部件承载件以及制造部件承载件的方法技术

提供了一种制造部件承载件(100)的方法，其中，该方法包括：提供包括至少一个电传导层结构(102)和至少一个电绝缘层结构(104)的叠置件；在所述至少一个电绝缘层结构(104)上形成图案化的薄膜掩模(110)；以及通过等离子体蚀刻而穿过图案化的薄膜掩膜(110)中的凹部(112)在所述至少一个电绝缘层结构(104)中形成孔(120)。另外，提供了一种部件承载件(100)。提供了一种部件承载件(100)。提供了一种部件承载件(100)。

【技术实现步骤摘要】
部件承载件以及制造部件承载件的方法


[0001]本专利技术涉及制造部件承载件的方法及部件承载件。

技术介绍

[0002]在配装有一个或更多个部件的部件承载件的产品功能渐增以及这种部件的日益小型化以及要安装在部件承载件、比如印刷电路板(PCB)上的部件数量增长的环境下，正在使用具有多个部件的越来越强大的阵列状部件或封装件，该阵列状部件或封装件具有多个接触部或连接部，其中，这些接触部之间的间隔越来越小。PCB行业特别地面临调整已生产的印刷电路板的尺寸以满足小型化需求的任务。这尤其可能涉及在PCB的介电层中生成小的过孔。出于这种目的，激光钻孔是不利的，因为激光钻孔通常导致具有截头圆锥形状的锥形孔并且激光钻孔的底部尺寸对于微小的过孔而言太小，且互连的可靠性风险高。相反，等离子蚀刻在PCB制造中制作小的过孔方面是非常流行的。
[0003]常规地，在用于形成过孔的等离子刻蚀期间，通常使用铜箔或厚的干膜作为保护层以制作适形掩模。然而，由于铜箔厚度大并且干膜容易损坏并且在使用干膜制作适形掩模时可能造成污染，因此难以制成小的适形掩模。

