树脂组合物和电子部件制造技术

一种树脂组合物，该树脂组合物的成型体是电磁波吸收体，所述成型体在25℃、10GHz条件下的复介电常数的虚部ε”和25℃条件下的体积电阻率ρv满足下述式(1)，所述虚部ε”大于1.25，20＜(logρv)

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】树脂组合物和电子部件


[0001]本专利技术涉及一种具有电磁波吸收功能的树脂组合物和电子部件。

技术介绍

[0002]近年来，进一步要求电子设备的高速工作性，存储器和CPU(中央处理器，Central Processing Unit)、PMIC(电源管理集成电路，Power Management Integrated Circuit)、Bluetooth(蓝牙，注册商标)模块等的IC(集成电路，Integrated Circuit)的工作频率迅速上升，并从这些IC发出高频的电磁波噪声。在信息通信领域中，对大量传输、高速传输的要求日益严格，为了满足其要求，必须使工作频率、载波频率一同高频化。
[0003]另一方面，为了确保通信设备的传输可靠性，需要防止电磁干扰。例如，作为抑制电磁波噪声的方法，已知具备金属制的屏蔽层的电磁波屏蔽材料。例如，作为专利文献1，提出了一种电磁波屏蔽材料，其是使软磁性金属粉末分散在橡胶或塑料的基体中并成型成片状而制成的，所述软磁性金属粉末是从Fe、Ni、Co和V中选择的金属的粉末或是由这些金属中的两种以上构成的合金的粉末等。另外，作为专利文献2，提出了一种将电波吸收层在金属体的表面层叠而成的片状电波吸收体，所述电波吸收层由电波吸收材料形成，所述电波吸收材料是使碳化硅粉末分散在基体树脂中而成的。此外，作为专利文献3，提出了一种5～7GHz频带的电磁波吸收片，其具有：由含碳材料的基体构成的电介质层；在所述电介质层的一面上层叠的分割导电膜层；以及在所述电介质层的另一面上层叠的电磁波反射层。r/>[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特开2001
‑
68889号公报；
[0007]专利文献2：日本特开2005
‑
57093号公报；
[0008]专利文献3：日本特开2012
‑
209515号公报。

技术实现思路

[0009]本专利技术是基于这些见解而完成的。
[0010]即，本专利技术涉及以下方案。
[0011][1]本专利技术的树脂组合物，该树脂组合物的成型体是电磁波吸收体，所述成型体在25℃、10GHz条件下的复介电常数的虚部(ε
″
)和25℃条件下的体积电阻率(ρv)满足下述式(1)，所述虚部(ε
″
)大于1.25。
[0012]20＜(logρv)
×
ε
″
＜600
ꢀꢀ
(1)
[0013][2]本专利技术的电子部件，具备上述[1]所述的树脂组合物的成型体。
附图说明
[0014]图1是表示本专利技术一实施方式的电子部件的截面图。
具体实施方式
[0015]在电磁波吸收体中，使用磁性体的电磁波吸收体在5GHz以上且100GHz以下的GHz量级的高频带条件下，复磁导率降低且电磁波噪声抑制效果不充分。另外，利用金属的反射的方法无法避免所谓的自体中毒。
[0016]本专利技术的树脂组合物能够获得在高频带条件下电磁波吸收性能优异的成型体。
[0017]以下，参照一实施方式详细说明本专利技术。
[0018]本专利技术的树脂组合物中，该树脂组合物的成型体是电磁波吸收体，所述成型体在25℃、10GHz条件下的复介电常数的虚部(ε
″
)和25℃条件下的体积电阻率(ρv)满足下述式(1)。另外，所述虚部(ε
″
)大于1.25。
[0019]20＜(logρv)
×
ε
″
＜600
ꢀꢀ
(1)
[0020]在通过成型体的介电损耗来吸收高频电磁波的情况下，需要增大该成型体的复介电常数中的虚部(ε
″
)。另一方面，所述ε
″
相当于交流电下的电阻成分，该ε
″
大的材料通常在直流电下的电阻小。由于所述成型体也要求电绝缘性能，因此需要增大该成型体在直流电下的电阻。本专利技术人发现通过使成型体在25℃、10GHz条件下的复介电常数的虚部(ε
″
)和25℃条件下的体积电阻率(ρv)满足上述式(1)，能够在增大所述成型体的直流电电阻的同时，提高在高频带条件下的电磁波吸收性能。
[0021]所述成型体的复介电常数的虚部(ε
″
)与体积电阻率(ρv)的对数的乘积大于20。当所述ε
″
与ρv的对数的乘积大于20时，高频带条件下的电磁波吸收性能或电绝缘性足够。从这样的观点出发，根据用途，所述ε
″
与ρv的对数的乘积可以为30以上，可以为40以上，可以为45以上。所述ε
″
与ρv的对数的乘积的上限没有特别设定，由ε
″
和ρv的上限值决定。所述ε
″
与ρv的对数的乘积的上限可以小于600。当所述ε
″
与ρv的对数的乘积为600以上时，存在信号损失增大的风险。从这样的观点出发，所述ε
″
与ρv的对数的乘积可以为300以下，可以为100以下，可以为80以下。
[0022]所述ε
″
大于1.25。当所述ε
″
为1.25以下时，存在成型体在高频带条件下的电磁波吸收能降低的风险。从这样的观点出发，所述ε
″
可以为3以上，可以为4以上，可以为5以上，可以为6以上。另一方面，所述ε
″
的上限可以小于40，可以为35以下。
[0023]从降低信号损失的观点出发，所述成型体在25℃、10GHz条件下的复介电常数的实部(ε
′
)可以小于40，可以小于30，可以小于25。所述ε
′
的下限没有特别设定，可以大于1.25。
[0024]需要说明的是，所述ε
′
和ε
″
能够通过波导法测定，具体而言，能够通过实施例中记载的方法测定。
[0025]另外，从降低电磁波信号损失的观点出发，所述成型体在25℃、10GHz条件下的介电损耗角正切(tanδ)可以为0.1以上且0.8以下，可以为0.2以上且0.75以下。
[0026]从电绝缘性能的观点出发，所述成型体在25℃条件下的体积电阻率(ρv)可以为1.0
×
106Ωcm以上，可以为1.0
×
107Ωcm以上。上限没有特别设定，可以为1.0
×
10
16
Ωcm以下。
[0027]需要说明的是，所述ρv能够依据JIS K
‑
6911：2006进行测定，具体而言，能够通过实施例中记载的方法测定。
[0028]考虑到在需要轻量化的便携设备和车载中的应用，所述成型体可以具有低比重。所述成型体的比重可以为1.2以上且3.2以下，可以为1.5以上且3.0以下。
[0029]需本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种树脂组合物，其中，树脂组合物的成型体是电磁波吸收体，所述成型体在25℃、10GHz条件下的复介电常数的虚部ε
″
和25℃条件下的体积电阻率ρv满足下述式(1)，所述虚部ε
″
大于1.25，20＜(log ρv)
×
ε
″
＜600
ꢀꢀꢀ
(1)。2.如权利要求1所述的树脂组合物，其中，所述成型体在25℃、10GHz条件下的复介电常数的实部ε
′
小于40。3.如权利要求1或2所述的树脂组合物，其中，所述成型体的热膨胀系数为1～4...

【专利技术属性】
技术研发人员：内田健，鹤见浩一，
申请(专利权)人：京瓷株式会社，
类型：发明
国别省市：