一种晶体生长炉用保温结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种晶体生长炉用保温结构，包括氧化锆保温筒和包覆在氧化锆保温筒外壁上的氧化锆纤维保温层，所述氧化锆保温筒由若干个第一保温块拼接组成，所述第一保温块的两侧相对外壁分别设置有第一燕尾条和第二燕尾条，所述第一保温块的外壁与第一燕尾条的对应处开设有第一燕尾槽，所述第一保温块的外壁与第二燕尾条的对应处开设有第二燕尾槽，所述第一燕尾条和第一燕尾槽的尺寸相适配；本实用新型专利技术通过采用由若干个第一保温块及第二保温块拼接而成的氧化锆保温筒，当氧化锆保温筒经过长时间使用，导致局部受损后，只需对受损部位处的第一保温块或第二保温块进行更换即可，能够大大的晶体生长炉的维护成本。能够大大的晶体生长炉的维护成本。能够大大的晶体生长炉的维护成本。

【技术实现步骤摘要】
一种晶体生长炉用保温结构


[0001]本技术涉及一种保温结构，具体是一种晶体生长炉用保温结构。

技术介绍

[0002]晶体生长炉是一种用于电子与通信
的工艺试验仪器，多晶硅晶体生长炉是生产太阳能光伏领域的重要生产设备，该设备将多晶硅碎块料、头尾料、埚底料、各种单晶废片等材料装入炉内化料的坩埚内，经熔化、重新定向结晶及退火等工艺，铸成生产太阳电池的原料——多晶硅硅锭，硅晶体生长炉通过内部的热场即加热筒对晶体进行加热处理。
[0003]保温筒是晶体生产炉内的重要保温组件，通常设置在晶体生长炉的炉壳与坩埚之间，以对坩埚起到隔热保温的效果，目前，大多数的晶体生长炉的保温筒均采用氧化锆内筒与石英外筒的组合结构，且氧化锆内筒与石英外筒均为整体烧结而成的，当长时间使用导致氧化锆内筒的局部出现损坏后，需要对整个氧化锆内筒进行更换，成本较为高昂，有待改进。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种晶体生长炉用保温结构，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0005]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：
[0006]一种晶体生长炉用保温结构，包括氧化锆保温筒和包覆在氧化锆保温筒外壁上的氧化锆纤维保温层，所述氧化锆保温筒由若干个第一保温块拼接组成，所述第一保温块的两侧相对外壁分别设置有第一燕尾条和第二燕尾条，所述第一保温块的外壁与第一燕尾条的对应处开设有第一燕尾槽，所述第一保温块的外壁与第二燕尾条的对应处开设有第二燕尾槽，所述第一燕尾条和第一燕尾槽的尺寸相适配，所述第二燕尾条和第二燕尾槽的尺寸相适配，所述第一保温块的外表面设置有凸块。
[0007]作为本技术进一步的方案：所述第一保温块的底部开设有三个弧形槽，所述第一保温块的顶部设置有三个弧形条，所述弧形条和弧形槽一一对应且尺寸相适配。
[0008]作为本技术进一步的方案：所述第一燕尾条、第二燕尾条均位于两个相邻的弧形条之间。
[0009]作为本技术进一步的方案：每两排竖向拼接的第一保温块的接缝相互交错。
[0010]作为本技术再进一步的方案：所述氧化锆保温筒还包括若干个第二保温块，所述第二保温块在氧化锆保温筒的底部及顶部与第一保温块一一间隔分布，所述第二保温块与第一保温块的结构相同，所述第二保温块的高度尺寸为第一保温块的高度尺寸的一半。
[0011]与现有技术相比，本技术的有益效果是：
[0012]1、本技术通过采用由若干个第一保温块及第二保温块拼接而成的氧化锆保
温筒，当氧化锆保温筒经过长时间使用，导致局部受损后，只需对受损部位处的第一保温块或第二保温块进行更换即可，能够大大的晶体生长炉的维护成本。
[0013]2、本技术中，通过将下方的第一保温块顶部的弧形条插入上方第一保温块底部的弧形槽内，能够在两个第一保温块的拼接处形成波浪形的拼接缝，从而提高拼接处的保温效果，且由于每两排竖向拼接的第一保温块的接缝相互交错，能够使位于氧化锆保温筒中段的任意一个第一保温块的侧壁均能够与两个第一保温块进行拼接，从而避免多个第一保温块在氧化锆保温筒的竖直方向上呈接缝高度一致的环形拼接结构，能够提高氧化锆保温筒的稳定性。
附图说明
[0014]图1为一种晶体生长炉用保温结构的结构示意图。
[0015]图2为一种晶体生长炉用保温结构中氧化锆保温筒的正视结构示意图。
[0016]图3为一种晶体生长炉用保温结构中第一保温块的俯视结构示意图。
