一种芯片修调电路、方法及驱动芯片技术

本发明专利技术实施例公开了一种芯片修调电路、方法及驱动芯片，涉及集成电路技术领域，该芯片修调电路包括连接于修调PAD与芯片修调电路的公共端之间的第一修调单元和第二修调单元；每个第一修调单元基于接收到的修调控制信号执行熔断或不熔断其内修调熔丝的操作；一个或多个所述第二修调单元作为至少一个所述第一修调单元的备份修调单元，执行熔断或不熔断其内修调熔丝的操作。本发明专利技术基于第一修调单元与一个或多个第二修调单元的共同修调结果来作为该第一修调单元的最终修调结果，能大大提升芯片的修调成功率。片的修调成功率。片的修调成功率。

【技术实现步骤摘要】
一种芯片修调电路、方法及驱动芯片


[0001]本专利技术涉及集成电路
，具体涉及一种芯片修调电路、方法及驱动芯片。

技术介绍

[0002]集成电路，由于自身分布影响，生产的芯片参数都会有一定的分布，在对参数精度有要求的应用中，需要使用修调的方式减小分布的影响，提高参数精度的一致性，以达到应用要求。
[0003]目前的修调手段主要有电修调等，电修调原理通过在修调熔丝两端施加电压，电流通过修调熔丝产生热量将修调熔丝烧断进而达到修调目的。然而，实际中可能出现热量并不足以使熔丝完全熔断的现象发生，导致修调熔丝熔断失败，进而导致芯片修调失败。
[0004]修调失败的芯片不满足性能要求，一般会直接报废掉，这严重降低了芯片良率，变相增加了芯片成本。

