一种超高开关频率的大功率D类功放电路制造技术

技术编号:36236590 阅读:24 留言:0更新日期:2023-01-04 12:43
本实用新型专利技术公开了一种超高开关频率的大功率D类功放电路,涉及音频功率放大领域,该超高开关频率的大功率D类功放电路包括:D类供电模块,控制音频输出模块工作;多个D类供电模块串联连接后和音频输出模块构成回路,与现有技术相比,本实用新型专利技术的有益效果是:本实用新型专利技术开关频率可轻松突破1MHz,甚至更高,从而得到更低失真的输出信号、更真实的还原原本的声音;由于采用多路D类功放模块的串联输出,与常规的D类功放相比,可以很容易获得更大的输出功率;由于采用低耐压的二氧化硅MOSFET,与常规的高压MOSFET相比,由于低压MOSFET拥有更低的导通内阻和更高的开关速度,从而可获得更高的效率、更低的发热。更低的发热。更低的发热。

【技术实现步骤摘要】
一种超高开关频率的大功率D类功放电路


[0001]本技术涉及音频功率放大领域,具体是一种超高开关频率的大功率D类功放电路。

技术介绍

[0002]随着电子技术的飞速发展,音频功率放大器以及有源扬声器系统中的功率放大模块也发生了较大的变化,逐步向着大功率小体积、高可靠性方向发展。同时音响系统重放效果的好坏,也是人们所追求的,而作为驱动扬声器系统的核心部分,音频功率放大器就成了关键,而其中电路的好坏,直接影响音频功率放大器的好坏。
[0003]为了实现大功率,小体积、高可常性,现阶段开始广泛采用D类功率放大器,而用于D类功率放大器输出级的器件以MOSFET为主,就材料来分有二氧化硅,碳化硅,氮化镓等,后两种属于新兴材料,具有非常好的开关特性,已进入逐步试用阶段,但目前价格非常高,所以商品化的产品依然以传统硅(二氧化硅)MOSFET为主。
[0004]传统硅MOSFET用于D类功放,主要缺点就是开关频率受限制。理论上讲,开关频率越高放大器的音频性能越好,开关频率越低,对音频的影响就越大。而大功率产品,往往需要用到高耐压的MOSFET(300V和500V耐压都是比较常见的),MOSFET耐压越高,能可靠工作的频率越低,这就与实际需求相悖,不能满足使用者的需求,因此需要对传统的D类功放进行改进。

