一种硅片防附着的鼓泡装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种硅片防附着的鼓泡装置，属于硅片湿制设备、清洁设备技术领域，其包括内置化学药液及硅片的反应槽；设置于所述反应槽内且位于硅片下方的鼓泡管，所述鼓泡管两侧均开设有若干关于管体中心线对称且开口朝向反应槽侧壁的气孔，所述气孔用于向反应槽中排出沿硅片侧壁移动以清除硅片表面附着的氢气气泡及胶状物的气泡；供气系统以及连接在所述鼓泡管和供气系统之间的输气管。本方案中鼓泡均匀、密集，对硅片表面附着物清除效果提高，加速反应速率。加速反应速率。加速反应速率。

【技术实现步骤摘要】
一种硅片防附着的鼓泡装置


[0001]本技术属于硅片湿制设备、清洁设备
，具体涉及一种硅片防附着的鼓泡装置。

技术介绍

[0002]光伏槽式清洗制绒设备是基于NaOH与硅片反应原理来运行的设备，其中，NaOH与硅片的反应过程中会产生氢气和硅酸钠，硅酸钠在融于水后呈现粘稠胶状形态并附着于电池硅片表面，氢气则形成附着在硅片表面的密集气泡，两者均会阻断后续化学药液和硅片之间制绒或碱洗的进一步反应。
[0003]现有的光伏槽式清洗制绒设备是在反应槽底部设置管体，并在管体上表面开气孔，通过气孔向管体内输入气体，气体在化学药液中形成气泡，从而减少电池硅片表面的附着物。但是，气孔排出的气体集中，气泡体积较大，量少且不均匀，导致气泡对化学药液原有的流动方向干扰较大，对硅片侧壁附着物干扰较小，清除附着物的效果差。

