一种具有压差控制机构的高温双室真空沉积炉制造技术

本实用新型专利技术公开了沉积炉技术领域的一种具有压差控制机构的高温双室真空沉积炉，包括加热室，所述加热室的内部固定安装有反应室，所述加热室和反应室之间固定安装有加热器，本实用新型专利技术通过预储罐的设置，能够将混合后的气体通过进气泵添加到其中，并且通过开合组件的控制，使预储罐中的混合气体进入到反应室中，当反应室内部气压产生变化的时候，气压过高时，可将多余的气体输送到回收罐中，气压过低时，回收罐中的气体会再次回流到反应室中，从而使反应室内部的气压始终保持最佳的反应状态，并且在气压变动的时候，输送的气体仍然为最开始的混合气体，因此不会使气体的性质发生改变，从而不会对反应造成影响。从而不会对反应造成影响。从而不会对反应造成影响。

【技术实现步骤摘要】
一种具有压差控制机构的高温双室真空沉积炉


[0001]本技术涉及沉积炉
，具体为一种具有压差控制机构的高温双室真空沉积炉。

技术介绍

[0002]化学气相沉积(CVD)是指化学气体或蒸汽在基质表面反应合成涂层或纳米材料的方法，是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术，包括大范围的绝缘材料，大多数金属材料和金属合金材料。
[0003]在进行化学气相沉积时需要用到沉积炉，但是目前的沉积炉存在以下缺陷，由于沉积反应需要用到两种或者两种以上的混合气体，而且反应时反应室内部的气体压强会产生改变，因此当压差出现变化的时候，传统的方式是直接向反应室内部注入气体，或者将气体排出，这种方式会改变反应室内部气体的混合比例，从而对沉积质量造成影响。
[0004]基于此，本技术设计了一种具有压差控制机构的高温双室真空沉积炉，以解决上述问题。

