基板处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种基板处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质，为能够预知排气性能的降低而维持高生产率的技术。该技术中，具有：多个处理室，其对基板进行处理；处理气体供给部，其进行向处理室的处理气体供给；非活性气体供给部，其进行向处理室的非活性气体供给；排气管，其具备与多个处理室分别单独地连接的多个处理室排气管以及在处理室排气管的下游侧以使各处理室排气管合流的方式配置的共通气体排气管；压力调整阀，其设于共通气体排气管；和压力检测部，其检测排气管的压力，并且具备控制部，该控制部控制成在非活性气体供给部开始向处理室供给非活性气体后，以规定时间由压力检测部检测处理室排气管的压力，从而检测出压力的变动。力的变动。力的变动。

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质


[0001]本专利技术涉及基板处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质。

技术介绍

[0002]作为在半导体器件的制造工序中使用的基板处理装置，例如存在具备多个对基板进行处理的处理室、且在各处理室中排气系统共用化的装置。具体而言，存在构成为多个处理室分别连接有排气管、而且在其下游侧各排气管合流的装置(例如参照专利文献1)。通过在各处理室中对基板进行相同的处理，能够提高生产率。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2017
‑
45880号公报

技术实现思路

[0006]虽然处理室连接有排气管，但若这些排气管的排气性能低于所期望的性能，则基板处理的品质也会降低，其结果为有陷入合格率降低的隐患。
[0007]本专利技术的目的在于提供一种能够预知排气性能的降低而维持高生产率的技术。
[0008]根据本专利技术的一个方案，提供一种技术，具有：
[0009]多个处理室，其对基板进行处理；处理气体供给部，其进行向上述处理室的处理气体供给；非活性气体供给部，其进行向上述处理室的非活性气体供给；排气管，其具备与上述多个处理室分别单独地连接的多个处理室排气管以及在上述处理室排气管的下游侧以使各处理室排气管合流的方式配置的共通气体排气管；压力调整阀，其设于上述共通气体排气管；和压力检测部，其检测上述排气管的压力，而且具备控制部，该控制部控制成在上述非活性气体供给部开始向上述处理室供给非活性气体后，以规定时间由上述压力检测部检测上述处理室排气管的压力，从而检测出压力变动。
[0010]专利技术效果
[0011]根据本专利技术的技术，能够预知排气性能降低而维持高生产率。
附图说明
[0012]图1是第一实施方式的基板处理装置的概略结构图。
[0013]图2是第一实施方式的基板处理装置的腔室的结构图。
[0014]图3是第一实施方式的基板处理装置的控制器的结构图。
[0015]图4是说明第一实施方式的控制器所具有的表的说明图。
[0016]图5是第一实施方式的基板处理工序的流程图。
[0017]图6是对第一实施方式的流程的各工序与部件的动作之间的关系性进行了说明的说明图。
[0018]图7是第一实施方式的膜处理工序的流程图。
[0019]图8是第二实施方式的基板处理工序的流程图。
[0020]附图标记说明
[0021]100
…
腔室
[0022]110
…
工艺模块
[0023]200
…
基板
[0024]224、226
…
处理室排气管
[0025]227
…
压力检测部
[0026]301
…
处理室
[0027]302
…
处理容器
[0028]305
…
处理空间
具体实施方式
[0029]以下说明本专利技术的实施方式。
[0030]＜第一实施方式＞
[0031]首先，依照附图说明本专利技术的第一实施方式。
[0032](1)基板处理装置的结构
[0033]图1是第一实施方式的基板处理装置的概略结构图。
[0034]如图1所示，基板处理装置10构成为大体具备工艺模块110、和与工艺模块110相连的气体供给部及气体排出部。
[0035](工艺模块)
[0036]工艺模块110具有用于对基板200进行规定处理的腔室100。作为腔室100，包含腔室100a和腔室100b。也就是说，工艺模块110具有多个腔室100a、100b。在各腔室100a、100b之间设有分隔壁150，构成为各个腔室100a、100b内的气体环境不会混在一起。腔室100的详细构造将在后叙述。
[0037]成为处理对象的基板200能够列举例如嵌入半导体集成电路器件(半导体器件)的半导体晶片基板(以下也简称为“基板”或“晶片”)。
[0038](气体供给部)
[0039]工艺模块110连接有分别向各腔室100a、100b供给处理气体等的气体供给部。气体供给部具有第一气体供给部、第二气体供给部、第三气体供给部。以下，说明各气体供给部的结构。
[0040](第一气体供给部)
[0041]在各腔室100a、100b连接有第一处理气体供给管111a、111b，而且在第一处理气体供给管111a、111b连接有第一处理气体共通供给管112。在第一处理气体共通供给管112的上游侧，配置有第一处理气体源113。在第一处理气体源113与腔室100a、100b之间，从上游侧起按顺序分别设有质量流量控制器(MFC)115a、115b和处理室侧阀116a、116b。由这些第一处理气体共通供给管112、MFC115a、115b、处理室侧阀116a、116b、作为第一气体供给管的第一处理气体供给管111a、111b构成第一气体供给部。此外，也可以构成为将第一处理气体源113包含于第一气体供给部。
[0042]从第一处理气体源113供给处理气体之一的作为第一处理气体的原料气体。在此，
第一元素是例如硅(Si)。即，原料气体是例如含硅气体。具体而言，作为含硅气体，使用六氯乙硅烷(Si2Cl6：以下也称为HCDS)气体。
