本申请涉及数据存储技术领域，公开一种存储器的数据写入方法。该方法在将待写入数据写入到存储器之前，首先对待写入数据和存储器中的已有数据按比特位进行比较，只有对已有数据是1，待写入数据为0的情况，执行写入操作，而其他情况均不执行写入，避免了多次无效的写入，提高了存储器的使用率，有效延长存储器的使用寿命。本申请还公开一种存储器的数据写入装置、电子设备、存储介质。存储介质。存储介质。
【技术实现步骤摘要】
存储器的数据写入方法及装置、电子设备、存储介质
[0001]本申请涉及数据存储
，例如涉及一种存储器的数据写入方法及装置、电子设备、存储介质。
技术介绍
[0002]随着集成电路工艺尺寸的不断缩小，器件的电容进一步缩小，但对于存储器件，节点电容的缩小意味着对于存储的0数据或者1数据，其电荷量的差异进一步缩小。因此，对于擦除和写入的控制需要更加精确。
[0003]通常非易失存储器的写入数据是以字节为单位的，存在使用场景是非易失存储器中一个字节中的个别比特数据已经写为0，只需要对这个字节中的其他比特写入0。
[0004]在实现本公开实施例的过程中，发现相关技术中至少存在如下问题：相关技术中，通常是直接按照字节进行写入，而如果重复对一个字节写入重复的数据，例如0，则会对前期已经写入的数据进行过写，影响芯片的耐久力和可靠性。
技术实现思路
[0005]为了对披露的实施例的一些方面有基本的理解，下面给出了简单的概括。所述概括不是泛泛评述，也不是要确定关键／重要组成元素或描绘这些实施例的保护范围，而是作为后面的详细说明的序言。
[0006]本公开实施例提供了一种存储器的数据写入方法及装置、电子设备、存储介质，以防止存储器过写入，提高存储器的使用寿命。
[0007]在一些实施例中，所述方法包括：获取待写入数据和所述存储器中的已有数据；对所述待写入数据和所述已有数据按对应比特位进行比较；根据比较结果生成更新数据；其中，所述更新数据中的每个比特位用于表征所述待写入数据与所述已有数据的比较结果，当所述待写入数据中的第一比特位为0且所述已有数据中与所述第一比特位对应的第二比特位为1，则所述第一比特位与所述第二比特位的比较结果为第一预设值，否则，所述比较结果为第二预设值；根据所述更新数据中所述第一预设值对应的比特位，向所述存储器执行数据写入操作。
[0008]可选地，获取待写入数据和所述存储器中的已有数据的步骤，包括：接收编程指令；其中，所述编程指令包括待写入数据和目标地址；读取所述存储器中的目标地址对应的存储单元中已经存储的数据作为已有数据。
[0009]可选地，对所述待写入数据和所述已有数据按对应比特位进行比较的步骤，包括：如果待写入数据中的第一比特位为0，且已有数据中对应的第二比特位为1，则比较结果为第一预设值；否则，比较结果为第二预设值。
[0010]可选地，根据所述更新数据中所述第一预设值对应的比特位，向所述存储器执行数据写入操作的步骤，包括：根据所述更新数据中每个字节中包含的比特位的值，确定每个字节是否需要执行写入操作；如果更新数据中的当前字节需要执行写入操作，基于当前字
节中第一预设值对应的比特位向所述存储器中的对应存储单元中写入0。
[0011]可选地，根据所述更新数据中每个字节中包含的比特位的值，确定每个字节是否需要执行写入操作的步骤，包括：判断所述更新数据中的每个字节，如果该字节的比特位中存在第一预设值，则该字节需要执行写入操作；否则，确定该字节不需要执行写入操作。
[0012]可选地，上述向所述存储器执行数据写入操作的步骤，包括：每次以小于预设电压值的写入电压向所述存储器中与所述更新数据中的需要执行写入操作的字节对应的存储单元写入0；或者，每次以小于预设写入时间的写入时间向所述存储器中与所述更新数据中的需要执行写入操作的字节对应的存储单元写入0。
[0013]可选地，所述方法还包括：将更新后的已有数据与所述待写入数据按比特位比较；如果比较结果表征数据不一致，将更新后的已有数据作为已有数据，重新执行对所述待写入数据和所述已有数据按对应比特位进行比较；根据比较结果生成更新数据；根据所述更新数据中所述第一预设值对应的比特位，向所述存储器执行数据写入操作的步骤，直至更新后的已有数据与所述待写入数据一致。
[0014]可选地，所述方法还包括：将所述待写入数据和所述更新数据存储至所述存储器中的缓存区。
[0015]在一些实施例中，所述装置包括：获取模块，用于获取待写入数据和所述存储器中的已有数据；比较模块，用于对所述待写入数据和所述已有数据按对应比特位进行比较；更新数据生成模块，用于根据比较结果生成更新数据；其中，所述更新数据中的每个比特位用于表征所述待写入数据与所述已有数据的比较结果，当所述待写入数据中的第一比特位为0且所述已有数据中与所述第一比特位对应的第二比特位为1，则所述第一比特位与所述第二比特位的比较结果为第一预设值，否则，所述比较结果为第二预设值；写入模块，用于根据所述更新数据中所述第一预设值对应的比特位，向所述存储器执行数据写入操作。