[0017]图4为一种晶体生长炉用保温结构中第一保温块和第二保温块的横截面结构示意图。
[0018]其中，氧化锆纤维保温层1、氧化锆保温筒2、第一保温块3、第二保温块4、第一燕尾条5、第一燕尾槽6、第二燕尾条7、第二燕尾槽8、弧形条9、弧形槽10、凸块11。
具体实施方式
[0019]为了使本技术所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下将结合实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
[0020]需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者间接在该另一个元件上。当一个元件被称为是“连接于”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或间接连接至该另一个元件上。
[0021]需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有说明书特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
[0022]此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。
[0023]请参阅图1～4，本技术实施例中，一种晶体生长炉用保温结构，包括氧化锆保温筒2和包覆在氧化锆保温筒2外壁上的氧化锆纤维保温层1，所述氧化锆保温筒2由若干个第一保温块3拼接组成，所述第一保温块3的两侧相对外壁分别设置有第一燕尾条5和第二燕尾条7，所述第一保温块3的外壁与第一燕尾条5的对应处开设有第一燕尾槽6，所述第一保温块3的外壁与第二燕尾条7的对应处开设有第二燕尾槽8，所述第一燕尾条5和第一燕尾槽6的尺寸相适配，所述第二燕尾条7和第二燕尾槽8的尺寸相适配，所述第一保温块3的外表面设置有凸块11。
[0024]所述第一保温块3的底部开设有三个弧形槽10，所述第一保温块3的顶部设置有三个弧形条9，所述弧形条9和弧形槽10一一对应且尺寸相适配。
[0025]通过将下方的第一保温块3顶部的弧形条9插入上方第一保温块3底部的弧形槽10内，能够在两个第一保温块3的拼接处形成波浪形的拼接缝，从而提高拼接处的保温效果。
[0026]所述第一燕尾条5、第二燕尾条7均位于两个相邻的弧形条9之间。
[0027]每两排竖向拼接的第一保温块3的接缝相互交错。
[0028]通过采用上述设置，能够使位于氧化锆保温筒2中段的任意一个第一保温块3的侧壁均能够与两个第一保温块3进行拼接，从而避免多个第一保温块3在氧化锆保温筒2的竖直方向上呈接缝高度一致的环形拼接结构，能够提高氧化锆保温筒2的稳定性。
[0029]所述氧化锆保温筒2还包括若干个第二保温块4，所述第二保温块4在氧化锆保温筒2的底部及顶部与第一保温块3一一间隔分布，所述第二保温块4与第一保温块3的结构相同，所述第二保温块4的高度尺寸为第一保温块3的高度尺寸的一半。
[0030]通过第二保温块4的设置，能够弥补两排竖向相邻的第一保温块4之间的高度差
[0031]本技术的工作原理是：
[0032]本实用本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶体生长炉用保温结构，其特征在于：包括氧化锆保温筒(2)和包覆在氧化锆保温筒(2)外壁上的氧化锆纤维保温层(1)，所述氧化锆保温筒(2)由若干个第一保温块(3)拼接组成，所述第一保温块(3)的两侧相对外壁分别设置有第一燕尾条(5)和第二燕尾条(7)，所述第一保温块(3)的外壁与第一燕尾条(5)的对应处开设有第一燕尾槽(6)，所述第一保温块(3)的外壁与第二燕尾条(7)的对应处开设有第二燕尾槽(8)，所述第一燕尾条(5)和第一燕尾槽(6)的尺寸相适配，所述第二燕尾条(7)和第二燕尾槽(8)的尺寸相适配，所述第一保温块(3)的外表面设置有凸块(11)。2.根据权利要求1所述的一种晶体生长炉用保温结构，其特征在于：所述第一保温块(3)的底部开设有三个弧形槽(10)，...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡海，朱志刚，李永成，张逊达，
申请(专利权)人：北京捷普创威光电技术有限公司，
类型：新型
国别省市：