闪存颗粒容量的计算方法、装置、设备及存储介质制造方法及图纸

本申请涉及一种闪存颗粒容量的计算方法、装置、设备及存储介质。该计算方法包括：计算各页地址线对应的坏页；按照预设剔除规则对各所述页地址线依次剔除，所述预设剔除规则为优先排除当前未剔除的所述页地址线中包含所述坏页最多的所述页地址线；按照预设判定规则判定每次剔除所述页地址线后的好块；根据所述好块以及所述好块包含的好页，计算得到每次剔除相应所述页地址线后的容量值；将最大的所述容量值作为所述闪存颗粒的目标容量值。本申请实施例能够使得闪存颗粒在容量计算方式更加高效。例能够使得闪存颗粒在容量计算方式更加高效。例能够使得闪存颗粒在容量计算方式更加高效。

【技术实现步骤摘要】
闪存颗粒容量的计算方法、装置、设备及存储介质


[0001]本申请涉及存储
，尤其涉及一种闪存颗粒容量的计算方法、装置、设备及存储介质。

技术介绍

[0002]闪存颗粒（NAND Flash，NF）是一种非易失存储介质（掉电后数据不会丢失），常见的U盘、TF卡/SD卡，以及大部分SSD（固态硬盘）都是由它组成的，其具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用。
[0003]对于闪存颗粒而言，闪存颗粒包含的块（Block）、页（Page）数量以及块、页质量（质量即好与坏）决定了其容量大小。在相关技术中，在进行闪存颗粒容量计算时，容量计算过程较复杂，导致容量计算方式的效率不够高效。