[0016]在一些实施例中，所述电子设备，包括处理器和存储有程序指令的存储器，所述处理器被配置为在执行所述程序指令时，执行上述存储器的数据写入方法。
[0017]本公开实施例提供的存储器的数据写入方法及装置、电子设备、存储介质，可以实现以下技术效果：在将待写入数据写入到存储器之前，首先对待写入数据和存储器中的已有数据按比特位进行比较，只有对已有数据是1，待写入数据为0的情况，执行写入操作，而其他情况均不执行写入，避免了多次无效的写入，提高了存储器的使用率，有效延长存储器的使用寿命。
[0018]以上的总体描述和下文中的描述仅是示例性和解释性的，不用于限制本申请。
附图说明
[0019]一个或多个实施例通过与之对应的附图进行示例性说明，这些示例性说明和附图并不构成对实施例的限定，附图中具有相同参考数字标号的元件示为类似的元件，附图不构成比例限制，并且其中：图1是一种非易失存储器的结构示意图；图2是存储器中器件电流示意图；图3是相关技术中存储器的数据写入方法的流程示意图；
图4是本公开实施例提供的一个存储器中数据的写入方法的流程示意图；图5是本公开实施例提供的另一个存储器中数据的写入方法的流程示意图；图6是本公开实施例提供的一个应用场景中的存储器中数据的写入方法的流程示意图；图7是本公开实施例提供的对一个字节多次写入不同数据的示意图；图8是本公开实施例提供的对多个字节多次写入相同数据的示意图；图9是本公开实施例提供的一个存储器中数据的写入装置的结构示意图；图10是本公开实施例提供的一个电子设备的结构示意图。
具体实施方式
[0020]为了能够更加详尽地了解本公开实施例的特点与
技术实现思路
，下面结合附图对本公开实施例的实现进行详细阐述，所附附图仅供参考说明之用，并非用来限定本公开实施例。在以下的技术描述中，为方便解释起见，通过多个细节以提供对所披露实施例的充分理解。然而，在没有这些细节的情况下，一个或多个实施例仍然可以实施。在其它情况下，为简化附图，熟知的结构和装置可以简化展示。
[0021]本公开实施例的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本公开实施例的实施例。此外，术语“包括”和“具有”以及他们本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种存储器的数据写入方法，包括：获取待写入数据和所述存储器中的已有数据；对所述待写入数据和所述已有数据按对应比特位进行比较；根据比较结果生成更新数据；其中，所述更新数据中的每个比特位用于表征所述待写入数据与所述已有数据的比较结果，当所述待写入数据中的第一比特位为0且所述已有数据中与所述第一比特位对应的第二比特位为1，则所述第一比特位与所述第二比特位的比较结果为第一预设值，否则，所述比较结果为第二预设值；根据所述更新数据中所述第一预设值对应的比特位，向所述存储器执行数据写入操作。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，获取待写入数据和所述存储器中的已有数据的步骤，包括：接收编程指令；其中，所述编程指令包括待写入数据和目标地址；读取所述存储器中的目标地址对应的存储单元中已经存储的数据作为已有数据。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述待写入数据和所述已有数据按对应比特位进行比较的步骤，包括：如果待写入数据中的第一比特位为0，且已有数据中对应的第二比特位为1，则比较结果为第一预设值；否则，比较结果为第二预设值。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据所述更新数据中所述第一预设值对应的比特位，向所述存储器执行数据写入操作的步骤，包括：根据所述更新数据中每个字节中包含的比特位的值，确定每个字节是否需要执行写入操作；如果更新数据中的当前字节需要执行写入操作，基于当前字节中第一预设值对应的比特位向所述存储器中的对应存储单元中写入0。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，根据所述更新数据中每个字节中包含的比特位的值，确定每个字节是否需要执行写入操作的步骤，包括：判断所述更新数据中的每个字节，如果该字节的比特位中存在第一预设值，则该字节需要执行写入操作；否则，确定该字节不需要执行写入操作。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘家齐，
申请(专利权)人：北京紫光青藤微系统有限公司，
类型：发明
国别省市：
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