一种提高邦定IC蚀刻精度的控制方法技术

本发明专利技术属于PCB技术领域，提供一种提高邦定IC蚀刻精度的控制方法，包括以下步骤：S1、跟据邦定IC蚀刻形态变化建立仿真补偿模型；S2、设置邦定IC补偿；根据仿真补偿模型，对邦定IC焊盘进行至少三级梯度补偿；S3、进行邦定IC蚀刻；包括进行两次蚀刻。本发明专利技术根据邦定IC蚀刻形态建立仿真模型，然后按仿真模型在邦定IC顶部位置进行三级梯度补偿+最外侧增加等距假焊盘方式，从而改善邦定IC蚀刻线细及顶端针尖效应等问题，提升邦定IC蚀刻精度，产品良率由50%提高到98%以上。提高到98%以上。提高到98%以上。

【技术实现步骤摘要】
一种提高邦定IC蚀刻精度的控制方法


[0001]本专利技术属于PCB
，具体涉及一种提高邦定IC蚀刻精度的控制方法。

技术介绍

[0002]邦定是芯片生产工艺中一种打线的方式，一般用于封装前将芯片内部电路用金线或铝线与封装管脚或PCB的IC镀金焊盘连接。随着PCB布线密度增加，邦定IC焊盘尺寸越来越精细化，长12mil*宽4mil的焊盘尺寸，已成为常规化设计，针对此类设计有邦定IC的PCB印制板，如按常规加工方式进行线宽补偿及常规蚀刻参数进行生产，邦定IC部位容易线细，上线宽基本在负公差以下，尤其常规等宽补偿，蚀刻后在IC顶部位置易形成“针尖”效应，对邦定焊盘的中间50%核心部位（3
‑
9mil区域）造成影响，进而影响后续邦定质量，无法满足邦定IC的高精度加工要求。
[0003]针对板内设计有邦定IC的PCB产品，采用现有工程设计及加工参数，主要面临以下问题：1、邦定IC位置，工程资料按常规等宽补偿进行设计（如图1所示），蚀刻后邦定IC位置容易出现线细，IC顶部位置易形成“针尖”效应（如图3所示），无法满足邦定IC线宽的高精度要求。
[0004]2、蚀刻过程中，最外侧的IC焊盘，受蚀刻液流速影响，间距大的位置容易过蚀刻，导致外侧的IC焊盘比内侧等宽的焊盘偏小约0.5mil，无法满足邦定IC线宽的一致性要求（
±
10%）。

