一种多层陶瓷电容器制造技术

技术编号:36219880 阅读:45 留言:0更新日期:2023-01-04 12:17
本发明专利技术公开了一种多层陶瓷电容器,包括:陶瓷本体、第一外电极和第二外电极。陶瓷本体包括层叠的多个介电层以及交替层叠的第一内电极和第二内电极,作为多层陶瓷电容器的安装面的第一主面;第一外电极包括位于陶瓷本体上的第一导电层、位于第一导电层上的第一焊接层、位于陶瓷本体上的第一振动缓冲层和位于第一振动缓冲层上的第二焊接层,第二区域靠近第一主面;第二外电极包括位于陶瓷本体上的第二导电层、位于第二导电层上的第三焊接层、位于陶瓷本体上的第二振动缓冲层和位于第二振动缓冲层上的第四焊接层,第四区域靠近第一主面。第一振动缓冲层和第二振动缓冲层可以减小应力对陶瓷本体的破坏,防止陶瓷本体发生断裂。裂。裂。

【技术实现步骤摘要】
一种多层陶瓷电容器


[0001]本专利技术涉及电容器
,尤其涉及一种多层陶瓷电容器。

技术介绍

[0002]多层陶瓷电容器(Multi

layer Ceramic Capacitors,简称MLCC)通常是直接焊接于电路板上,通电时,由于电致伸缩效应致使陶瓷本体出现伸缩应力并通过外电极传播至电路板,从而使得电路板出现振动,进而产生噪声,当振动幅度变大或振动时间过长时,还会导致MLCC从电路板上脱落或陶瓷本体损坏的情况。另外,当电路板出现弯折或变形时也会产生应力,也容易使MLCC从电路板上脱落或陶瓷本体出现断裂。如中国专利CN109585168B专利所示,其虽然揭示了第二电极层E2采用导电性树脂层,也能够吸收外力起到缓冲作用,进而能够抑制在素体产生裂纹,但是该第二电极层E2是形成于第一电极层E1(如Cu,Ni)外并位于第三电极层E3(Ni)内,一方面不是直接与陶瓷本体结合,因此当陶瓷本体产生电致伸缩效应时,陶瓷本体与第一电极层E1在焊接位置处容易发生分离或裂开进而影响外电极和陶瓷本体之间的结合力和导电性能;另一方面,第三电极层E3也是硬金属层,当电路板发生弯曲变形时,第三电极层E3(锡层会熔化)与电路板之间容易产生分离或分裂,而且该专利的导电性树脂层局部包覆在镍层及铜层之间,也会影响二者之间的结合力以及电气性能的一致性和稳定性。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种多层陶瓷电容器,陶瓷本体上设置有振动缓冲层,当多层陶瓷电容发生电致伸缩效应产生振动或电路板发生变形产生应力时,振动缓冲层可以减小振动和应力对陶瓷本体的破坏,防止陶瓷本体发生断裂的问题。
[0004]本专利技术的目的采用以下技术方案实现:
[0005]一种多层陶瓷电容器,包括:
[0006]陶瓷本体,具有在层叠方向上相对的第一主面和第二主面、在长度方向上相对的第一端面和第二端面、以及在宽度方向上相对的第一侧面和第二侧面,所述第一主面是所述多层陶瓷电容器的安装面,所述陶瓷本体包括层叠的多个介电层以及交替层叠的第一内电极和第二内电极,所述介电层位于所述第一内电极和所述第二内电极之间;
[0007]第一外电极,所述第一外电极的至少部分位于所述第一端面,所述第一外电极包括第一区域和第二区域,所述第一区域包括位于所述陶瓷本体上的第一导电层和位于所述第一导电层外的第一焊接层,所述第一导电层电连接所述第一内电极,所述第二区域包括位于所述陶瓷本体上的第一振动缓冲层和位于所述第一振动缓冲层外的第二焊接层,所述第二区域靠近所述第一主面;
[0008]第二外电极,所述第二外电极的至少部分位于所述第二端面,所述第二外电极包括第三区域和第四区域,所述第三区域包括位于所述陶瓷本体上的第二导电层和位于所述第二导电层外的第三焊接层,所述第二导电层电连接所述第二内电极,所述第四区域包括