技术实现思路

[0004]为了使得闪存颗粒在容量计算方式更加高效，本申请提供一种闪存颗粒容量的计算方法、装置、设备及存储介质，采用如下的技术方案：本申请第一方面提供一种闪存颗粒容量的计算方法，包括：计算各页地址线对应的坏页；按照预设剔除规则对各所述页地址线依次剔除，所述预设剔除规则为优先排除当前未剔除的所述页地址线中包含所述坏页最多的所述页地址线；按照预设判定规则判定每次剔除所述页地址线后的好块；根据所述好块以及所述好块包含的好页，计算得到每次剔除相应所述页地址线后的容量值；将最大的所述容量值作为所述闪存颗粒的目标容量值。
[0005]作为本申请一种可能的实施方式，在该实施方式中，所述预设判定规则为：在剔除掉相应所述页地址线之后，若当前块中包含有未剔除的所述页地址线对应的坏页，则将当前块判定为坏块，否则判定为好块。
[0006]作为本申请一种可能的实施方式，在该实施方式中，所述计算各页地址线对应的坏页之前，还包括：获取当前所述闪存颗粒的页信息表；所述计算各页地址线对应的坏页，包括：基于所述页信息表计算各页地址线对应的坏页。
[0007]作为本申请一种可能的实施方式，在该实施方式中，所述页信息表按如下方式生成：预先往所述闪存颗粒写满源数据；读取所述闪存颗粒存储的所有数据，得到待比对数据；基于所述源数据与所述待比对数据的比对结果，生成页信息表；
将所述页信息表存储至所述闪存颗粒中。
[0008]作为本申请一种可能的实施方式，在该实施方式中,所述基于所述源数据与所述待比对数据的比对结果，生成页信息表，具体包括：当所述源数据与所述待比对数据的比对结果一致时，标记为好页；当所述源数据与所述待比对数据的比对结果不一致时，标记为坏页；基于标记的好页与坏页，生成所述页信息表。
[0009]作为本申请一种可能的实施方式，在该实施方式中，所述容量值按如下方式确定：将所述好块的数量、所述好块中好页的数量作乘法运算，得到所述容量值。
[0010]本申请第二方面提供一种闪存颗粒容量的计算装置，包括：坏页计算模块，用于计算各页地址线对应的坏页；页地址线剔除模块，用于按照预设剔除规则对各所述页地址线依次按照预设剔除规则对各所述页地址线依次剔除，所述预设剔除规则为优先排除当前未剔除的所述页地址线中包含所述坏页最多的所述页地址线；判定模块，用于按照预设判定规则判定每次剔除所述页地址线后的好块；容量计算模块，用于根据所述好块以及所述好块包含的好页，计算得到每次剔除相应所述页地址线后的容量值；目标容量确定模块，用于将最大的所述容量值作为所述闪存颗粒的目标容量值。
[0011]作为本申请一种可能的实施方式，在该实施方式中,闪存颗粒容量的计算装置，还包括：页信息表获取模块，用于获取当前所述闪存颗粒的页信息表；所述坏页计算模块，用于基于所述页信息表计算各页地址线对应的坏页。
[0012]本申请第三方面提供一种电子设备，包括：处理器；以及存储器，其上存储有可执行代码，当所述可执行代码被所述处理器执行时，使所述处理器执行如上所述的计算方法。
[0013]本申请第四方面提供一种计算机可读存储介质，其上存储有可执行代码，当所述可执行代码被电子设备的处理器执行时，使所述处理器执行如上所述的计算方法。
[0014]本申请的技术方案，包括：计算各页地址线对应的坏页；按照预设剔除规则对各所述页地址线依次剔除，所述预设剔除规则为优先排除当前未剔除的所述页地址线中包含所述坏页最多的所述页地址线；按照预设判定规则判定每次剔除所述页地址线后的好块；根据所述好块以及所述好块包含的好页，计算得到每次剔除相应所述页地址线后的容量值；将最大的所述容量值作为所述闪存颗粒的目标容量值。通过预设剔除规则和预设判定规则的方式，能够在计算闪存颗粒容量值的过程中充分地考虑块页数量和块页质量，最后比较多个容量值，将最大的容量值作为闪存颗粒的目标容量值，大大简化闪存颗粒的容量计算过程，使得容量计算方式更加高效。
[0015]应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本申请。
附图说明
[0016]通过结合附图对本申请示例性实施方式进行更详细地描述，本申请的上述以及其它目的、特征和优势将变得更加明显，其中，在本申请示例性实施方式中，相同的参考标号通常代表相同部件。
[0017]图1是本申请一实施例示出的闪存颗粒容量的计算方法的流程示意图；图2是本申请另一实施例示出的闪存颗粒容量的计算方法的流程示意图；图3是本申请实施例中页信息表的示意图；图4为图3中各条页地址线基于坏块数量排序的柱状图；图5为剔除图3中1条页地址线生成新页信息表的示意图；图6为在图5剔除的基础上又剔除1条页地址线生成新页信息表的示意图；图7为本申请一实施例中示出的块信息表的示意图；图8是本申请一实施例示出的闪存颗粒容量的计算方法的流程框图；图9是本申请另一实施例示出的闪存颗粒容量的计算装置的结构示意图；图10是本申请另一实施例示出的闪存颗粒容量的计算装置的结构示意图；图11是本申请另一实施例示出的电子设备的结构示意图。
具体实施方式
[0018]下面将参照附图更详细地描述本申请的实施方式。虽然附图中显示了本申请的实施方式，然而应该理解，可以以各种形式实现本申请而不应被这里阐述的实施方式所限制。相反，提供这些实施方式是为了使本申请更加透彻和完整，并且能够将本申请的范围完整地传达给本领域的技术人员。
[0019]在本申请使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本申请。在本申请和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。还应当理解，本文中使用的术语“和/或”是指并包含一个或多个相关联的列出项目的任何或所有可能组合。
[0020]应当理解，尽管在本申请可能采用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种信息，但这些信息不应限于这些术语。这些术语仅用来将同一类型的信息彼此区分开。例如，在不脱离本申请范围的情况下，第一信息也可以被称为第二信息，类似地，第二信息也可以被称为第一信息。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，“本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种闪存颗粒容量的计算方法，其特征在于，包括：计算各页地址线对应的坏页；按照预设剔除规则对各所述页地址线依次剔除，所述预设剔除规则为优先排除当前未剔除的所述页地址线中包含所述坏页最多的所述页地址线；按照预设判定规则判定每次剔除所述页地址线后的好块；根据所述好块以及所述好块包含的好页，计算得到每次剔除相应所述页地址线后的容量值；将最大的所述容量值作为所述闪存颗粒的目标容量值。2.根据权利要求1所述的闪存颗粒容量的计算方法，其特征在于，所述预设判定规则为：在剔除掉相应所述页地址线之后，若当前块中包含有未剔除的所述页地址线对应的坏页，则将当前块判定为坏块，否则判定为好块。3.根据权利要求1所述的闪存颗粒容量的计算方法，其特征在于，所述计算各页地址线对应的坏页之前，还包括：获取当前所述闪存颗粒的页信息表；所述计算各页地址线对应的坏页，包括：基于所述页信息表计算各页地址线对应的坏页。4.根据权利要求1所述的闪存颗粒容量的计算方法，其特征在于，所述页信息表按如下方式生成：预先往所述闪存颗粒写满源数据；读取所述闪存颗粒存储的所有数据，得到待比对数据；基于所述源数据与所述待比对数据的比对结果，生成页信息表；将所述页信息表存储至所述闪存颗粒中。5.根据权利要求4所述的闪存颗粒容量的计算方法，所述基于所述源数据与所述待比对数据的比对结果，生成页信息表，具体包括：当所述源数据与所述待比对数据的比对结果一致时，标记为好页；当所述源数据与所述待比对数据的比对结果不一致时，标记为坏页...

【专利技术属性】
技术研发人员：张辉，胡来胜，陈向兵，张如宏，
申请(专利权)人：深圳三地一芯电子有限责任公司，
类型：发明
国别省市：