一种多转塔芯片三温测试分选装置及方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种多转塔芯片三温测试分选装置及方法，包括常温转塔单元、高温转塔单元、低温转塔单元，根据半导体封装产品生产测试工序要求，使产品按照指定的路径传送，在常温转塔单元中实现对半导体封装产品常温测试后，进入低温转塔单元经过一段时间低温预冷后，再进行低温电性测试，经过加热升温使产品回温至常温，再通过常温转塔传送至高温转塔单元，进入高温转塔单元经过一段时间高温预热后，再进行高温电性测试，经过散热降温使产品回温至常温，传回常温转塔单元，实现常温状态下对半导体封装产品产品相关检测，本发明专利技术不仅重复定位精度高利于对产品质量的控制，而且方便适用产品不同温度状态下测试需求。便适用产品不同温度状态下测试需求。便适用产品不同温度状态下测试需求。

【技术实现步骤摘要】
一种多转塔芯片三温测试分选装置及方法


[0001]本专利技术涉及一种多转塔芯片三温测试分选装置及方法，属于芯片测试分选


技术介绍

[0002]应用于汽车电子、航空航天、军工等半导体封装产品能够在低温度或高温度等极端气候环境内使用，这类半导体封装产品生产制造中必须进行常温、低温、高温等温度下电性测试，检验产品符合实际使用要求。因此生产工厂需要配置对封装产品常温、低温、高温相关生产测试检查设备。
[0003]目前一种做法是抽检的方法：将生产中的半导体封装产品抽取样品，送交温度试验室，将产品放置温控箱里，检验在不同温度环境下产品的电性参数是否符合使用要求。这种方法缺点：1.生产效率极低，检验周期较长。2.抽检样品不能完全代表整体，存在质量隐患。3.需要设置专业人员及专门的场地，增加生产管理成本。
[0004]另一种做法是全检的方法：将生产中的半导体封装产品按照生产工序，根据生产需要进行常温设备测试检查，低温设备测试检查，或高温设备测试检查等生产工序。这种方法缺点：1.需要配置常温、低温、高温三种温度类型生产测试设备，成本相对较高。2.三种温度类型生产测试设备之间，产品需要人工去搬运转移，增加人力成本与生产物料的管理成本，且产品在转移过程中容易产生质量隐患。3.产品生产效率不高，三种温度类型生产测试设备占地面积较大，厂房利用率较低，增加设备维护成本。

