一般情况下，内埋式封装结构的制程主要包括：首先在封装基板上设置开孔，然后在封装基板的一侧粘接载板，接着在开孔内安装芯片，最后移除该载板并增层。整个过程不仅冗长，而且芯片导通不良的风险高。

技术实现思路

[0003]鉴于以上内容，有必要提供一种封装结构的制造方法，以解决上述问题。
[0004]另外，还有必要提供一种由上述制造方法获得的封装结构。
[0005]一种封装结构的制造方法，包括步骤：提供封装基板，所述封装基板具有厚度方向，所述封装基板沿所述厚度方向贯穿设置有开孔。于所述封装基板的一侧设置异方性导电层，所述异方性导电层覆盖所述开孔的一侧。经所述开孔远离所述异方性导电层的另一侧向所述开孔内放入芯片，使所述芯片沿所述厚度方向电性连接所述异方性导电层，以及于所述异方性导电层上设置第一线路板，使所述第一线路板沿所述厚度方向电性连接所述异方性导电层，获得所述封装结构。
[0006]进一步地，所述芯片包括芯片本体及自所述芯片本体引出的多个芯片引脚，所述制造方法还包括步骤：将所述芯片引脚远离所述芯片本体的一侧电性连接所述异方性导电层。于所述第一线路板贯穿设置通孔，所述通孔对应于所述芯片引脚，以及于所述通孔内设置导通体，使所述导通体电性导通所述芯片引脚及所述第一线路板。
[0007]进一步地，所述封装基板包括基材层、第一线路层及第二线路层，所述第一线路层及所述第二线路层设置于所述基材层的相对两侧，所述制造方法还包括步骤：微蚀刻所述第一线路层的表面以形成多个微结构，以及于所述第一线路层具有上述微结构的表面上设置所述异方性导电层。
[0008]进一步地，还包括步骤：于所述第二线路层上设置第二线路板。
[0009]进一步地，还包括步骤：通过机械钻孔或者激光钻孔的方式开设所述开孔，以及清除所述开孔周围的碎屑。
[0010]一种封装结构，包括封装基板、芯片、异方性导电层以及第一线路板，所述封装基板沿厚度方向贯穿设置有开孔，所述芯片容置于所述开孔内，所述异方性导电层设置于开孔的一侧，所述芯片与所述异方性导电层于所述厚度方向上电性导通，所述第一线路板设置于所述异方性导电层上，所述第一线路板与所述异方性导电层于所述厚度方向上电性导通。
[0011]进一步地，所述芯片包括芯片本体及自所述芯片本体引出的多个芯片引脚，所述封装结构还包括导通体，所述芯片引脚与所述导通体相对设置于所述异方性导电层的两侧，所述导通体电性连接所述第一线路板。
[0012]进一步地，所述异方性导电层的材质包括粘合剂及导电微球，所述导电微球分散于所述粘合剂中。
[0013]进一步地，所述封装结构还包括第二线路板，所述第二线路板设置于所述封装基板背离所述第一线路板的一侧。
[0014]进一步地，所述封装结构还包括多个外侧线路板，所述外侧线路板设置于所述第一线路板和所述第二线路板的外侧。
[0015]本申请通过在开孔处设置异方性导电层，所述异方性导电层可以用于撑托所述芯片，同时，所述异方性导电层可以电性导通所述芯片，从而替代传统的载板，有利于简化封装制程，提高封装效率，同时不会产生残胶问题，可以减少除残胶的制程并提高最终产品的可靠性。
附图说明
[0016]图1为本申请实施例提供的封装基板设置开孔前的示意图。
[0017]图2为图1所示的封装基板设置开孔后的示意图。
[0018]图3为图2所示的封装基板设置异方性导电层后的示意图。
[0019]图4为图3所示的封装基板设置芯片后的示意图。
[0020]图5为图4所示的封装基板设置第一和第二覆铜基板后的示意图。
[0021]图6为图5所示的封装基板电镀形成导通体后的示意图。
[0022]图7为蚀刻图6所示的封装基板的第一和第二覆铜基板后的示意图。
[0023]图8为本申请实施例提供的封装结构的示意图。
[0024]主要元件符号说明
[0025]封装结构
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100
[0026]基材层
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11
[0027]第一线路层
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12
[0028]第二线路层
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13
[0029]开孔
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14
[0030]异方性导电层
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20
[0031]芯片
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30
[0032]芯片本体
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[0033]芯片引脚
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[0034]绝缘体
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[0035]第一线路板
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40
[0036]第一覆铜基板
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401
[0037]第一介质层
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402
[0038]第一铜箔层
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403
[0039]通孔
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41
[0040]导通体
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[0041]第三线路层
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43
[0042]第二线路板
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50
[0043]第二覆铜基板
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501
[0044]第二介质层
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[0045]第二铜箔层
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[0046]第四线路层
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[0047]第一外侧线路板
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60
[0048]第二外侧线路板
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70
[0049]厚度方向
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A
[0050]如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本申请。
具体实施方式
[0051]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种封装结构的制造方法，其特征在于，包括步骤：提供封装基板，所述封装基板具有厚度方向，所述封装基板沿所述厚度方向贯穿设置有开孔；于所述封装基板的一侧设置异方性导电层，所述异方性导电层覆盖所述开孔的一侧；经所述开孔远离所述异方性导电层的另一侧向所述开孔内放入芯片，使所述芯片沿所述厚度方向电性连接所述异方性导电层；以及于所述异方性导电层上设置第一线路板，使所述第一线路板沿所述厚度方向电性连接所述异方性导电层，获得所述封装结构。2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述芯片包括芯片本体及自所述芯片本体引出的多个芯片引脚，所述制造方法还包括步骤：将所述芯片引脚远离所述芯片本体的一侧电性连接所述异方性导电层；于所述第一线路板贯穿设置通孔，所述通孔对应于所述芯片引脚；以及于所述通孔内设置导通体，使所述导通体电性导通所述芯片引脚及所述第一线路板。3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述封装基板包括基材层、第一线路层及第二线路层，所述第一线路层及所述第二线路层设置于所述基材层的相对两侧，所述制造方法还包括步骤：微蚀刻所述第一线路层的表面以形成多个微结构；以及于所述第一线路层具有上述微结构的表面上设置所述异方性导电层。4.如权利要求3所述的制造方法，其特征在于，还包括步骤：于所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：王艳飞，
申请(专利权)人：鹏鼎控股深圳股份有限公司，
类型：发明
国别省市：