技术实现思路

[0004]本技术提供了硅片防附着的鼓泡装置，用以解决目前鼓泡过大且不均匀的问题。
[0005]为了解决上述技术问题，本技术的技术方案是：一种硅片防附着的鼓泡装置，包括内置化学药液及硅片的反应槽；
[0006]设置于所述反应槽内且位于硅片下方的鼓泡管，所述鼓泡管两侧均开设有若干关于管体中心线对称且开口朝向反应槽侧壁的气孔，所述气孔用于向反应槽中排出沿硅片侧壁移动以清除硅片表面附着的氢气气泡及胶状物的气泡；
[0007]供气系统以及连接在所述鼓泡管和供气系统之间的输气管。
[0008]具体地，还包括从鼓泡管所在端依次安装于所述输气管上的调节阀和鼓泡流量计。
[0009]具体地，所述输气管上安装有位于鼓泡流量计与鼓泡管之间的气源处理器。
[0010]具体地，所述调节阀、鼓泡流量计和气源处理器均位于反应槽外部。
[0011]具体地，所述供气系统包括存储惰性气体的气源以及抽取气源中的惰性气体并输送惰性气体至反应槽中的气泵。
[0012]具体地，所述反应槽中通过支架支撑有至少一列硅片，每列硅片均由若干片单片硅片平行排列所形成。
[0013]具体地，所述鼓泡管由圆管折弯成矩形环状，每列硅片的下方均设置有鼓泡管的双排管体。
[0014]具体地，所述反应槽中的化学药液自反应槽底部朝向反应槽开口处流动。
[0015]本技术提供的技术方案与现有技术相比具有如下优势：
[0016]1、利用开设于鼓泡管两侧的气孔来排气，气孔数量增加，气泡数量增加，排出的气
泡体积小且密集，节约用气量，鼓泡均匀效果好，不仅降低对化学反应的干扰，维持反应的稳定性，而且增大对侧壁附着物的扰动，提高清楚附着物的效果，进而提高反应效率及反应均匀性；
[0017]2、增设气源处理器，避免鼓泡过程中污染杂质随气体进入反应槽，确保进入反应槽内气体的洁净度，进而确保反应槽内化学反应的平稳持续发生。
附图说明
[0018]图1是本实施例中硅片防附着的鼓泡装置的整体结构图；
[0019]图2是本实施例中鼓泡管结构图；
[0020]图3是本实施例图2中A处局部放大图。
[0021]图中所示：
[0022]1、反应槽；2、支架；3、硅片；4、鼓泡管；5、气孔；6、气管接头；7、输气管；8、分支管路；9、调节阀；10、鼓泡流量计；11、气源处理器。
具体实施方式
[0023]为了便于理解，下面结合实施例阐述所述硅片防附着的鼓泡装置，应理解，这些实施例仅用于说明本技术而不用于限制本技术的范围。
[0024]在本技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位和位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0025]在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0026]如图1至图3所示，一种硅片防附着的鼓泡装置，包括反应槽1，反应槽1中设置有支架2，支架2上支撑有两列硅片3，每列硅片3均由若干片单片硅片3平行排列所形成，反应槽1的槽体中填充有化学药液，化学药液与硅片3产生反应，该反应基本位于硅片3表面，反应产生粘稠胶状物和细密的氢气气泡；支架2的下方设置有固定连接在反应槽1内壁上的两根鼓泡管4，每列硅片3的下方都有一根鼓泡管4，该鼓泡管4是由圆管折弯形成的矩形环状，因此，鼓泡管4有双排管体，则每列硅片3的下方都有双排管体。
[0027]鼓泡管4的两侧均开设有若干气孔5，两侧气孔5朝向反应槽1侧壁开口，且均关于鼓泡管4管体的轴线对称，形成双排两侧同步出气，相比原有的鼓气管上端单排气孔5出气而言，鼓泡管4从侧向气孔5排出的气泡受侧向液体挤压而减小体积，且气孔5的增设进一步使得气泡体积小，气泡均匀且密集，气泡沿硅片3侧壁移动以清除硅片3表面附着的氢气气泡及胶状物，该密集、均匀小气泡的排出不仅降低对化学药液流动方向的干扰，且该小气泡易与氢气小气泡融合，使得氢气小气泡脱离硅片3侧壁；气孔5的开口处可设置阀嘴，确保鼓
泡管4中的气体朝外单向排气，防止化学药液逆向进入鼓气管中，延长鼓气管的使用寿命；鼓泡管4的一端设置有气管接头6，气管接头6连接有输气管7，每根鼓泡管4都连接一根输气管7上的分支管路8，每根分支管路8上均安装有调节阀9，调节阀9用于调节鼓泡管4两端进气量及进去速率的，确保鼓泡管4两端进入的气体均匀，从而保证气泡均匀。
[0028]本实施例反应槽1中的化学药液能够通过循环系统循环流通，具体能够由水泵从反应槽1上端抽取化学药液并由反应槽1底部再注入槽体中，使得反应槽1中的化学药液自反应槽1底部朝向反应槽1开口处定向流动，化学药液的快速流动本身就会加速反应的进行，同时，化学药液的快速流动还能够提高气泡的流动速率，加速硅片3表面附着物的清除，清除效果好，进一步提高化学反应速率，使反应效果更好；输气管7的一端连接有供气系统，供气系统包括气源和气泵，其中，气源为惰性气体，本实施例中使用的惰性气体为N2，成本低，气泵抽取惰性气体并将惰性气体输送到反应槽1中形成气泡，输气管7上连接有鼓泡流量计10和气源处理器11，鼓泡流量计10用于记录惰性气体的使用量，气源处理器11用于处理惰性气体可能会有的杂质，保证反应槽1内洁净度，杜绝鼓泡带来的污染源，气源处理器11位于鼓泡流量计10与鼓泡管4之间，这样设置使得惰性气体在进入鼓泡流量计10以及调节阀9已经被处理本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅片防附着的鼓泡装置，其特征在于，包括内置化学药液及硅片的反应槽；设置于所述反应槽内且位于硅片下方的鼓泡管，所述鼓泡管两侧均开设有若干关于管体中心线对称且开口朝向反应槽侧壁的气孔，所述气孔用于向反应槽中排出沿硅片侧壁移动以清除硅片表面附着的氢气气泡及胶状物的气泡；供气系统以及连接在所述鼓泡管和供气系统之间的输气管。2.如权利要求1所述的硅片防附着的鼓泡装置，其特征在于，还包括从鼓泡管所在端依次安装于所述输气管上的调节阀和鼓泡流量计。3.如权利要求2所述的硅片防附着的鼓泡装置，其特征在于，所述输气管上安装有位于鼓泡流量计与鼓泡管之间的气源处理器。4.如权利要求3所述的硅片防附着的鼓泡装置，...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐士龙，王超，冯华，
申请(专利权)人：无锡釜川科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：