技术实现思路

[0005]本技术的目的在于提供一种超高开关频率的大功率D类功放电路,以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0006]为实现上述目的,本技术提供如下技术方案:
[0007]一种超高开关频率的大功率D类功放电路,包括:
[0008]音频信号输入模块,用于输入音频信号;
[0009]隔离输出模块,用于音频信号隔离输出,控制D类功放模块导通频率;
[0010]D类功放模块,用于通过音频信号控制音频输出模块工作;
[0011]音频输出模块,用于工作时,输出音频;
[0012]音频信号输入模块连接隔离输出模块,隔离输出模块连接D类功放模块,D类功放模块连接音频输出模块;
[0013]D类功放模块包括多个,且多个D类供电模块串联连接后和音频输出模块构成回路。
[0014]作为本技术再进一步的方案:D类功放模块包括放大器、独立电源、MOSFET,放大器的输入端连接隔离输出模块,放大器的电源端连接独立电源,放大器的输出端连接MOSFET的第二端,多个D类供电模块有对应数量的MOSFET,上一个MOSFET的第三端连接下一个MOSFET的第一端,第一个MOSFET的第一端连接音频输出模块的一端,最后一个MOSFET的
第三端连接音频输出模块的另一端,以此构成多个D类供电模块串联连接后和音频输出模块构成回路。
[0015]作为本技术再进一步的方案:MOSFET为二氧化硅MOSFET。
[0016]作为本技术再进一步的方案:MOSFET耐压为100V或100V以下。
[0017]作为本技术再进一步的方案:隔离输出模块包括音频信号隔离变压器,音频信号隔离变压器的输入侧连接音频信号输入模块,音频信号隔离变压器的输出侧有多个隔离绕组,一个隔离绕组连接一个D类功放模块。
[0018]与现有技术相比,本技术的有益效果是:本技术开关频率可轻松突破1MHz,甚至更高,从而得到更低失真的输出信号、更真实的还原原本的声音;由于采用多路D类功放模块的串联输出,与常规的D类功放相比,可以很容易获得更大的输出功率;由于采用低耐压的二氧化硅MOSFET,与常规的高压MOSFET相比,由于低压MOSFET拥有更低的导通内阻和更高的开关速度,从而可获得更高的效率、更低的发热。
附图说明
[0019]图1为一种超高开关频率的大功率D类功放电路的示意图。
具体实施方式
[0020]下面将结合本技术实施例中的附图,对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例,而不是全部的实施例,基于本技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本技术保护的范围。
[0021]请参阅图1,一种超高开关频率的大功率D类功放电路,包括:
[0022]音频信号输入模块,用于输入音频信号;
[0023]隔离输出模块,用于音频信号隔离输出,控制D类功放模块导通频率;
[0024]D类功放模块,用于通过音频信号控制音频输出模块工作;
[0025]音频输出模块,用于工作时,输出音频;
[0026]音频信号输入模块连接隔离输出模块,隔离输出模块连接D类功放模块,D类功放模块连接音频输出模块;
[0027]D类功放模块包括多个,且多个D类供电模块串联连接后和音频输出模块构成回路。
[0028]在本实施例中:请参阅图1,D类功放模块包括放大器、独立电源、MOSFET,放大器的输入端连接隔离输出模块,放大器的电源端连接独立电源,放大器的输出端连接MOSFET的第二端,多个D类供电模块有对应数量的MOSFET,上一个MOSFET的第三端连接下一个MOSFET的第一端,第一个MOSFET的第一端连接音频输出模块的一端,最后一个MOSFET的第三端连接音频输出模块的另一端,以此构成多个D类供电模块串联连接后和音频输出模块构成回路。
[0029]音频信号输入模块输入音频信号,经过隔离输出模块输出给放大器的输入端(同相端或者反相端看具体连接),经过放大器放大后控制MOSFET的导通频率,进而音频输出模块工作。
[0030]在本实施例中:请参阅图1,MOSFET为二氧化硅MOSFET。
[0031]常规MOSFET价格相较于碳化硅、氮化镓等材料的MOSFET价格更便宜。
[0032]在本实施例中:请参阅图1,MOSFET耐压为100V或100V以下。
[0033]常规的大功率D类功放,往往需要用到高耐压的MOSFET,例如500V耐压的硅MOSFET,一般只能工作在200kHz以下的开关频率,而通过多个MOSFET串联后,每个分压更低,开关频率可轻松突破1MHz,甚至更高,开关频率就是功放的采样率,采用率越高越能完整的重现声音原本应该有的波形,从而得到更低失真的输出信号、更真实的还原原本的声音。
[0034]在本实施例中:请参阅图1,隔离输出模块包括音频信号隔离变压器,音频信号隔离变压器的输入侧连接音频信号输入模块,音频信号隔离变压器的输出侧有多个隔离绕组,一个隔离绕组连接一个D类功放模块。
[0035]通过隔离输出模块做电器隔离,减少干扰。
[0036]本技术的工作原理是:音频信号输入模块输入音频信号,隔离输出模块将音频信号隔离输出,控制D类功放模块导通频率,D类功放模块通过音频信号控制音频输出模块工作,音频输出模块音频输出。
[0037]对于本领域技术人员而言,显然本技术不限于上述示范性实施例本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种超高开关频率的大功率D类功放电路,其特征在于:该超高开关频率的大功率D类功放电路包括:音频信号输入模块,用于输入音频信号;隔离输出模块,用于音频信号隔离输出,控制D类功放模块导通频率;D类功放模块,用于通过音频信号控制音频输出模块工作;音频输出模块,用于工作时,输出音频;音频信号输入模块连接隔离输出模块,隔离输出模块连接D类功放模块,D类功放模块连接音频输出模块;D类功放模块包括多个,且多个D类供电模块串联连接后和音频输出模块构成回路。2.根据权利要求1所述的超高开关频率的大功率D类功放电路,其特征在于,D类功放模块包括放大器、独立电源、MOSFET,放大器的输入端连接隔离输出模块,放大器的电源端连接独立电源,放大器的输出端连接MOSFET的第二端,多个D类供电模块有对应数量的M...

【专利技术属性】
技术研发人员:闻雄伟
申请(专利权)人:先歌国际影音股份有限公司
类型:新型
国别省市:

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