[0043](第二气体供给部)
[0044]在各腔室100a、100b连接有第二处理气体供给管121a、121b，而且在第二处理气体供给管121a、121b连接有第二处理气体共通供给管122。在第二处理气体共通供给管122的上游侧，配置有第二处理气体源123。在第二处理气体源123与腔室100a、100b之间，从上游侧起按顺序分别设有MFC125a、125b和处理室侧阀126a、126b。由这些MFC125a、125b、处理室侧阀126a、126b、第二处理气体共通供给管122、作为第二气体供给管的第二处理气体供给管121a、121b构成第二气体供给部(反应气体供给部)。此外，也可以构成为将第二处理气体源123包含于第二气体供给部。
[0045]从第二处理气体源123供给处理气体之一的作为第二处理气体的反应气体。反应气体是例如含氧气体。具体而言，作为含氧气体，例如使用氧气(O2)。在此将第一气体供给部和第二气体供给部统称为处理气体供给部。
[0046](第三气体供给部)
[0047]在第一处理气体供给管111a、111b及第二处理气体供给管121a、121b连接有第一非活性气体供给管131a、131b。而且，在第一非活性气体供给管131a、131b连接有第一非活性气体共通供给管132。在第一非活性气体共通供给管132的上游侧配置有第一非活性气体(吹扫气体)源133。在第一非活性气体源133与腔室100a、100b之间，从上游侧起按本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，具有以下工序：在与多个处理室分别单独地连接的多个处理室排气管以及在所述多个处理室排气管的下游侧以使各处理室排气管合流的方式配置的共通气体排气管中，将所述共通气体排气管所具备的压力调整阀的开度调整成规定开度，一边向多个所述处理室供给非活性气体一边从所述排气管对各处理室的气体环境进行排气，从而调整所述处理室的压力的工序；一边向多个所述处理室供给处理气体一边从所述排气管对各处理室的气体环境进行排气，在各处理室中对基板进行处理的工序；和与向多个所述处理室供给非活性气体并行地，以规定时间由压力检测部测定所述处理室排气管的压力，从而检测出所述处理室排气管中的压力变动的工序。2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述压力检测部在所述非活性气体从所述处理室排气管通过后开始检测压力。3.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述压力检测部在从所述基板被搬入到所述处理室起到开始向所述处理室供给处理气体为止的期间，以所述规定时间检测所述处理室排气管的压力。4.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述压力检测部在从对所述基板停止向所述处理室供给处理气体起到所述基板被从所述处理室搬出为止的期间，以所述规定时间检测所述处理室排气管的压力。5.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述压力检测部在从停止向所述处理室供给处理气体起到所述基板移动到基板搬送位置为止的期间，以所述规定时间检测所述处理室排气管的压力。6.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述压力检测部在所述压力调整阀的开度被固定的状态下运转。7.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述压力检测部设于各个所述处理室排气管，各个所述压力检测部并行地检测各个所述处理室排气管的压力。8.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述压力检测部设于各个所述处理室排气管，所述压力检测部在所述压力调整阀的开度被固定的状态下运转。9.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述压力检测部构成为在从所述处理气体供给部向所述处理室供给处理气体之前停止压力检测。10.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述压力检测部构成为在从所述处理室搬出所述基板之前检测压力。11.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述压力检测部设于各个所述处理室排气管，各个所述压力检测部构成为在从所述处理气体供给部向所述处理室供给处理气体之前停止压力检测。12.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述压力检测部设于各个所述处理室排气管，
各个所述压力检测部构成为在从所述处理室搬出所述基板之前检测压力。13.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，还具有存储与压力上升速度值进行比较的比较数据的存储部，所述控制部将变动值和所述比较数据进行比较。14.如权利要求13所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述比较数据是正常工作的情况下的数据或品质最高的数据。15.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述压力检测部设于各个所述处理室排气管，在所述压力调整阀的开度被固定的状态下，各个所述压力检测部检测各个所述处理室排气管的压力变动，在由各个所述压力检测部检测出的压力上升速...

【专利技术属性】
技术研发人员：板谷秀治，菊池俊之，大桥直史，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：