磁性元件制造技术

本发明专利技术提供一种磁性元件，包括:上磁板和下磁板；至少两个磁芯柱，与所述上磁板和所述下磁板形成磁通回路；以及绕制在所述磁芯柱上的绕组，其中，所述上磁板与所述磁芯柱相互搭接的面相适配，所述上磁板至少一个和所述磁芯柱搭接的面与其至少一个相邻的面不垂直。本发明专利技术的磁性元件不仅可以改善磁元件的磁场分布，还有利于磁性元件的小型化。还有利于磁性元件的小型化。还有利于磁性元件的小型化。

【技术实现步骤摘要】
磁性元件


[0001]本专利技术涉及磁
，特别是涉及一种磁性元件。

技术介绍

[0002]在常用的基于UI Core的磁元件中，为了后续制作电路时的磁芯装配方便，将磁元件中的磁芯分成两个配件，如图1所示的I型磁芯101和U型磁芯102，其中U型磁芯相较I型磁芯多两个磁芯柱。在装配时，在进行前期装配处理后，将I型磁芯盖在U型磁芯的磁芯柱上，磁芯柱可以为I型磁芯提供支撑，装配方便；此外，U型磁芯的磁芯柱的表面一般设计成平行于水平装配面，这样在放置I型磁芯时容易放稳，同时一般I型磁芯为了制造和设计方便起见，会制造成长方体，即I型磁芯与U型磁芯的磁芯柱垂直设置。但这样设置在I型磁芯与U型磁芯的磁芯柱的搭接面边沿的位置有较高的磁通，这将加大磁芯的局部损耗密度，不利于磁芯的小型化，扁平化。