位于所述陶瓷本体上的第二振动缓冲层和位于所述第二振动缓冲层外的第四焊接层,所述第四区域靠近所述第一主面。
[0009]优选地,所述第一导电层覆盖部分所述第二主面、部分所述第一端面、部分所述第一侧面和部分所述第二侧面,所述第一焊接层覆盖所述第一导电层,所述第一振动缓冲层覆盖部分所述第一主面、部分所述第一端面、部分所述第一侧面和部分所述第二侧面,所述第二焊接层覆盖所述第一振动缓冲层;
[0010]所述第二导电层覆盖部分所述第二主面、部分所述第一端面、部分所述第一侧面和部分所述第二侧面,所述第三焊接层覆盖所述第二导电层,所述第二振动缓冲层覆盖部分所述第一主面、部分所述第一端面、部分所述第一侧面和部分所述第二侧面,所述第四焊接层覆盖所述第二振动缓冲层。
[0011]优选地,所述第一振动缓冲层与所述第一导电层电连接,所述第二振动缓冲层与所述第二导电层电连接。
[0012]优选地,所述第一缓冲层与所述第一导电层直接接触连接,所述第二振动缓冲层与所述第二导电层直接接触连接。
[0013]优选地,所述第一振动缓冲层与所述第一导电层间隔设置,所述第一振动缓冲层与所述第一导电层之间填充有所述第一焊接层和/或所述第二焊接层并通过所述第一焊接层和/或所述第二焊接层电连接;
[0014]所述第二振动缓冲层与所述第二导电层间隔设置,所述第二振动缓冲层与所述第二导电层之间填充有所述第三焊接层和/或所述第四焊接层并通过所述第三焊接层和/或所述第四焊接层电连接。
[0015]优选地,所述陶瓷本体还包括保护层,所述保护层覆盖最靠近所述第一主面的所述第一内电极或所述第二内电极,所述保护层的背向所述第一内电极和所述第二内电极的一侧形成所述第一主面;
[0016]所述第一振动缓冲层仅覆盖部分所述保护层,所述第二振动缓冲层仅覆盖部分所述保护层。
[0017]优选地,所述第一振动缓冲层包含导电材料,所述第一振动缓冲层与部分所述第一内电极电连接,所述第二振动缓冲层包含导电材料,所述第二振动缓冲层与部分所述第二内电极电连接。
[0018]优选地,所述第一振动缓冲层的厚度大于等于所述第一导电层的厚度,所述第二振动缓冲层的厚度大于等于所述第二导电层的厚度;
[0019]所述第一焊接层和所述第二焊接层的连接处形成所述第二焊接层背向所述陶瓷本体外凸的台阶结构,所述第三焊接层和所述第四焊接层的连接处形成所述第四焊接层背向所述陶瓷本体外凸的台阶结构。
[0020]优选地,所述第二焊接层的厚度大于所述第一焊接层的厚度并使所述第二焊接层的凸出程度增加,所述第四焊接层的厚度大于所述第三焊接层的厚度并使所述第四焊接层的凸出程度增加。
[0021]优选地,所述第一振动缓冲层的厚度小于所述第一导电层的厚度,所述第二振动缓冲层的厚度小于所述第二导电层的厚度;
[0022]所述第一焊接层和所述第二焊接层的连接处形成所述第一焊接层背向所述陶瓷
本体外凸的台阶结构,所述第三焊接层和所述第四焊接层的连接处形成所述第三焊接层背向所述陶瓷本体外凸的台阶结构。
[0023]优选地,所述第一振动缓冲层包含银、铅、导电性树脂中的至少一种材料,所述第二振动缓冲层包含银、铅、导电性树脂中的至少一种材料;
[0024]所述第一导电层包括位于所述陶瓷本体上的铜层和位于所述铜层上的镍层,所述第二导电层包括位于所述陶瓷本体上的铜层和位于所述铜层上的镍层,所述第一焊接层、所述第二焊接层、所述第三焊接层和所述第四焊接层为锡层。
[0025]优选地,所述第一导电层和所述第二导电层中的铜层通过烧结的方式粘附形成在所述陶瓷本体上,所述第一导电层和所述第二导电层中的镍层通过化镀或电镀的方式镀覆在对应的铜层上,所述第一振动缓冲层和所述第二振动缓冲层通过烧结的方式粘附形成在所述陶瓷本体上。
