本实用新型专利技术提供了一种除去氟气中氟化氢的装置，包括NaF低温吸附塔，所述NaF低温吸附塔的顶端连通有液氮进液管道，所述NaF低温吸附塔的进口端连通有氟气进气管道，所述NaF低温吸附塔的出口端连通有氟气出气管道，所述NaF低温吸附塔的底端连通有氮气出气管道。本实用新型专利技术通过NaF吸附球对氟气中的氟化氢进行吸附处理，同时通过液氮控制NaF低温吸附塔内的温度，通过低温来提高NaF吸附球的吸附效率，可满足氟气指标要求。本实用新型专利技术通过氮气进气管道可向NaF低温吸附塔通入氮气，通过氮气加热器将氮气加热至高温，高温氮气对NaF吸附球进行活化再生，提高了NaF吸附球使用寿命，节约了成本。了成本。了成本。
【技术实现步骤摘要】
一种除去氟气中氟化氢的装置
[0001]本技术属于氟化工
，具体涉及一种除去氟气中氟化氢的装置。
技术介绍
[0002]高纯氟气(F2)是一种性质非常活泼的气体，具有强氧化性，由于其反应特性而在半导体行业作为一种蚀刻气体或清洁气体用于制造光电池和液晶显示器的TFT(薄膜晶体管)。同时，作为准分子激光器的一种气体，氟激光器也广泛应用于半导体行业。同时利用F2作为化学气相沉积(CVD)反应腔室的清洗剂，与NF3相比，F2具有更强的反应活性且不会造成温室效应。用于此目的的氟气随着国内半导体行业的蓬勃发展，需求量也在大幅增加。为了满足电子、光伏行业的需要，需要一种高纯度氟气。例如在半导体行业，需要纯度达到99.9％以上甚至99.99％的高纯度氟气。具体来说，对氟化氢等杂质的要求也越来越高，其中99.9％氟气中氟化氢含量要求至少低于200ppm，对氟化氢的去除提出了更高的要求。
[0003]现有的电解生产氟气的方法，电解产生的氟气含有大量氟化氢，含量约为5％～10％左右。工业上常用去除氟化氢的方法是采用活化后的球状氟化钠吸附纯化，吸附后的氟气中氟化氢含量大于1000ppm，离高纯氟气的要求还相差甚远，必须经过进一步纯化处理后，方可满足电子行业的需要。
技术实现思路
[0004]本技术所要解决的技术问题在于针对上述现有技术的不足，提供一种除去氟气中氟化氢的装置，该装置结构简单，使用效果好，可重复利用，可推广应用。
[0005]为解决上述技术问题，本技术采用的技术方案是：一种除去氟气中氟化氢的装置，其特征在于，包括NaF低温吸附塔，所述NaF低温吸附塔的侧端设置有温度计，所述NaF低温吸附塔的顶端连通有液氮进液管道，通过向NaF低温吸附塔内加入液氮来控制塔内温度，塔内温度控制在
‑
60℃～
‑
90℃，所述NaF低温吸附塔的进口端连通有氟气进气管道，待处理的含有氟化氢的氟气沿氟气进气管道进入NaF低温吸附塔，所述NaF低温吸附塔的出口端连通有氟气出气管道，所述NaF低温吸附塔的底端连通有氮气出气管道，用于排出冷氮气。
[0006]优选地，所述氟气进气管道靠近所述NaF低温吸附塔的部分连通有氮气进气管道，所述氮气进气管道上设置有氮气加热器，氮气加热器的侧端设置有温度计，通过氮气加热器将氮气进气管道内的氮气加热至200℃～300℃。
[0007]优选地，所述NaF低温吸附塔的填充物为NaF吸附球，所述NaF吸附球以多孔球为骨架，通过NaF吸附球吸附氟气中的氟化氢。
[0008]优选地，所述液氮进液管道、氮气进气管道、氟气进气管道、氟气出气管道和氮气出气管道上均设置有阀门。
[0009]优选地，所述NaF低温吸附塔、液氮进液管道、氮气进气管道、氟气进气管道、氟气出气管道和氮气出气管道采用碳钢、不锈钢或蒙乃尔材质加工制成，防氟化氢腐蚀。
[0010]本技术与现有技术相比具有以下优点：
[0011]1、本技术通过NaF吸附球对氟气中的氟化氢进行吸附处理，同时通过液氮控制NaF低温吸附塔内的温度，通过低温来提高NaF吸附球的吸附效率，可满足氟气指标要求。
[0012]2、本技术通过氮气进气管道可向NaF低温吸附塔通入氮气，通过氮气加热器将氮气加热至高温，高温氮气对NaF吸附球进行活化再生，提高了NaF吸附球使用寿命，节约了成本。
[0013]下面结合附图和实施例对本技术作进一步详细说明。
附图说明
[0014]图1是本技术的设备连接示意图。
[0015]附图标记说明：
[0016]1—氮气进气管道；
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
2—氮气加热器；