技术实现思路

[0005]专利技术目的：为了克服现有技术中存在的不足，本专利技术提供一种多转塔芯片三温测试分选装置及方法，本专利技术能够实现对半导体封装产品常温、低温、高温等温度下电性测试检查要求。
[0006]技术方案：为实现上述目的，本专利技术采用的技术方案为：一种多转塔芯片三温测试分选装置，包括常温转塔单元、高温转塔单元、低温转塔单元，所述常温转塔单元的旋转轨迹圆与高温转塔单元的旋转轨迹圆相切，且所述常温转塔单元的旋转轨迹圆与高温转塔单元的旋转轨迹圆相切点为常高温转运交接点。所述常温转塔单元的旋转轨迹圆与低温转塔单元的旋转轨迹圆相切，且所述常温转塔单元的旋转轨迹圆与低温转塔单元的旋转轨迹圆相切点为常低温转运交接点。
[0007]所述常温转塔单元按生产工序沿常温转塔的周向设置有振动进料模组、常温电性测试模组、第一定位纠正模组、第二定位纠正模组、第三定位纠正模组、编带封装模组。所述常温转塔单元上的常低温转运交接点位于第一定位纠正模组、第二定位纠正模组之间，所述常温转塔单元上的常高温转运交接点位于第二定位纠正模组、第三定位纠正模组之间。
[0008]所述高温转塔单元按生产工序沿高温转塔的周向设置有高温预热区、高温测试区、散热降温区，所述高温转塔单元上的常高温转运交接点位于散热降温区、高温预热区之
间。
[0009]所述低温转塔单元按生产工序沿低温转塔的周向设置有低温预冷区、低温测试区、加热升温区，所述低温转塔单元上的常低温转运交接点位于加热升温区、低温预冷区之间。
[0010]优选的：所述高温预热区、低温预冷区的预温控制模型如下：其中，表示第个预温区的产品流动平均速度，，表示预温区为高温预热区，表示预温区为低温预冷区，表示第个预温区所对应的圆心角度数，表示第个预温区所对应的轨迹圆的半径，表示产品在第个预温区的预温时间。
[0011]优选的：包括第一DDR直驱电机、第二DDR直驱电机、第三DDR直驱电机，所述第一DDR直驱电机与常温转塔驱动连接，且常温转塔在第一DDR直驱电机驱动下转动。所述第二DDR直驱电机与高温转塔驱动连接，且高温转塔在第二DDR直驱电机驱动下转动。所述第三DDR直驱电机与低温转塔驱动连接，且低温转塔在第三DDR直驱电机驱动下转动。
[0012]优选的：所述常温转塔单元上设置有视觉极性检查模组、电性极性检查模组、旋转纠正模组，所述视觉极性检查模组、电性极性检查模组、旋转纠正模组按生产工序沿常温转塔的周向设置，且所述视觉极性检查模组、电性极性检查模组、旋转纠正模组位于振动进料模组、常温电性测试模组之间。
[0013]优选的：所述常温转塔单元上设置有打印及检查模组、第四定位纠正模组、视觉外观检查模组、不良品集中分类模组，所述打印及检查模组、第四定位纠正模组、视觉外观检查模组、不良品集中分类模组按生产工序沿常温转塔的周向设置，且所述打印及检查模组、第四定位纠正模组、视觉外观检查模组、不良品集中分类模组位于第三定位纠正模组、编带封装模组之间。
[0014]优选的：所述常温转塔单元的常温转塔的旋转方向与所述低温转塔单元的低温转塔的旋转方向相反。
[0015]优选的：所述常温转塔单元的常温转塔的旋转方向与所述高温转塔单元的高温转塔的旋转方向相同。
[0016]一种多转塔芯片三温测试分选方法，包括常低高温测试方法，所述常低高温测试方法包括以下步骤：步骤201，产品通过振动进料模组进入到常温转塔单元中，通过常温电性测试模组对产品进行常温电性测试。经过常温电性测试后的产品通过第一定位纠正模组进行第一定位纠正，第一定位纠正后的产品在常温转塔的带动下移动到常低温转运交接点。
[0017]步骤202，低温转塔单元工作，将在常低温转运交接点的产品转移到低温预冷区，产品在低温预冷区进行低温预冷，产品在低温转塔的带动下经过低温预冷区，使得产品达到预定的低温温度。产品达到预定的低温温度后进入到低温测试区进行低温电性测试，经过低温电性测试后的产品通过加热升温区进行加热升温达到常温温度，达到常温温度的已完成低温电性测试的产品在低温转塔的带动下移动到常低温转运交接点。
[0018]步骤203，常温转塔单元在常低温转运交接点将已完成低温电性测试的产品转移
到第二定位纠正模组中，在第二定位纠正模组的作用下对产品进行第二定位纠正，第二定位纠正后的产品在常温转塔的带动下移动到常高温转运交接点。
[0019]步骤204，高温转塔单元工作，将在常高温转运交接点的产品转移到高温预热区，产品在高温预热区进行高温预热，产品在高温转塔的带动下经过高温预热区，使得产品达到预定的高温温度。产品达到预定的高温温度后进入到高温测试区进行高温电性测试，经过高温电性测试后的产品通过散热降温区进行散热降温后达到常温温度，达到常温温度已完成高温电性测试的产品在高温转塔的带动下移动到常高温转运交接点。
[0020]步骤205，常温转塔单元在常高温转运交接点将已完成高温电性测试的产品转移到第三定位纠正模组中，在第三定位纠正模组的作用下对产品进行第三定位纠正，第三定位纠正后的产品在常温转塔的带动下移动到编带封装模组，在编带封装模组中进行编带封装，编带封装好后的产品进行输出。
