【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种C波段双极化馈源,包括由高频头4、接口5、波导6、馈电盘8的单极化馈源,其特征在于:弧接口3与波导6为拼装式结构,在波导6的管壁上用螺钉垂直连接弧接口3,绝缘子1的小孔径端穿过弧接口3的中心孔通到波导6的内壁上,探针7装在绝缘子1内,一端伸到波导6内,直角弯臂端在高频头2管道内与波导6平行且弯臂朝向馈电盘8,高频头2与弧接口3螺钉连接,探针7与绝缘子1、绝缘子1与弧接口3的中心孔为过盈配合。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:刘强,
申请(专利权)人:中国人民解放军第七三二一工厂,
类型:实用新型
国别省市:53[中国|云南]
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