一种LED巨量检测设备制造技术

本实用新型专利技术涉及LED晶圆片技术领域，具体为一种LED巨量检测设备，包括传送机构，传送机构上端面依次支撑有AOI检测区、PL面检区以及PL线扫区；传送机构上传送有LED晶圆片，AOI检测区内部包括有LED线光发射器以及LineCCD，PL面检区内部包括有面型相机、半反射透镜、大透镜、匀光镜组以及反射镜；PL线扫区内部包括有第二LineCCD、第二半反射透镜以及Line扫镜头。本利用AOI检测区从而进行对LED晶圆片表面的割伤以及污损进行检测；利用PL面检区进行对LED晶圆片的晶检光强辉度以及漏电监测，利用PL线扫区进行LED晶圆片内部LED晶粒的光谱测量、分析分布等检测，通过多个步骤的检测能够实现对LED晶圆片的全方位检测，防止后期出现复检的情况，从而提高了对LEF晶圆片检测的效率。率。率。

【技术实现步骤摘要】
一种LED巨量检测设备


[0001]本技术涉及一种检测设备，特别是涉及一种LED巨量检测设备，属于 LED晶圆片


技术介绍

[0002]LED晶圆片是LED的核心部分，事实上，LED的波长、亮度、正向电压等主要光电参数基本上取决于晶圆材料，LED的相关电路元件的加工与制作都是在晶圆上完成的，所以晶圆技术与设备是晶圆制造技术的关键所在；
[0003]其中LED晶圆片在进行加工后需要对其进行检测，以此来进行验收产品，通过检测进行观察出加工出的LED晶圆片是否合格，因此就需要采用相应的检测设备进行检测；
[0004]然而现有的检测设置在对LED晶圆片进行检测时，检测效果单一，不能进行全方位的检测，从而就会影响对LED晶圆片检测的效果，后期可能还会出现复检的情况，从而就会影响对LED晶圆片的检测效率。
[0005]因此，亟需对LED晶圆片的检测进行改进，以解决上述存在的问题。