[0026]优选地,所述陶瓷本体在层叠方向上的高度为L1,所述第一端面上的所述第二区域在层叠方向上的高度为L2,所述第二端面上的所述第四区域在层叠方向上的高度为L3,高度L2与高度L1的比值大于等于0.2且小于等于0.5,高度L3与本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多层陶瓷电容器,其特征在于,包括:陶瓷本体,具有在层叠方向上相对的第一主面和第二主面、在长度方向上相对的第一端面和第二端面、以及在宽度方向上相对的第一侧面和第二侧面,所述第一主面是所述多层陶瓷电容器的安装面,所述陶瓷本体包括层叠的多个介电层以及交替层叠的第一内电极和第二内电极,所述介电层位于所述第一内电极和所述第二内电极之间;第一外电极,所述第一外电极的至少部分位于所述第一端面,所述第一外电极包括第一区域和第二区域,所述第一区域包括位于所述陶瓷本体上的第一导电层和位于所述第一导电层外的第一焊接层,所述第一导电层电连接所述第一内电极,所述第二区域包括位于所述陶瓷本体上的第一振动缓冲层和位于所述第一振动缓冲层外的第二焊接层,所述第二区域靠近所述第一主面;第二外电极,所述第二外电极的至少部分位于所述第二端面,所述第二外电极包括第三区域和第四区域,所述第三区域包括位于所述陶瓷本体上的第二导电层和位于所述第二导电层外的第三焊接层,所述第二导电层电连接所述第二内电极,所述第四区域包括位于所述陶瓷本体上的第二振动缓冲层和位于所述第二振动缓冲层外的第四焊接层,所述第四区域靠近所述第一主面。2.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器,其特征在于,所述第一导电层覆盖部分所述第二主面、部分所述第一端面、部分所述第一侧面和部分所述第二侧面,所述第一焊接层覆盖所述第一导电层,所述第一振动缓冲层覆盖部分所述第一主面、部分所述第一端面、部分所述第一侧面和部分所述第二侧面,所述第二焊接层覆盖所述第一振动缓冲层;所述第二导电层覆盖部分所述第二主面、部分所述第一端面、部分所述第一侧面和部分所述第二侧面,所述第三焊接层覆盖所述第二导电层,所述第二振动缓冲层覆盖部分所述第一主面、部分所述第一端面、部分所述第一侧面和部分所述第二侧面,所述第四焊接层覆盖所述第二振动缓冲层。3.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器,其特征在于,所述第一振动缓冲层与所述第一导电层电连接,所述第二振动缓冲层与所述第二导电层电连接。4.根据权利要求3所述的多层陶瓷电容器,其特征在于,所述第一缓冲层与所述第一导电层直接接触连接,所述第二振动缓冲层与所述第二导电层直接接触连接。5.根据权利要求3所述的多层陶瓷电容器,其特征在于,所述第一振动缓冲层与所述第一导电层间隔设置,所述第一振动缓冲层与所述第一导电层之间填充有所述第一焊接层和/或所述第二焊接层并通过所述第一焊接层和/或所述第二焊接层电连接;所述第二振动缓冲层与所述第二导电层间隔设置,所述第二振动缓冲层与所述第二导电层之间填充有所述第三焊接层和/或所述第四焊接层并通过所述第三焊接层和/或所述第四焊接层电连接。6.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器,其特征在于,所述陶瓷本体还包括保护层,所述保护层覆盖最靠近所述第一主面的所述第一内电极或所述第二内电极,所述保护层的背向所述第一内电极和所述第二内电极的一侧形成所述第一主面;所述第一振动缓...

【专利技术属性】
技术研发人员:ꢀ七四专利代理机构
申请(专利权)人:池州昀冢电子科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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