技术实现思路

[0005]本技术的目的在于提供一种具有压差控制机构的高温双室真空沉积炉，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0006]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种具有压差控制机构的高温双室真空沉积炉，包括加热室，所述加热室的内部固定安装有反应室，所述加热室和反应室之间固定安装有加热器，所述加热室的背面固定安装有竖板，所述竖板的底部固定安装有电动推杆，所述电动推杆的底部固定安装有密封盖，所述密封盖的底部嵌设有气压传感器，所述加热室的左侧固定安装有预储罐，所述加热室的右侧固定安装有回收罐；
[0007]所述预储罐顶部的右侧连通有添加管，所述添加管的另一端与反应室连通，所述添加管的内壁固定安装有开合组件，所述预储罐顶部的左侧连通有进气泵，所述进气泵的排气端连通有充气管，所述充气管的另一端与预储罐连通；
[0008]所述回收罐的内壁固定安装有隔板，所述回收罐内腔的底部固定安装有循环气泵，所述循环气泵的进气端连通有抽气管，所述抽气管的另一端与隔板连通，所述循环气泵的排气端连通有循环管，所述循环管的另一端与预储罐连通，所述回收罐顶部的右侧固定安装有真空泵，所述真空泵的进气端连通有真空管，所述真空管的左端与反应室连通，所述真空管的底部连通有回流管，所述回流管的底部与回收罐连通。
[0009]优选的，所述充气管的表面固定安装有第一电磁阀，所述抽气管的表面固定安装有第二电磁阀，所述回流管的表面固定安装有第三电磁阀。
[0010]优选的，所述循环管的表面固定安装有第一单向阀，所述第一单向阀为左出右进设置。
[0011]优选的，所述真空管的表面固定安装有第二单向阀，所述第二单向阀为左进右出
设置。
[0012]优选的，所述开合组件包括空心管，所述空心管的内腔滑动连接有顶杆，所述顶杆的内壁螺纹连接有丝杆，所述空心管内腔的左侧固定安装有微型电机，所述微型电机的输出轴与丝杆的左侧固定安装，所述顶杆的右侧固定安装有密封板。
[0013]优选的，所述密封板的左侧固定安装有金属密封圈，所述金属密封圈的左侧与添加管的右侧贴合。
[0014]优选的，所述空心管和顶杆的截面形状均为矩形设置，所述空心管的顶部和底部均焊接有固定块，所述固定块固定安装在添加管的内壁。
[0015]与现有技术相比，本技术的有益效果是：本技术通过预储罐的设置，能够将混合后的气体通过进气泵添加到其中，并且通过开合组件的控制，使预储罐中的混合气体进入到反应室中，当反应室内部气压产生变化的时候，气压过高时，可将多余的气体输送到回收罐中，气压过低时，回收罐中的气体会再次回流到反应室中，从而使反应室内部的气压始终保持最佳的反应状态，并且在气压变动的时候，输送的气体仍然为最开始的混合气体，因此不会使气体的性质发生改变，从而不会对反应造成影响。
附图说明
[0016]为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例描述所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0017]图1为本技术结构示意图；
[0018]图2为本技术添加管正视剖面图；
[0019]图3为本技术空心管和顶杆的立体示意图；
[0020]图4为本技术回收罐局部正视剖面图。
[0021]附图中，各标号所代表的部件列表如下：
[0022]1、加热室；2、反应室；3、加热器；4、竖板；5、电动推杆；6、密封盖；7、气压传感器；8、预储罐；9、回收罐；10、添加管；11、开合组件；111、空心管；112、顶杆；113、丝杆；114、微型电机；115、密封板；12、进气泵；13、充气管；14、隔板；15、循环气泵；16、抽气管；17、循环管；18、真空泵；19、真空管；20、回流管；21、第一电磁阀；22、第二电磁阀；23、第三电磁阀；24、第一单向阀；25、第二单向阀；26、金属密封圈；27、固定块。
具体实施方式
[0023]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例，基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本技术保护的范围。
[0024]实施例一
[0025]请参阅附图，本技术提供一种技术方案：一种具有压差控制机构的高温双室真空沉积炉，包括加热室1，加热室1的内部固定安装有反应室2，加热室1和反应室2之间固
定安装有加热器3，加热室1的背面固定安装有竖板4，竖板4的底部固定安装有电动推杆5，电动推杆5的底部固定安装有密封盖6，密封盖6的底部嵌设有气压传感器7，加热室1的左侧固定安装有预储罐8，加热室1的右侧固定安装有回收罐9；
[0026]预储罐8顶部的右侧连通有添加管10，添加管10的另一端与反应室2连通，添加管10的内壁固定安装有开合组件11，预储罐8顶部的左侧连通有进气泵12，进气泵12的排气端连通有充气管13，充气管13的另一端与预储罐8连通；
[0027]回收罐9的内壁固定安装有隔板14，回收罐9内腔的底部固定安装有循环气泵15，循环气泵15的进气端连通有抽气管16，抽气管16的另一端与隔板14连通，循环气泵15的排气端连通有循环管17，循环管17的另一端与预储罐8连通，回收罐9顶部的右侧固定安装有真空泵18，真空泵18的进气端连通有真空管19，真空管19的左端与反应室2连通，真空管19的底部连通有回流管20，回流管20的底部与回收罐9连通。
[0028]具体的，充气管13的表面固定安装有第一电磁阀21，抽气管16的表面固定安装有第二电磁阀22，回流管20的表面固定安装有第三电磁阀23。
[0029]具体的，循环管17的表面固定安装有第一单向阀24，第一单向阀24为左出右进设置。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有压差控制机构的高温双室真空沉积炉，包括加热室(1)，其特征在于：所述加热室(1)的内部固定安装有反应室(2)，所述加热室(1)和反应室(2)之间固定安装有加热器(3)，所述加热室(1)的背面固定安装有竖板(4)，所述竖板(4)的底部固定安装有电动推杆(5)，所述电动推杆(5)的底部固定安装有密封盖(6)，所述密封盖(6)的底部嵌设有气压传感器(7)，所述加热室(1)的左侧固定安装有预储罐(8)，所述加热室(1)的右侧固定安装有回收罐(9)；所述预储罐(8)顶部的右侧连通有添加管(10)，所述添加管(10)的另一端与反应室(2)连通，所述添加管(10)的内壁固定安装有开合组件(11)，所述预储罐(8)顶部的左侧连通有进气泵(12)，所述进气泵(12)的排气端连通有充气管(13)，所述充气管(13)的另一端与预储罐(8)连通；所述回收罐(9)的内壁固定安装有隔板(14)，所述回收罐(9)内腔的底部固定安装有循环气泵(15)，所述循环气泵(15)的进气端连通有抽气管(16)，所述抽气管(16)的另一端与隔板(14)连通，所述循环气泵(15)的排气端连通有循环管(17)，所述循环管(17)的另一端与预储罐(8)连通，所述回收罐(9)顶部的右侧固定安装有真空泵(18)，所述真空泵(18)的进气端连通有真空管(19)，所述真空管(19)的左端与反应室(2)连通，所述真空管(19)的底部连通有回流管(20)，所述回流管(20)的底部与回收罐(9)连通。2.根据权利要求1所述的具有压差控制机构的高温双室真空沉积炉，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：何淑英，何浩梁，冯嘉荔，
申请(专利权)人：广州市鸿浩光电半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：