[0021]优选的：包括常低温测试方法，所述常低温测试方法包括以下步骤：步骤301，产品通过振动进料模组进入到常温转塔单元中，通过常温电性测试模组对产品进行常温电性测试。经过常温电性测试后的产品通过第一定位纠正模组进行第一定位纠正，第一定位纠正后的产品在常温转塔的带动下移动到常低温转运交接点。
[0022]步骤302，低温转塔单本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多转塔芯片三温测试分选装置，其特征在于：包括常温转塔单元（1）、高温转塔单元（2）、低温转塔单元（3），所述常温转塔单元（1）的旋转轨迹圆与高温转塔单元（2）的旋转轨迹圆相切，且所述常温转塔单元（1）的旋转轨迹圆与高温转塔单元（2）的旋转轨迹圆相切点为常高温转运交接点（20）；所述常温转塔单元（1）的旋转轨迹圆与低温转塔单元（3）的旋转轨迹圆相切，且所述常温转塔单元（1）的旋转轨迹圆与低温转塔单元（3）的旋转轨迹圆相切点为常低温转运交接点（30）；所述常温转塔单元（1）按生产工序沿常温转塔的周向设置有振动进料模组（11）、常温电性测试模组（15）、第一定位纠正模组（16）、第二定位纠正模组（17）、第三定位纠正模组（18）、编带封装模组（113）；所述常温转塔单元（1）上的常低温转运交接点（30）位于第一定位纠正模组（16）、第二定位纠正模组（17）之间，所述常温转塔单元（1）上的常高温转运交接点（20）位于第二定位纠正模组（17）、第三定位纠正模组（18）之间；所述高温转塔单元（2）按生产工序沿高温转塔的周向设置有高温预热区（21）、高温测试区（22）、散热降温区（23），所述高温转塔单元（2）上的常高温转运交接点（20）位于散热降温区（23）、高温预热区（21）之间；所述低温转塔单元（3）按生产工序沿低温转塔的周向设置有低温预冷区（31）、低温测试区（32）、加热升温区（33），所述低温转塔单元（3）上的常低温转运交接点（30）位于加热升温区（33）、低温预冷区（31）之间。2.根据权利要求1所述多转塔芯片三温测试分选装置，其特征在于：所述高温预热区（21）、低温预冷区（31）的预温控制模型如下：其中，表示第个预温区的产品流动平均速度，，表示预温区为高温预热区（21），表示预温区为低温预冷区（31），表示第个预温区所对应的圆心角度数，表示第个预温区所对应的轨迹圆的半径，表示产品在第个预温区的预温时间。3.根据权利要求2所述多转塔芯片三温测试分选装置，其特征在于：包括第一DDR直驱电机、第二DDR直驱电机、第三DDR直驱电机，所述第一DDR直驱电机与常温转塔驱动连接，且常温转塔在第一DDR直驱电机驱动下转动；所述第二DDR直驱电机与高温转塔驱动连接，且高温转塔在第二DDR直驱电机驱动下转动；所述第三DDR直驱电机与低温转塔驱动连接，且低温转塔在第三DDR直驱电机驱动下转动。4.根据权利要求3所述多转塔芯片三温测试分选装置，其特征在于：所述常温转塔单元（1）上设置有视觉极性检查模组（12）、电性极性检查模组（13）、旋转纠正模组（14），所述视觉极性检查模组（12）、电性极性检查模组（13）、旋转纠正模组（14）按生产工序沿常温转塔的周向设置，且所述视觉极性检查模组（12）、电性极性检查模组（13）、旋转纠正模组（14）位于振动进料模组（11）、常温电性测试模组（15）之间。5.根据权利要求4所述多转塔芯片三温测试分选装置，其特征在于：所述常温转塔单元（1）上设置有打印及检查模组（19）、第四定位纠正模组（110）、视觉外观检查模组（111）、不良品集中分类模组（112），所述打印及检查模组（19）、第四定位纠正模组（110）、视觉外观检查模组（111）、不良品集中分类模组（112）按生产工序沿常温转塔的周向设置，且所述打印
及检查模组（19）、第四定位纠正模组（110）、视觉外观检查模组（111）、不良品集中分类模组（112）位于第三定位纠正模组（18）、编带封装模组（113）之间。6.根据权利要求5所述多转塔芯片三温测试分选装置，其特征在于：所述常温转塔单元（1）的常温转塔的旋转方向与所述低温转塔单元（3）的低温转塔的旋转方向相反。7.根据权利要求6所述多转塔芯片三温测试分选装置，其特征在于：所述常温转塔单元（1）的常温转塔的旋转方向与所述高温转塔单元（2）的高温转塔的旋转方向相同。8.一种基于权利要求1所述多转塔芯片三温测试分选装置的三温测试分选方法，其特征在于，包括常低高温测试方法，所述常低高温测试方法包括以下步骤：步骤201，产品通过振动进料模组（11）进入到常温转塔单元（1）中，通过常温电性测试模组（15）对产品进行常温电性测试；经过常温电性测试后的产品通过第一定位纠正模组（16）进行第一定位纠正，第一定位纠正后的产品在常温转塔的带动下移动到常低温转运交接点（30）；步...

【专利技术属性】
技术研发人员：李辉，王体，
申请(专利权)人：深圳市诺泰芯装备有限公司，
类型：发明
国别省市：