一种可调整存储结构的芯片及调整方法技术

本申请公开了一种可调整存储结构的芯片，所述芯片包括可读存储模块和配置模块；所述配置模块用于基于配置参数将可读存储模块配置为用于存储代码的代码区和用于存储数据的数据区；所述代码区的存储空间与所述数据区的存储空间根据所述配置参数的变化而变化。本申请通过基于配置参数对数据区和代码区各自占用的存储空间进行动态调整，这样在实际使用过程中可根据项目需要来自由分配代码区和数据区的大小，实现Flash和Sram的双向互补，使得在不更换芯片型号的情况下，实现存储器大小的重新配置，使得项目开发更加灵活，减少由于更换芯片带来的软件和硬件开发工作，节约了用户的使用成本。用成本。用成本。

【技术实现步骤摘要】
一种可调整存储结构的芯片及调整方法


[0001]本申请涉及芯片
，特别涉及一种可调整存储结构的芯片及调整方法。

技术介绍

[0002]现有芯片通常配置有代码区和数据区，其中，代码区用于存储code，ro
‑
data、和rw
‑
data，代码区内容通常存储在Flash中；数据区用于存储rw
‑
data，zi
‑
data，数据区内容通常存储在Sram中。然而，芯片在使用过程中经过会出现代码占用空间多，数据占用空间少，或者代码占用空间少，数据占用空间多的问题，这样会导致芯片的Flash空间不够，Sram空间多余，或者Flash空间多余，Sram空间不够的情况，使得用户在存储空间还有剩余的情况更换大存储容量的芯片，提高了用户的使用成本。
[0003]因而现有技术还有待改进和提高。