技术实现思路

[0003]鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种磁性元件，不仅可以改善磁元件的磁场分布，还有利于磁性元件的小型化。
[0004]根据本专利技术的第一方面，提供一种磁性元件，其特征在于，包括:上磁板和下磁板；至少两个磁芯柱，与所述上磁板和所述下磁板形成磁通回路；以及绕制在所述磁芯柱上的绕组，其中，所述上磁板与所述磁芯柱相互搭接的面相适配，所述上磁板至少一个和所述磁芯柱搭接的面与其至少一个相邻的面不垂直。
[0005]优选地，所述磁芯柱至少一个和所述上磁板搭接的面与其至少一个相邻的面不垂直。
[0006]优选地，所述上磁板包括第一斜面和第二斜面，一个所述磁芯柱包括第三斜面，另一个所述磁芯柱包括第四斜面，所述第一斜面与所述第三斜面搭接，所述第二斜面与所述第四斜面搭接。
[0007]优选地，向所述下磁板的方向，所述第一斜面和所述第二斜面延长相交。
[0008]优选地，所述第一斜面与所述第三斜面平行，所述第二斜面与所述第四斜面平行。
[0009]优选地，所述上磁板的截面包括第一梯形，所述第一斜面和所述第二斜面在截面上的投影对应所述第一梯形的腰。
[0010]优选地，所述磁芯柱的截面包括第二梯形，所述第三斜面或/和所述第四斜面在截面上的投影对应所述第二梯形的其中一个腰。
[0011]优选地，所述磁芯柱位于所述下磁板上，与所述下磁板垂直。
[0012]优选地，所述上磁板的下表面包括凹曲面，所述磁芯柱的上表面包括凸曲面，其中，所述凹曲面和所述凸曲面相适配。
[0013]优选地，所述下磁板和所述上磁板对称，所述磁芯柱与所述上磁板搭接的面和所述磁芯柱与所述下磁板搭接的面对称。
[0014]优选地，所述上磁板与所述磁芯柱搭接的一个面与其相邻的面不垂直，所述上磁板与所述磁芯柱搭接的另一个面与其相邻的面垂直。
[0015]优选地，所述磁芯柱的截面包括五边形，所述五边形包括三个直角，所述上磁板卡接在两个所述磁芯柱的斜面上。
[0016]优选地，所述上磁板和至少一个所述磁芯柱不接触。
[0017]优选地，所述下磁板和所述磁芯柱一体成型。
[0018]优选地，所述下磁板和所述磁芯柱之间不接触。
[0019]优选地，所述磁芯柱包括至少两个子柱，相邻的两个子柱之间设置有气隙。
[0020]优选地，所述上磁板，所述下磁板和一个所述磁芯柱一体成型。
[0021]本专利技术提供的磁性元件，通过将上磁板和磁芯柱的搭接面设置为斜面，使得上磁板和磁芯柱之间的气隙处的磁场变化更加平缓，使得磁场分布更加均匀，另外，斜面的设置使得搭接面的面积增大，流过的搭接面的平均磁感应强度减小，从而减小了磁芯的局部损耗密度。
附图说明
[0022]所包括的附图用来提供对本申请实施例的进一步的理解，其构成了说明书的一部分，用于说明本申请的实施方式，并与文字描述一起来阐释本申请的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例。
[0023]图1为现有技术的磁性元件的结构示意图；
[0024]图2a为本专利技术实施例提供的第一种磁性元件的立体结构图；
[0025]图2b为本专利技术实施例提供的第一种磁性元件的立体结构图沿虚线AA
’
的截面图；
[0026]图3为本专利技术实施例提供的第二种磁性元件的截面图；
[0027]图4为本专利技术实施例提供的第三种磁性元件的截面图；
[0028]图5为本专利技术实施例提供的第四种磁性元件的截面图。
具体实施方式
[0029]以下通过特定的具体实例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本专利技术的其他优点与功效。本专利技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本专利技术的精神下进行各种修饰或改变。
[0030]应该强调，术语“包括/包含”在本文使用时指特征、整件、步骤或组件的存在，但并不排除一个或更多个其它特征、整件、步骤或组件的存在或附加。
[0031]针对一种实施方式描述和/或示出的特征可以以相同或类似的方式在一个或更多个其它实施方式中使用，与其它实施方式中的特征相组合，或替代其它实施方式中的特征。
[0032]如在详述本专利技术实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本专利技术保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。
[0033]为了方便描述，此处可能使用诸如“之下”、“下方”、“低于”、“下面”、“上方”、“上”等的空间关系词语来描述附图中所示的一个元件或特征与其他元件或特征的关系。将理解
到，这些空间关系词语意图包含使用中或操作中的器件的、除了附图中描绘的方向之外的其他方向。此外，当一层被称为在两层“之间”时，它可以是所述两层之间仅有的层，或者也可以存在一个或多个介于其间的层。
[0034]在本申请的上下文中，所描述的第一特征在第二特征“之上”的结构可以包括第一和第二特征形成为直接接触的实施例，也可以包括另外的特征形成在第一和第二特征之间的实施例，这样第一和第二特征可能不是直接接触。
[0035]需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本专利技术的基本构想，遂图示中仅显示与本专利技术中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
[0036]本专利技术提供一种磁性元件，其特征在于，包括:上磁板和下磁板；至少两个磁芯柱，与所述上磁板和所述下磁板形成磁通回路；以及绕制在所述磁芯柱上的绕组，其中，所述上磁板与所述磁芯柱相互搭接的面相适配，所述上磁板至少一个和所述磁芯柱搭接的面与其至少一个相邻的面不垂直。所述磁芯柱至少一个和所述上磁板搭接的面与其至少一个相邻的面不垂直。
[0037]如图2a所示，为本专利技术实施例提供的第一种磁性元件的立体结构图，如图2b所示，为本专利技术实施例提供的第一种磁性元件的立体结构本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种磁性元件，其特征在于，包括:上磁板和下磁板；至少两个磁芯柱，与所述上磁板和所述下磁板形成磁通回路；以及绕制在所述磁芯柱上的绕组，其中，所述上磁板与所述磁芯柱相互搭接的面相适配，所述上磁板至少一个和所述磁芯柱搭接的面与其至少一个相邻的面不垂直。2.根据权利要求1所述的磁性元件，其特征在于，所述磁芯柱至少一个和所述上磁板搭接的面与其至少一个相邻的面不垂直。3.根据权利要求1所述的磁性元件，其特征在于，所述上磁板包括第一斜面和第二斜面，一个所述磁芯柱包括第三斜面，另一个所述磁芯柱包括第四斜面，所述第一斜面与所述第三斜面搭接，所述第二斜面与所述第四斜面搭接。4.根据权利要求3所述的磁性元件，其特征在于，向所述下磁板的方向，所述第一斜面和所述第二斜面延长相交。5.根据权利要求3所述的磁性元件，其特征在于，所述第一斜面与所述第三斜面平行，所述第二斜面与所述第四斜面平行。6.根据权利要求3所述的磁性元件，其特征在于，所述上磁板的截面包括第一梯形，所述第一斜面和所述第二斜面在截面上的投影对应所述第一梯形的腰。7.根据权利要求6所述的磁性元件，其特征在于，所述磁芯柱的截面包括第二梯形，所述第三斜面或/和所述第四斜面在截面上的投影对应所述第二梯形的其中一个腰。8.根据权利要求1所述的磁性元件，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：范高，齐雨，陈威，
申请(专利权)人：矽力杰半导体技术杭州有限公司，
类型：发明
国别省市：