技术实现思路

[0005]有鉴于此，本专利技术提供一种提高邦定IC蚀刻精度的控制方法。
[0006]本专利技术的技术方案为：一种提高邦定IC蚀刻精度的控制方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、跟据邦定IC蚀刻形态变化建立仿真补偿模型；S2、设置邦定IC补偿；根据仿真补偿模型，对邦定IC焊盘进行至少三级梯度补偿；S3、进行邦定IC蚀刻；包括进行两次蚀刻。
[0007]通过本专利技术的加工方法，可以改善邦定IC蚀刻线细及解决IC顶部位置形成的针尖效应，有效提升邦定IC蚀刻精度及一致性。
[0008]进一步的，步骤S1中，仿真补偿模型建立的方法包括以下：S11、IC焊盘分段测试；对蚀刻后的邦定焊盘进行分段测量，在开窗区域12mil范围内，每间隔1.0mil测量1次数据；S12、根据步骤S11中测得的IC线宽蚀刻变化趋势，结合IC顶部1
‑
6mil区间的蚀刻差异值建立分级梯度补偿模型。
[0009]进一步的，步骤S2中，还包括邦定IC最外侧区域增加等距的假焊盘。本专利技术中， 邦定IC最外侧焊盘，受周边布线影响，可能存在不等距设计，此类不等距设计，在蚀刻时会影
响蚀刻均匀性，进而造成最外侧焊盘出现侧蚀过大线细，因此需在IC最外侧区域增加等距的假焊盘或控制IC间距极差在0.5mil以内。
[0010]进一步的，步骤S2中，邦定IC补偿的方法包括以下：S21、先根据蚀刻线宽侧蚀量进行第1级补偿，视铜厚差异，线路及IC焊盘整体补偿1.5
‑
2mil；S22、根据仿真补偿模型，对邦定IC焊盘顶部位置1
‑
6mil区域进行多级补偿。
[0011]进一步的，步骤S22中，包括6级的精细化补偿，每增加一级，追加补偿0.1
‑
0.2mil。
[0012]进一步的，步骤S22中，包括3级的简化补偿，每增加一级，追加补偿0.2
‑
0.4mil。
[0013]进一步的，步骤S3中，包括采用真空酸性一次蚀刻以及二次精准蚀刻。
[0014]进一步的，所述真空酸性一次蚀刻设置喷淋压力为1
‑
1.5kg/cm
2，
从而提升蚀刻因子，减少线宽侧蚀。
[0015]进一步的，所述二次精准蚀刻，根据铜厚选择匹配的蚀刻速度，第一次蚀刻完后，使用铜厚测试仪对板面残留铜厚进行检测，再根据铜厚调整蚀刻参数，翻转面向后进行第二次精准蚀刻，从而满足邦定IC线宽的一致性及高精度公差要求。
[0016]进一步的，步骤S3中，包括以下步骤：根据铜厚选择匹配的蚀刻速度，采用两次精蚀工艺，第一次按铜厚的80
‑
90%进行蚀刻，蚀刻完后使用铜厚测试仪对板面残留铜厚进行检测，再根据铜厚调整蚀刻参数，翻转面向后进行第二次精准蚀刻，从而满足邦定IC线宽的一致性及高精度公差要求。
[0017]本专利技术的有益效果在于：本专利技术根据邦定IC蚀刻形态建立仿真模型，然后按仿真模型在邦定IC顶部位置进行三级梯度补偿+最外侧增加等距假焊盘方式，从而改善邦定IC蚀刻线细及顶端针尖效应等问题，提升邦定IC蚀刻精度，产品良率由50%提高到98%以上。
附图说明
[0018]图1为现有技术等宽蚀刻方法的结构示意图；图2为本专利技术补偿蚀刻方法的结构示意图；图3为现有技术等宽蚀刻方法制备的产品结构示意图；图4为本专利技术补偿蚀刻方法制备的产品结构示意图。
具体实施方式
[0019]下面将结合实施例对本专利技术的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0020]实施例1一种提高邦定IC蚀刻精度的控制方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、跟据邦定IC蚀刻形态变化建立仿真补偿模型；S2、设置邦定IC补偿；根据仿真补偿模型，对邦定IC焊盘进行至少三级梯度补偿；S3、进行邦定IC蚀刻；包括进行两次蚀刻。
[0021]通过本专利技术的加工方法，可以改善邦定IC蚀刻线细及解决IC顶部位置形成的针尖效应，有效提升邦定IC蚀刻精度及一致性。
[0022]进一步的，步骤S1中，仿真补偿模型建立的方法包括以下：S11、IC焊盘分段测试；对蚀刻后的邦定焊盘进行分段测量，在开窗区域12mil范围内，每间隔1.0mil测量1次数据；所得的测试结果如下表1所示：表1 邦定IC蚀刻精度测试结果表从趋势图看，邦定IC焊盘长度12mil，在7
‑
12mil范围内变化较小，可通过1级补偿调整，在顶部1
‑
6mil范围内呈梯度递减，需采用多级补偿方式才能改善“针尖”效应。
[0023]S12、根据步骤S11中测得的IC线宽蚀刻变化趋势，结合IC顶部1
‑
6mil区间的蚀刻差异值建立分级梯度补偿模型。
[0024]进一步的，步骤S2中，还包括邦定IC最外侧区域增加等距的假焊盘。本专利技术中， 邦定IC最外侧焊盘，受周边布线影响，可能存在不等距设计，此类不等距设计，在蚀刻时会影响蚀刻均匀性，进而造成最外侧焊盘出现侧蚀过大线细，因此需在IC最外侧区域增加等距的假焊盘或控制IC间距极差在0.5mil以内。
[0025]进一步的，步骤S2中，邦定IC补偿的方法包括以下：S21、先根据蚀刻线宽侧蚀量进行第1级补偿，视铜厚差异，线路及IC焊盘整体补偿1.5
‑
2mil；S22、根据仿真补偿本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提高邦定IC蚀刻精度的控制方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、跟据邦定IC蚀刻形态变化建立仿真补偿模型；S2、设置邦定IC补偿；根据仿真补偿模型，对邦定IC焊盘进行至少三级的梯度补偿；S3、进行邦定IC蚀刻；包括进行两次蚀刻。2.根据权利要求1所述的提高邦定IC蚀刻精度的控制方法，其特征在于，步骤S1中，仿真补偿模型建立的方法包括以下：S11、IC焊盘分段测试；对蚀刻后的邦定焊盘进行分段测量，在开窗区域12mil范围内，每间隔1.0mil测量1次数据；S12、根据步骤S11中测得的IC线宽蚀刻变化趋势，结合IC顶部1
‑
6mil区间的蚀刻差异值建立分级梯度补偿模型。3.根据权利要求1所述的提高邦定IC蚀刻精度的控制方法，其特征在于，步骤S2中，还包括邦定IC最外侧区域增加等距的假焊盘。4.根据权利要求2所述的提高邦定IC蚀刻精度的控制方法，其特征在于，步骤S2中，邦定IC补偿的方法包括以下：S21、先根据蚀刻线宽侧蚀量进行第1级补偿，视铜厚差异，线路及IC焊盘整体补偿1.5
‑
2mil；S22、根据仿真补偿模型，对邦定IC焊盘顶部位置1
‑
6mil区域进行多级补偿。5.根据权利要求4所述的提高邦定IC蚀刻精度的控制方法，其特征在于，步...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐得刚，唐宏华，樊廷慧，王斌，
申请(专利权)人：惠州市金百泽电路科技有限公司，
类型：发明
国别省市：