技术实现思路

[0004]可能需要制造这样的部件承载件：该部件承载件允许生成小的过孔、比如直径小于12μm的过孔、具有高可靠性并且没有污染问题。
[0005]根据本专利技术的示例性实施方式，提供了一种制造部件承载件的方法，其中，该方法包括：提供包括至少一个电传导层结构和至少一个电绝缘层结构的叠置件；在所述至少一个电绝缘层结构上形成图案化的薄膜掩模；以及通过等离子体蚀刻而穿过图案化的薄膜掩膜中的凹部在所述至少一个电绝缘层结构中形成孔。
[0006]根据本专利技术的另一示例性实施方式，提供了一种部件承载件，该部件承载件包括：叠置件，该叠置件包括至少一个电传导层结构和至少一个电绝缘层结构；以及位于所述至少一个电绝缘层结构中的孔，该孔由大致竖向的侧壁限界并且具有在从1μm至12μm的范围内的直径(特别是平均直径)。
[0007]在本申请的上下文中，术语“部件承载件”可以特别地表示能够将一个或更多个部件容置在该部件承载件上和/或该部件承载件中以提供机械支撑和/或电连接的任何支撑结构。换句话说，部件承载件可以构造成用于部件的机械承载件和/或电子承载件。特别地，部件承载件可以是印刷电路板、有机中介层和IC(集成电路)基板中的一者。部件承载件还可以是将以上提及的类型的部件承载件中的不同类型的部件承载件组合的混合板。
[0008]在本申请的上下文中，术语“图案化的薄膜掩模”可以特别地表示图案化或结构化(更具体地设置有凹部)的薄膜(特别地具有小于3μm、比如在从50nm至2μm的范围内的厚度)，该薄膜可以用作掩模(或模板)以用于借助于特别是等离子体蚀刻而在下侧(下面)的电绝缘层或介电层中形成孔。
[0009]在本申请的上下文中，术语“等离子体蚀刻”可以特别地表示可以将物理蚀刻和化学反应组合并且可以包括反应离子蚀刻(RIE)的干蚀刻技术，这在蚀刻各向异性方面可能是特别有利的。特别地，根据本专利技术的示例性实施方式，可以通过等离子体蚀刻而在电绝缘(或介电)层结构中形成由大致竖向的侧壁限界的小的孔。
[0010]在本申请的上下文中，术语“大致竖向的侧壁”可以特别地表示：(例如，孔的)侧壁与竖向方向的偏差不超过10％、优选地不超过5％，并且/或者孔的底部直径与孔的顶部直径之间的差小于15％、优选地小于5％。由大致竖向的侧壁限界的孔可以特别地代表具有大致筒形形状的孔。
[0011]根据本专利技术的示例性实施方式，提供了一种制造部件承载件的方法，其中，薄膜、例如无电沉积的或层压的铜薄膜用作保护层，以制作用于形成过孔的适形掩模。由于适形掩模的厚度小，这种薄膜可以借助于例如UV激光器或优化的CO2激光器(而不是借助于例如光刻工艺)而被图案化(更具体地设置有凹部)，使得以非常精确且可靠的方式在薄膜中形成具有小直径的凹部。所产生的图案化的薄膜掩模允许通过等离子体蚀刻而以高可靠性且在没有污染问题的情况下形成小的过孔。因此，可以获得包括具有大致竖向的侧壁的小的过孔(比如，具有12μm或更小的平均直径)的部件承载件。
[0012]示例性实施方式的详细描述
[0013]在下文中，将对制造部件承载件的方法和部件承载件的另外的示例性实施方式进行说明。然而，本专利技术不限于示例性实施方式的以下具体描述，而是示例性实施方式的以下具体描述仅用于说明性的目的。
[0014]应当指出的是，结合一个示例性实施方式或示例性方面描述的特征可以与任何其他示例性实施方式或示例性方面组合，特别地，除非另外特别说明，否则结合制造部件承载件的方法的任何示例性实施方式描述的特征可以与制造部件承载件的方法的任何其他示例性实施方式和部件承载件的示例性实施方式组合，反之亦然。
[0015]除非另有特别说明，否则在提及单数术语时使用不定冠词或定冠词、比如“一”、“一种”或“该”的情况下，还包括该术语的复数，反之亦然，而如本文中所使用的，用词“一个”或数字“1”通常是指“仅一个”或“恰好一个”。
[0016]应当指出的是，术语“包括”不排除其他元件或步骤，并且如本文中所使用的，术语“包括”不仅包括“包括”、“包括有”或“包含”的含义，而且可以包含“基本上由
……
组成”和“由
……
组成”。
[0017]除非另有特别说明，否则如本文中所使用的，表述“至少局部地”、“至少部分地”、
“…
的至少部分”或
“…
的至少一部分”可以指其至少1％、特别是其至少5％、特别是其至少10％、特别是其至少15％、特别是其至少20％、特别是其至少25％、特别是其至少30％、特别是其至少35％、特别是其至少40％、特别是其至少45％、特别是其至少50％、特别是其至少55％、特别是其至少60％、特别是其至少65％、特别是其至少70％、特别是其至少75％、特别是其至少80％、特别是其至少85％、特别是其至少90％、特别是其至少95％、特别是其至少98％、并且还可以包括其100％。
[0018]在实施方式中，图案化的薄膜掩模是金属的。特别地，图案化的薄膜掩模可以包括铜或由铜组成。然而，其他合适的金属或合金也可以用于图案化的薄膜掩模。
[0019]在实施方式中，图案化的薄膜掩模是通过无电沉积而形成的。通过采取这种措施，
可以生成非常薄的膜(例如，低至50μm的厚度)，随后可以借助于特别是UV激光器或优化的CO2激光器对该膜进行图案化。
[0020]在实施方式中，无电沉积包括物理沉积工艺，该物理沉积工艺特别是溅射或物理气相沉积(PVD)。
[0021]在替代性的实施方式中，无电沉积包括化学沉积工艺，该化学沉积工艺比如是化学气相沉积(CVD)、原子层沉积(ALD)或无电镀。例如，无电沉积可以包括形成种子层(例如，包括钯或由钯组成)，接着使金属(特别是铜)在种子层上化学生长。
[0022]在实施方式中，图案化的薄膜掩模具有在从20nm至700n本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制造部件承载件(100)的方法，其中，所述方法包括：提供包括至少一个电传导层结构(102)和至少一个电绝缘层结构(104)的叠置件；在所述至少一个电绝缘层结构(104)上形成图案化的薄膜掩模(110)；以及通过等离子体蚀刻而穿过所述图案化的薄膜掩模(110)中的凹部(112)在所述至少一个电绝缘层结构(104)中形成孔(120)。2.根据权利要求1所述的制造部件承载件(100)的方法，其中，所述图案化的薄膜掩模(110)是金属的。3.根据权利要求1或2所述的制造部件承载件(100)的方法，其中，所述图案化的薄膜掩模(110)是通过无电沉积而形成的。4.根据权利要求3所述的制造部件承载件(100)的方法，其中，所述无电沉积包括物理沉积工艺。5.根据权利要求3所述的制造部件承载件(100)的方法，其中，所述无电沉积包括化学沉积工艺。6.根据权利要求1或2所述的制造部件承载件(100)的方法，其中，所述图案化的薄膜掩模(110)具有在从20nm至700nm的范围内的厚度。7.根据权利要求1或2所述的制造部件承载件(100)的方法，其中，所述图案化的薄膜掩膜(110)是通过层压而形成的。8.根据权利要求1或2所述的制造部件承载件(100)的方法，其中，所述方法包括在所述电绝缘层结构(104)上形成连续薄膜(108)，以及通过激光加工或通过光刻工艺而对所述连续薄膜(108)进行图案化。9.根据权利要求8所述的制造部件承载件(100)的方法，其中，所述激光加工包括通过UV激光器、CO2激光器或准分子激光器中的至少一者而对所述连续薄膜(108)进行图案化。10.根据权利要求1或2所述的制造部件承载件(100)的方法，其中，所述电绝缘层结构(104)具有在从5μm至100μm的范围内的厚度。11.根据权利要求1或2所述的制造部件承载件(100)的方法，其中，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘露，蒋明川，
申请(专利权)人：奥特斯科技重庆有限公司，
类型：发明
国别省市：