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
3—温度计；
[0017]4—氟气进气管道；
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
5—NaF低温吸附塔；
ꢀꢀꢀꢀꢀ
6—氮气出气管道；
[0018]7—温度计；
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
8—氟气出气管道；
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
9—液氮进液管道。
具体实施方式
[0019]为使本技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本技术的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本技术。但是本技术能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本技术内涵的情况下做类似改进，因此本技术不受下面公开的具体实施的限制。
[0020]需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。
[0021]如图1所示，本技术提供一种除去氟气中氟化氢的装置，包括NaF低温吸附塔5，所述NaF低温吸附塔5的侧端设置有温度计7，所述NaF低温吸附塔5的顶端连通有液氮进液管道9，通过向NaF低温吸附塔5内加入液氮来控制塔内温度，所述NaF低温吸附塔5的进口端连通有氟气进气管道4，待处理的含有氟化氢的氟气沿氟气进气管道4进入NaF低温吸附塔5，所述NaF低温吸附塔5的出口端连通有氟气出气管道8，所述NaF低温吸附塔5的底端连通有氮气出气管道6，用于排出冷氮气。
[0022]所述氟气进气管道4靠近所述NaF低温吸附塔5的部分连通有氮气进气管道1，所述氮气进气管道1上设置有氮气加热器2，氮气加热器2的侧端设置有温度计3，通过氮气加热器2将氮气进气管道1内的氮气加热至200℃～300℃。
[0023]所述NaF低温吸附塔5的填充物为NaF吸附球，所述NaF吸附球以多孔球为骨架，通过NaF吸附球吸附氟气中的氟化氢。
[0024]所述液氮进液管道9、氮气进气管道1、氟气进气管道4、氟气出气管道8和氮气出气管道6上均设置有阀门。
[0025]实施例1
[0026]本实施例中，所述NaF低温吸附塔、液氮进液管道、氮气进气管道、氟气进气管道、氟气出气管道和氮气出气管道采用碳钢制成，防氟化氢腐蚀。
[0027]将液氮通过液氮进液管道9通入NaF低温吸附塔5，控制NaF吸附塔温度为
‑
90℃，冷氮气通过氮气出气管道6排出；将电解产生的氟化氢含量为9.5％的氟气以1.5m3/h的流量经过氟气进气管道4从NaF低温吸附塔5下部通入NaF低温吸附塔5中，经NaF吸附球吸附去除氟化氢后，气体从氟气出气管道8进入后序管道，即得到纯化后的氟气。
[0028]通过红外光谱检测氟气中氟化氢含量为150ppm。
[0029]实施例2
[0030]本实施例中，所述NaF低温吸附塔、液氮进液管道、氮气进气管道、氟气进气管道、氟气出气管道和氮气出气管道采用不锈钢制本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种除去氟气中氟化氢的装置，其特征在于，包括NaF低温吸附塔(5)，所述NaF低温吸附塔(5)的顶端连通有液氮进液管道(9)，所述NaF低温吸附塔(5)的进口端连通有氟气进气管道(4)，所述NaF低温吸附塔(5)的出口端连通有氟气出气管道(8)，所述NaF低温吸附塔(5)的底端连通有氮气出气管道(6)。2.根据权利要求1所述的一种除去氟气中氟化氢的装置，其特征在于，所述氟气进气管道(4)靠近所述NaF低温吸附塔(5)的部分连通有氮气进气管道(1)，所述氮气进气管道(1)上设置有氮气加热器(2)。3.根据权利要求1所述的一种除去氟气中氟化氢的装置，其特征在于，所述NaF低温吸附塔(5)和氮气加...
【专利技术属性】
技术研发人员：王斌，李茹霞，赵鹏举，田伟雄，南宏伟，齐治乐，
申请(专利权)人：中船邯郸派瑞特种气体股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。