技术实现思路

[0005]本专利技术实施例提供一种芯片修调电路、方法及驱动芯片，旨在提高芯片的修调成功率。
[0006]为了解决上述问题，从第一方面，本专利技术实施例公开了一种芯片修调电路，包括：连接于修调PAD与芯片修调电路的公共端之间的第一修调单元和第二修调单元；每个第一修调单元基于接收到的修调控制信号执行熔断或不熔断其内修调熔丝的操作；一个或多个第二修调单元作为至少一个第一修调单元的备份修调单元，执行熔断或不熔断其内修调熔丝的操作。
[0007]本专利技术实施例核心专利技术点在于增加了第二修调单元作为第一修调单元的备份修调单元来使用，相比现有技术中仅利用该第一修调单元的修调结果作为最终修调结果，本专利技术基于第一修调单元与一个或多个第二修调单元的共同修调结果来作为该第一修调单元的最终修调结果，能大大提升芯片的修调成功率。换言之，当第一修调单元的修调熔丝熔断失败时，还能基于第二修调单元的修调熔丝熔断结果输出。由于第一修调单元和第二修调单元的结构主要为修调熔丝，其占用芯片面积很小，本专利技术基于较小的代价进一步提高了芯片的修调成功率，使得芯片良率增加，节约了芯片制造成本。
[0008]可选的，第一修调单元为多个，每个第一修调单元对应一个或多个第二修调单元，其中，具有对应关系的第一修调单元和第二修调单元基于接收的同一修调控制信号，执行熔断或不熔断其内修调熔丝的操作。
[0009]可选的，第一修调单元为多个，多个第一修调单元对应一个或多个第二修调单元，其中，在多个第一修调单元中的任一第一修调单元应熔断但熔断其内修调熔丝失败时，一个或多个第二修调单元作为该熔断其内修调熔丝失败的第一修调单元的备份修调单元，继续执行熔断其内修调熔丝的操作。
[0010]可选的，第一修调单元为多个，每个第一修调单元对应一个或多个第二修调单元，其中，在第一修调单元应熔断但熔断其内修调熔丝失败时，与其具有对应关系的一个或多个第二修调单元作为该第一修调单元的备份修调单元，继续执行熔断其内修调熔丝的操作。
[0011]进一步的，所有的第一修调单元和所有的第二修调单元均接同一个修调PAD。
[0012]进一步的，第一修调单元和第二修调单元均包括修调熔丝和修调开关，其中：修调熔丝和修调开关串联地连接于修调PAD和公共端之间；修调开关用于接收修调控制信号，并根据修调控制信号断开或闭合；修调熔丝用于在修调开关闭合且修调PAD接有修调电压时进行烧熔。
[0013]进一步的，芯片修调电路还包括：与多个第一修调单元具有一一对应关系的多个熔丝检测单元；每个熔丝检测单元用于检测与其具有对应关系的第一修调单元中的修调熔丝是否熔断以及检测第一修调单元对应的一个或多个第二修调单元中的修调熔丝是否熔断，并根据检测结果输出检测信号；若检测的第一修调单元和第二修调单元中的修调熔丝均未熔断，则检测信号的电平为默认电平；若检测的第一修调单元和/或第二修调单元中的修调熔丝熔断，则检测信号的电平翻转。
[0014]进一步的，一个或多个第二修调单元的数量为1
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2个，如此能在增加修调成功率的基础上，基本不会对芯片面积造成影响。
[0015]从第二方面，本专利技术实施例公开了一种驱动芯片，该驱动芯片包括如本专利技术实施例第一方面的芯片修调电路。
[0016]本专利技术实施例还公开了一种芯片修调方法，包括：对修调PAD施加修调电压；向连接于所述修调PAD与芯片修调电路的公共端之间的第一修调单元和作为所述第一修调单元的备份修调单元的一个或多个第二修调单元发送修调控制信号；具有修调备份关系的所述第一修调单元和所述第二修调单元基于接收的同一修调控制信号，执行熔断或不熔断其内修调熔丝的操作。
[0017]本专利技术实施例还公开了另一种芯片修调方法，包括：对修调PAD施加修调电压；按时序向连接于所述修调PAD与芯片修调电路的公共端之间的多个第一修调单元依次发送修调控制信号；接收到所述修调控制信号的第一修调单元在应熔断但熔断其内修调熔丝失败时，向连接于所述修调PAD与所述公共端之间的一个或多个第二修调单元发送备份修调信号；所述第二修调单元基于所述备份修调信号，作为所述应熔断但熔断其内修调熔丝失败的第一修调单元的备份修调单元，执行熔断其内修调熔丝的操作。
[0018]本专利技术实施例包括以下优点：本专利技术实施例在芯片修调电路中增加了第二修调单元作为第一修调单元的备份修调单元来使用，相比现有技术中仅利用该第一修调单元的修调结果作为最终修调结果，
本专利技术基于第一修调单元与一个或多个第二修调单元的共同修调结果来作为该第一修调单元的最终修调结果，能大大提升芯片的修调成功率。
附图说明
[0019]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例。
[0020]图1是本专利技术一种芯片修调电路的原理示意图；图2是本专利技术一实施例芯片修调电路的示意图；图3a是熔丝检测单元与第一修调单元和第二修调单元的连接方式一示意图；图3b是熔丝检测单元与第一修调单元和第二修调单元的连接方式二示意图；图4是本专利技术另一实施例芯片修调电路的示意图；图5是本专利技术实施例驱动芯片的示意图；图6是本专利技术一实施例芯片修调方法的步骤流程图；图7是本专利技术另一实施例芯片修调方法的步骤流程图。
具体实施方式
[0021]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。
[0022]本专利技术实施例提出了一种芯片修调电路、方法及驱动芯片，基于该芯片修调电路，能有效提高芯片的修调成功率。
[0023]参考图1，示出了本专利技术一种芯片修调电路的原理示意图，本专利技术实施例的该芯片修调电路主要包括：连接于修调PAD与芯片修调电路的公共端之间的第一修调单元和第二修调单元；每个第一修调单元基于接收到的修调控制信号执行熔断或不熔断其内修调熔丝的操作；一个或多个第二修调单元作为至少一个第一修调单元的备份修调单元，执行熔断或不熔断其内修调熔丝的操作。
[0024]本专利技术的核心专利技术构思为采用一个或多个第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片修调电路，其特征在于，包括：连接于修调PAD与所述芯片修调电路的公共端之间的第一修调单元和第二修调单元；每个第一修调单元基于接收到的修调控制信号执行熔断或不熔断其内修调熔丝的操作；一个或多个所述第二修调单元作为至少一个所述第一修调单元的备份修调单元，执行熔断或不熔断其内修调熔丝的操作。2.根据权利要求1所述的芯片修调电路，其特征在于，所述第一修调单元为多个，每个第一修调单元对应一个或多个所述第二修调单元，其中，具有对应关系的所述第一修调单元和所述第二修调单元基于接收的同一修调控制信号，执行熔断或不熔断其内修调熔丝的操作。3.根据权利要求1所述的芯片修调电路，其特征在于，所述第一修调单元为多个，多个第一修调单元对应一个或多个所述第二修调单元，其中，在所述多个第一修调单元中的任一第一修调单元应熔断但熔断其内修调熔丝失败时，一个或多个所述第二修调单元作为该熔断其内修调熔丝失败的第一修调单元的备份修调单元，继续执行熔断其内修调熔丝的操作。4.根据权利要求1所述的芯片修调电路，其特征在于，所述第一修调单元为多个，每个第一修调单元对应一个或多个所述第二修调单元，其中，在所述第一修调单元应熔断但熔断其内修调熔丝失败时，与其具有对应关系的一个或多个所述第二修调单元作为该第一修调单元的备份修调单元，继续执行熔断其内修调熔丝的操作。5.根据权利要求1
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4任一项所述的芯片修调电路，其特征在于，所有的第一修调单元和所有的第二修调单元均接同一个修调PAD。6.根据权利要求1
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4任一项所述的芯片修调电路，其特征在于，所述第一修调单元和所述第二修调单元均包括修调熔丝和修调开关，其中：所述修调熔丝和所述修调开关串联地连接于所述修调PAD和所述公共端之间；所述修调开关用于接收修调控制信号，并根据所述修调控制信号断开或闭合；所述修调熔丝用于在所述修...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐永生，申石林，刘阿强，黄立，
申请(专利权)人：成都利普芯微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：