技术实现思路

[0004]本申请要解决的技术问题在于，针对现有技术的不足，提供一种可调整存储结构的芯片及调整方法。
[0005]为了解决上述技术问题，本申请实施例第一方面提供了一种可调整存储结构的芯片，其特征在于，所述芯片包括可读存储模块和配置模块；所述配置模块用于基于配置参数将可读存储模块配置为用于存储代码的代码区和用于存储数据的数据区；所述代码区的存储空间与所述数据区的存储空间根据所述配置参数的变化而变化。
[0006]所述的可调整存储结构的芯片，其中，所述可读存储模块为芯片自带的可读存储模块，或者为外扩的可读存储模块
[0007]所述的可调整存储结构的芯片，其中，所述可读存储模块采用FRAM存储器或者MRAM存储器。
[0008]所述的可调整存储结构的芯片，其中，当所述可读存储模块为外扩的可读存储模块，所述代码区用于补偿所述芯片自带的Flash存储空间，所述数据区用于补偿所述芯片自带的Sram存储空间。
[0009]所述的可调整存储结构的芯片，其中，所述代码区的存储空间与所述数据区的存储空间的和等于所述可读存储模块的存储空间。
[0010]所述的可调整存储结构的芯片，其中，所述配置参数为默认配置或通过用户操作输入的。
[0011]所述的可调整存储结构的芯片，其中，所述配置模块通过选项字获取配置参数，并基于配置参数调整代码区的存储空间和数据区的存储空间。
[0012]本申请实施例第二方面提供了一种芯片存储结构的调整方法，所述的调整方法应用于如上所述的可调整存储结构的芯片，所述方法包括：
[0013]当芯片上电时，获取用于配置所述可读存储模块的配置参数；
[0014]基于所述配置参数将所述可读存储模块配置为代码区和数据区，其中，所述代码
区用于存储代码，所述数据区用于存储数据；
[0015]运行所述可读存储模块，以将代码存储至代码区，将数据存储至数据区。
[0016]所述的芯片存储结构的调整方法，其中，所述方法还包括：
[0017]当配置参数发生变化时，获取变化后的配置参数并控制芯片重新上电，以基于所述变化后的配置参数重新将所述可读存储模块配置为代码区和数据区。
[0018]所述芯片存储结构的调整方法，其中，所述获取用于配置所述可读存储模块的配置参数具体为：
[0019]通过选项字获取用于配置所述可读存储模块的配置参数，其中，所述所述配置参数为默认配置或通过用户操作输入的。
[0020]有益效果：与现有技术相比，本申请提供了一种可调整存储结构的芯片，所述芯片包括可读存储模块和配置模块；所述配置模块用于基于配置参数将可读存储模块配置为用于存储代码的代码区和用于存储数据的数据区；所述代码区的存储空间与所述数据区的存储空间根据所述配置参数的变化而变化。本申请通过基于配置参数对数据区和代码区各自占用的存储空间进行动态调整，这样在实际使用过程中可根据项目需要来自由分配代码区和数据区的大小，实现Flash和Sram的双向互补，提高了芯片存储空间的利用率，节约了用户的使用成本。
附图说明
[0021]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员而言，在不符创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0022]图1为本申请提供的可调整存储结构的芯片的结构原理图。
[0023]图2为本申请提供的可调整存储结构的芯片的中可读存储模块的划分示意图。
[0024]图3为本申请提供的可调整存储结构的芯片的可读存储模块的存储空间分配实例示意图。
[0025]图4为当可读存储模块为外扩的可读存储模块时，Flash和Sram的存储容量示意图。
[0026]图5为本申请提供的芯片存储结构的调整方法的流程图。
具体实施方式
[0027]本申请提供一种可调整存储结构的芯片及调整方法，为使本申请的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下参照附图并举实施例对本申请进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。
[0028]本
技术人员可以理解，除非特意声明，这里使用的单数形式“一”、“一个”、“所述”和“该”也可包括复数形式。应该进一步理解的是，本申请的说明书中使用的措辞“包括”是指存在所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但是并不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。应该理解，当我们称元件被“连接”或“耦接”到另一元件时，它可以直接连接或耦接到其他元件，或者也可以存在
中间元件。此外，这里使用的“连接”或“耦接”可以包括无线连接或无线耦接。这里使用的措辞“和/或”包括一个或更多个相关联的列出项的全部或任一单元和全部组合。
[0029]本
技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)，具有与本申请所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语，应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样被特定定义，否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。
[0030]应理解，本实施例中各步骤的序号和大小并不意味着执行顺序的先后，各过程的执行顺序以其功能和内在逻辑确定，而不应对本申请实施例的实施过程构成任何限定。
[0031]专利技术人经过研究发现，现有芯片通常配置有代码区和数据区，其中，代码区用于存储code，ro
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data、和rw
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data，代码区内容通常存储在Flash中；数据区用于存储rw
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data，zi
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data，数据区内容通常存储在Sram中。然而，芯片在使用过程中经过会出现代码占用空间多，数据占用空间少，或者代码占用空间少，数据占用空间多的问题，这样会导致芯片的Flash本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种可调整存储结构的芯片，其特征在于，所述芯片包括可读存储模块和配置模块；所述配置模块用于基于配置参数将可读存储模块配置为用于存储代码的代码区和用于存储数据的数据区；所述代码区的存储空间与所述数据区的存储空间根据所述配置参数的变化而变化。2.根据权利要求1所述的可调整存储结构的芯片，其特征在于，所述可读存储模块为芯片自带的可读存储模块，或者为外扩的可读存储模块。3.根据权利要求1或2所述的可调整存储结构的芯片，其特征在于，所述可读存储模块采用FRAM存储器或者MRAM存储器。4.根据权利要求2所述的可调整存储结构的芯片，其特征在于，当所述可读存储模块为外扩的可读存储模块，所述代码区用于补偿所述芯片自带的Flash存储空间，所述数据区用于补偿所述芯片自带的Sram存储空间。5.根据权利要求1所述的可调整存储结构的芯片，其特征在于，所述代码区的存储空间与所述数据区的存储空间的和等于所述可读存储模块的存储空间。6.根据权利要求1所述的可调整存储结构的芯片，其特征在于，所述配置参数为默认配置或通过用户操作输入的。7.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘吉平，王少华，王翔，郑增忠，
申请(专利权)人：深圳市航顺芯片技术研发有限公司，
类型：发明
国别省市：