新结构相关双采样保持电路制造技术

新结构相关双采样保持电路，其特征在于含有源随管（Ｍ↓［ｓｆ１］）、开关管（Ｍ↓［Ｌｐ］）、采样选通管（Ｍ↓［ｓｈ］）和直流复位管（Ｍ↓［ｄｃ］），各ＭＯＳ晶体管分别有源极、漏极和栅极；源随管（Ｍ↓［ｓｆ１］）的源极经开关管（Ｍ↓［Ｌｐ］）接电源，且经采样保持电容（Ｃ↓［ｃｄｓ］）接缓冲输出级的输入端，漏极经采样选通管（Ｍ↓［ｓｈ］）接地，栅极接积分电容；源随管Ｍ↓［ｓｆ１］的源级和衬底接在一起；直流复位管（Ｍ↓［ｄｃ］）的漏极和源极分接缓冲输出级的输入端和地；开关管（Ｍ↓［Ｌｐ］）、采样选通管（Ｍ↓［ｓｈ］）和直流复位管（Ｍ↓［ｄｃ］）的栅极均接同一控制脉冲Ｖ↓［ｃｄｓｈ］。（*该技术在2012年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：袁祥辉，张智，黄友恕，吕果林，
申请(专利权)人：重庆大学，
类型：实用新型
国别省市：