本说明书实施例提供信号衰减装置，其中所述信号衰减装置包括电压源、温度补偿模块和信号衰减模块,且通过所述温度补偿模块为所述信号衰减模块提供温度补偿控制电压；其中，所述温度补偿模块包括负电源和至少一个温度补偿子模块，所述温度补偿子模块与所述负电源连接，所述温度补偿子模块包括第一温度补偿单元、自偏置单元、第二温度补偿单元，所述第一温度补偿单元、所述自偏置单元、所述第二温度补偿单元和所述负电源依次串联连接；所述电压源提供调节电压，所述调节电压通过所述温度补偿模块处理，转换为所述温度补偿控制电压。实现信号衰减模块的衰减性能的温度补偿效果，进一步提升了信号衰减装置的衰减性能。步提升了信号衰减装置的衰减性能。步提升了信号衰减装置的衰减性能。
【技术实现步骤摘要】
信号衰减装置
[0001]本说明书实施例涉及衰减器器件领域，特别涉及信号衰减装置。
技术介绍
[0002]电调衰减器是一种通过外接控制信号对射频微波信号进行有效连续调节的控制器，其通过不断更改器件的外接控制电压，实现对射频微波信号幅度的控制。
[0003]电调衰减器通常由场效应晶体管构成。利用场效应晶体管随栅极电压控制的可调沟道阻抗特性，通过串联或者并联场效应晶体管可以实现栅极电压对射频微波信号的幅度连续可调功能。然而，场效应晶体管是温度敏感器件，随着场效应晶体管所处环境的温度变化，会产生温度漂移，温度漂移会导致场效应晶体管的沟道阻抗发生变化，进一步导致电调衰减器的衰减值发生变化，从而影响电调衰减器对微波信号幅度控制性能的温度稳定性。因此，亟需一种有效的技术方案解决上述问题。
技术实现思路
[0004]有鉴于此，本说明书实施例提供了一种信号衰减装置，以解决现有技术中存在的技术缺陷。
[0005]根据本说明书实施例的第一方面，提供了一种信号衰减装置，包括：电压源、温度补偿模块和信号衰减模块,且通过所述温度补偿模块为所述信号衰减模块提供温度补偿控制电压；
[0006]其中，所述温度补偿模块包括负电源和至少一个温度补偿子模块，所述温度补偿子模块与所述负电源连接，所述温度补偿子模块包括第一温度补偿单元、自偏置单元、第二温度补偿单元，所述第一温度补偿单元、所述自偏置单元、所述第二温度补偿单元和所述负电源依次串联连接；
[0007]所述电压源提供调节电压，所述调节电压通过所述温度补偿模块处理，转换为所述温度补偿控制电压。
[0008]可选地，所述第一温度补偿单元包括第一补偿电阻和第一二极管；
[0009]所述第一补偿电阻的一端与所述电压源连接，所述第一补偿电阻的另一端与所述第一二极管的阳极连接。
[0010]可选地，所述自偏置单元包括偏置电阻和场效应管；
[0011]所述场效应管的漏极与所述第一二极管的阴极连接，所述场效应管的源极与所述偏置电阻连接。
[0012]可选地，所述第二温度补偿单元包括第二补偿电阻和第二二极管；
[0013]所述第二补偿电阻的一端与所述负电源连接，所述第二补偿电阻的另一端与所述第二二极管的阴极连接，所述场效应管的栅极与所述第二二极管的阳极连接。
[0014]可选地，所述调节电压通过所述第一温度补偿单元和所述自偏置单元处理，得到处理后的调节电压；
[0015]所述负电源提供负电压，所述负电压通过所述第二温度补偿单元处理，得到处理后的负电压；
[0016]根据所述处理后的调节电压和所述处理后的负电压，得到温度补偿控制电压并输出至所述信号衰减模块。
[0017]可选地，所述温度补偿子模块的数量与所述信号衰减模块中的电流通路的类型相对应。
[0018]可选地，所述信号衰减模块包括信号输入端、信号输出端、至少一个衰减场效应管和至少一个保护电阻，所述保护电阻的一端与所述衰减场效应管的栅极连接；
[0019]其中，所述温度补偿子模块输出的温度补偿控制电压，输入至所述保护电阻的另一端。
[0020]可选地，在所述信号衰减模块中的电流通路为串联类型的情况下，所述信号衰减模块包括信号输入端、信号输出端、衰减场效应管和保护电阻，所述温度补偿模块包括一个温度补偿子模块；
[0021]其中，所述信号输入端与所述衰减场效应管的源极连接，所述信号输出端与所述衰减场效应管的漏极连接，所述衰减场效应管的栅极与所述保护电阻的一端连接；
[0022]所述温度补偿子模块输出的温度补偿控制电压输入至所述保护电阻的另一端。
[0023]可选地，在所述信号衰减模块中的电流通路为并联类型的情况下，所述信号衰减模块包括信号输入端、信号输出端、衰减场效应管和保护电阻，所述温度补偿模块包括一个温度补偿子模块；
[0024]其中，所述信号输入端与所述信号输出端连接，所述衰减场效应管的漏极连接于所述信号输入端和所述信号输出端之间，所述衰减场效应管的源极接地，所述衰减场效应管的栅极与所述保护电阻的一端连接；
[0025]所述温度补偿子模块输出的温度补偿控制电压输入至所述保护电阻的另一端。
[0026]可选地，在所述信号衰减模块为串并联类型的情况下，所述信号衰减模块包括信号输入端、信号输出端、三个衰减场效应管和三个保护电阻，所述温度补偿模块包括两个温度补偿子模块；