技术实现思路

[0006]本的目的是提供一种LED巨量检测设备，利用AOI检测区从而进行对LED 晶圆片表面的割伤以及污损进行检测；利用PL面检区进行对LED晶圆片的晶检光强辉度以及漏电监测，利用PL线扫区进行LED晶圆片内部LED晶粒的光谱测量、分析分布等检测，通过多个步骤的检测能够实现对LED晶圆片的全方位检测，防止后期出现复检的情况，从而提高了对LEF晶圆片检测的效率。
[0007]为了达到上述目的，本技术采用的主要技术方案包括：
[0008]一种LED巨量检测设备，包括传送机构，所述传送机构的上端面依次支撑有AOI检测区、PL面检区以及PL线扫区；
[0009]所述传送机构上传送有LED晶圆片，所述AOI检测区内部包括有LED线光发射器以及LineCCD；
[0010]所述PL面检区内部包括有面型相机、半反射透镜、大透镜、匀光镜组以及反射镜；
[0011]所述PL线扫区内部包括有第二LineCCD、第二半反射透镜以及第二Line扫镜头。
[0012]优选的，所述传送机构包括有支撑台以及传送主体，所述支撑台用于支撑所述传送主体，所述AOI检测区、所述PL面检区以及所述PL线扫区依次排列在所述支撑台两侧之间的正上方。
[0013]优选的，所述LineCCD的检测端连接有Line扫镜头，所述LED线光发射器与所述Line扫镜头的发射端均朝向所述传送机构上传送的所述LED晶圆片。
[0014]优选的，所述面型相机的发射端设置有大靶面远心镜头，所述大透镜处于所述匀光镜组与所述半反射透镜之间，所述匀光镜组处于所述反射镜与所述大透镜之间，所述PL面检区的进光端设置有小角度透镜，所述小角度透镜用于投射特殊波长的UV光。
[0015]优选的，所述半反射透镜的用于将通过所述大透镜透射出的光线反射至所述LED晶圆片上进行检测。
[0016]优选的，所述PL线扫区内部还设置有特殊光源发射器，所述特殊光源发射器用于发射检测光线至所述第二半反射透镜。
[0017]本技术至少具备以下有益效果：
[0018]1、利用AOI检测区从而进行对LED晶圆片表面的割伤以及污损进行检测；利用PL面检区进行对LED晶圆片的晶检光强辉度以及漏电监测，利用PL线扫区进行LED晶圆片内部LED晶粒的光谱测量、分析分布等检测，通过多个步骤的检测能够实现对LED晶圆片的全方位检测，防止后期出现复检的情况，从而提高了对LEF晶圆片检测的效率。
附图说明
[0019]此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：
[0020]图1为本的立体结构示意图；
[0021]图2为本的AOI检测区检测示意图；
[0022]图3为本的PL面检区检测示意图；
[0023]图4为本的PL线扫区检测示意图。
[0024]图中，1
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传送机构，2
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AOI检测区，3
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PL面检区，4
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PL线扫区，5
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LED晶圆片，6
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LED线光发射器，7
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LineCCD，8
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面型相机，9
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半反射透镜，10
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大透镜， 11
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匀光镜组，12
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反射镜，13
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第二LineCCD，14
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第二半反射透镜，15
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支撑台， 16
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传送主体，17
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小角度透镜，18
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Line扫镜头，19
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特殊光源发射器，20
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第二 Line扫镜头，21
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大靶面远心镜头。
具体实施方式
[0025]以下将配合附图及实施例来详细说明本申请的实施方式，借此对本申请如何应用技术手段来解决技术问题并达成技术功效的实现过程能充分理解并据以实施。
[0026]如图1
‑
图4所示，本实施例提供的LED巨量检测设备，包括传送机构1，传送带机构1包括有支撑台15以及传送主体16，支撑台15用于支撑传送主体16，AOI检测区2、PL面检区3以及PL线扫区4依次排列在支撑台15两侧之间的正上方；
[0027]传送机构1的上端面依次支撑有AOI检测区2、PL面检区3以及PL线扫区 4；
[0028]传送机构1上传送有LED晶圆片5，AOI检测区2内部包括有LED线光发射器6以及LineCCD7；LineCCD7的检测端连接有Line扫镜头18，LED线光发射器6与Line扫镜头18的发射端均朝向传送机构1上传送的LED晶圆片5；
[0029]PL面检区3内部包括有面型相机8、半反射透镜9、大透镜10、匀光镜组 11以及反射镜12；面型相机8的发射端设置有大靶面远心镜头21，大透镜10 处于匀光镜组11与半反射透镜9之间，匀光镜组11处于反射镜12与大透镜10 之间，PL面检区3的进光端设置有小角度透镜17，小角度透镜17用于投射特殊波长的UV光；半反射透镜9的用于将通过大透镜10透射出的光线反射至LED 晶圆片5上进行检测；
[0030]PL线扫区4内部包括有第二LineCCD13、第二半反射透镜14以及第二Line 扫镜头20；PL线扫区4内部还设置有特殊光源发射器19，特殊光源发射器19 用于发射检测光线至
第二半反射透镜14。
[0031]如图1
‑
图4所示，本实施例提供的LED巨量检测设备原理如下：将LED晶圆片5放置在传送主体16的表面进行传送，首先将LED晶圆片5传送至AOI检测区2正下方，从而进行对LED晶圆片5表面的割伤以及污损进行检测，检测时，利用LED线光发射器6发射出光线至LED晶本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种LED巨量检测设备，包括传送机构(1)，其特征在于，所述传送机构(1)的上端面依次支撑有AOI检测区(2)、PL面检区(3)以及PL线扫区(4)；所述传送机构(1)上传送有LED晶圆片(5)，所述AOI检测区(2)内部包括有LED线光发射器(6)以及LineCCD(7)；所述PL面检区(3)内部包括有面型相机(8)、半反射透镜(9)、大透镜(10)、匀光镜组(11)以及反射镜(12)；所述PL线扫区(4)内部包括有第二LineCCD(13)、第二半反射透镜(14)以及第二Line扫镜头(20)。2.根据权利要求1所述的一种LED巨量检测设备，其特征在于：所述传送机构(1)包括有支撑台(15)以及传送主体(16)，所述支撑台(15)用于支撑所述传送主体(16)，所述AOI检测区(2)、所述PL面检区(3)以及所述PL线扫区(4)依次排列在所述支撑台(15)两侧之间的正上方。3.根据权利要求1所述的一种LED巨量检测设备，其特征在于：所述LineCCD(7)...

【专利技术属性】
技术研发人员：游证杰，庄益祯，
申请(专利权)人：顺诠达重庆电子有限公司，
类型：新型
国别省市：