[0027]其中，所述信号输入端与第一衰减场效应管的源极连接，所述第一衰减场效应管的漏极与第二衰减场效应管的漏极连接，所述第二衰减场效应管的源极与所述信号输出端连接，第三衰减场效应管的漏极连接于所述第一衰减场效应管的漏极和所述第二衰减场效应管的漏极之间，所述第三衰减场效应管的源极接地，所述第一衰减场效应管的栅极与第一保护电阻的一端连接，所述第二衰减场效应管的栅极与第二保护电阻的一端连接，所述第三衰减场效应管的栅极与第三保护电阻的一端连接；
[0028]一个所述温度补偿子模块输出的温度补偿控制电压输入至所述第一保护电阻的另一端和所述第二保护电阻的另一端，另一个所述温度补偿子模块输出的温度补偿控制电压输入至所述第三保护电阻的另一端。
[0029]本说明书实施例提供的信号衰减装置，包括电压源、温度补偿模块和信号衰减模块,且通过所述温度补偿模块为所述信号衰减模块提供温度补偿控制电压；其中，所述温度补偿模块包括负电源和至少一个温度补偿子模块，所述温度补偿子模块与所述负电源连接，所述温度补偿子模块包括第一温度补偿单元、自偏置单元、第二温度补偿单元，所述第
一温度补偿单元、所述自偏置单元、所述第二温度补偿单元和所述负电源依次串联连接；所述电压源提供调节电压，所述调节电压通过所述温度补偿模块处理，转换为所述温度补偿控制电压。
[0030]上述装置通过设置温度补偿模块，通过温度补偿模块中一次串联连接的第一温度补偿单元、自偏置单元、第二温度补偿单元和负电源，将电压源提供的调节电压转换为温度补偿控制电压，使该温度补偿控制电压能够随温度的变化而改变，将该温度补偿控制电压提供给信号衰减模块，能够实现信号衰减模块的衰减性能的温度补偿效果，避免信号衰减模块的衰减性能在不同温度下衰减量漂移的问题，进一步提升了信号衰减装置的衰减性能，并且能够增加信号衰减装置的温度稳定性性能。
附图说明
[0031]图1是本说明书一个实施例提供的一种信号衰减装置的示意图；
[0032]图2是本说明书一个实施例提供的一种信号衰减装置中的温度补偿模块的电路示意图；
[0033]图3是本说明书一个实施例提供的一种信号衰减模块的电流通路为串联类型时的信号衰减装置的电路示意图；
[0034]图4是本说明书一个实施例提供的一种信号衰减模块的电流通路为并联类型时的信号衰减装置的电路示意图；
[0035]图5是本说明书一个实施例提供的一种信号衰减模块的电流通路为串并联类型时的信号衰减装置的电路示意图；
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种信号衰减装置，其特征在于，所述装置包括电压源、温度补偿模块和信号衰减模块,且通过所述温度补偿模块为所述信号衰减模块提供温度补偿控制电压；其中，所述温度补偿模块包括负电源和至少一个温度补偿子模块，所述温度补偿子模块与所述负电源连接，所述温度补偿子模块包括第一温度补偿单元、自偏置单元、第二温度补偿单元，所述第一温度补偿单元、所述自偏置单元、所述第二温度补偿单元和所述负电源依次串联连接；所述电压源提供调节电压，所述调节电压通过所述温度补偿模块处理，转换为所述温度补偿控制电压。2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一温度补偿单元包括第一补偿电阻和第一二极管；所述第一补偿电阻的一端与所述电压源连接，所述第一补偿电阻的另一端与所述第一二极管的阳极连接。3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述自偏置单元包括偏置电阻和场效应管；所述场效应管的漏极与所述第一二极管的阴极连接，所述场效应管的源极与所述偏置电阻连接。4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述第二温度补偿单元包括第二补偿电阻和第二二极管；所述第二补偿电阻的一端与所述负电源连接，所述第二补偿电阻的另一端与所述第二二极管的阴极连接，所述场效应管的栅极与所述第二二极管的阳极连接。5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述调节电压通过所述第一温度补偿单元和所述自偏置单元处理，得到处理后的调节电压；所述负电源提供负电压，所述负电压通过所述第二温度补偿单元处理，得到处理后的负电压；根据所述处理后的调节电压和所述处理后的负电压，得到温度补偿控制电压并输出至所述信号衰减模块。6.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述温度补偿子模块的数量与所述信号衰减模块中的电流通路的类型相对应。7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述信号衰减模块包括信号输入端、信号输出端、至少一个衰减场效应管和至少一个保护电阻，所述保护电阻的一端与所述衰减场效应管的栅极连接；其中，所述温度补偿子模块输出的温度补偿控制电压，输入至所述保护电阻...
【专利技术属性】
技术研发人员：韦仕举，吴刚，朱正贤，
申请(专利权)人：银河航天西安科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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