一种提高靶材利用率的方法技术

本发明专利技术涉及一种提高靶材利用率的方法，所述方法包括提供带有PLC程序控制的磁控溅射装置，所述磁控溅射装置包括被成膜基板、与所述被成膜基板相对设置的靶材、设置在所述靶材远离所述被成膜基板一侧的磁铁、分别位于所述磁铁左右两端用于识别所述磁铁位置的一组第一感应器，所述第一感应器之间的距离为a，所述磁铁在所述第一感应器之间做左右复往运动，所述方法还包括沿着所述第一感应器方向上在所述第一感应器之间设置有第二感应器，所述第二感应器之间的距离b满足：0.88a≤b<a，所述磁铁按照在所述第一感应器之间做左右复往运动、在所述第二感应器之间做左右复往运动的顺序依次循环。循环。循环。

【技术实现步骤摘要】
一种提高靶材利用率的方法


[0001]本专利技术涉及磁性溅射沉积
，特别是涉及一种提高靶材利用率的方法。

技术介绍

[0002]随着液晶电视、智能手机、平板电脑、笔记本电脑等电子产品的普及，显示屏的市场需求也日益加大。为了满足市场需求，近年以来国内的显示屏面板生产厂家开始大面积投产，市场竞争逐步激烈。同时，用于生产显示屏面板的原材料还在不断的涨价。为了应对日益激烈的市场竞争和原材料价格飙升的现状，显示屏面板生产厂商在生产制造过程中进行合理的成本控制是十分必要的。
[0003]目前G4.5及以下世代线的显示屏面板的磁控溅射生产设备，基本上都是单磁铁扫描设备，该类型设备的缺点是靶材利用率普遍小于30％。具体地，在磁控溅射镀膜过程中，如图1所示，磁铁扫描是一个磁铁由静止到加速至一定速度，再进行减速的过程，即磁铁在运行路径的两个起点位置处速度较低，在这种情况下，在靶材上对应于磁铁运行路径的两个起点位置处的区域被刻蚀的程度会更大，形成如图2所示的一组“跑道”，对使用过后的靶材进行剩余厚度测量，如图3所示，可以看到在靶材上跑道位置对应的剩余厚度明显小于其他位置。当跑道位置的被刻蚀深度越大，靶材被击穿的概率就越大，而一旦靶材被击穿就无法再继续使用，必须对整个靶材进行更换，鉴于此，有必要寻求一种提高靶材利用率的方法，减小跑道位置的靶材消耗量以改善靶材利用率低的问题。

技术实现思路

[0004]针对现有技术中存在的技术问题，本专利技术提供一种提高靶材利用率的方法，所述方法包括提供带有PLC程序控制的磁控溅射装置，所述磁控溅射装置包括被成膜基板、与所述被成膜基板相对设置的靶材、设置在所述靶材远离所述被成膜基板一侧的磁铁、分别位于所述磁铁左右两侧用于识别所述磁铁位置的一组第一感应器，所述第一感应器之间的距离为a，所述磁铁在所述第一感应器之间做左右复往运动，所述方法还包括沿着所述第一感应器方向上在所述第一感应器之间设置有第二感应器，所述第二感应器之间的距离b满足：0.88a≤b<a，所述磁铁按照在所述第一感应器之间做左右复往运动、在所述第二感应器之间做左右复往运动的顺序依次循环。
[0005]进一步地，所述0.88a的值不小于所述被成膜基板的宽度。
[0006]进一步地，沿着所述第一感应器方向上在所述第一感应器之间设置有一组所述第二感应器。
[0007]进一步地，对所述PLC程序进行修改，包括：当所述磁控溅射装置识别出第m块所述被成膜基板，所述磁铁在所述第一感应器之间做左右复往运动，当所述磁控溅射装置识别出第n块所述被成膜基板,所述磁铁在所述第二感应器之间做左右复往运动，m为奇数，n为偶数。
[0008]进一步地，沿着所述第一感应器方向上在所述第一感应器之间设置两组所述第二
感应器，第一组所述第二感应器之间的距离为b，第二组所述第二感应器之间的距离为c，b、c满足：0.88a≤c<b<a。
[0009]进一步地，对所述PLC程序进行修改，包括：当所述磁控溅射装置识别出第M块所述被成膜基板，所述磁铁在所述第一感应器之间做左右复往运动，当所述磁控溅射装置识别出第N块所述被成膜基板,所述磁铁在第一组所述第二感应器之间做左右复往运动，当所述磁控溅射装置识别出第S块所述被成膜基板,所述磁铁在第二组所述第二感应器之间做左右复往运动，M等于3x
‑
2，N等于3y
‑
1，S为3z，x、y、z均为正整数。
[0010]相比于现有技术，本专利技术的技术方案至少存在以下有益效果：本专利技术在一组第一感应器之间增设了若干组第二感应器，通过对PLC程序进行修改，使得磁铁可按照在第一感应器之间做左右复往运动、在第二感应器之间做左右复往运动的顺序依次循环，使得靶材上跑道的组数增加，减少了现有技术中靶材上形成的单组跑道的被刻蚀深度，有效地改善了靶材的利用率。
附图说明
[0011]附图对本专利技术作进一步说明，但附图中的实施例不构成对本专利技术的任何限制。
[0012]图1为现有磁控溅射设备中磁铁扫描的速度示意图；
[0013]图2为靶材上形成跑道的照片；
[0014]图3为使用过后的靶材进行剩余厚度测量的测试数据图；
[0015]图4为一实施例提供的磁控溅射设备的示意图；
[0016]图5为一实施例提供的靶材上形成多组跑道的示意图；
[0017]附图标记说明：10
‑
磁控溅射装置、11
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被成膜基板、12
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靶材、13
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第一感应器、14
‑
第二感应器、15
‑
磁铁。
具体实施方式
[0018]应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。
[0019]现有的磁控溅射设备一般采用PLC可编程控制器控制设备，PLC(Programmable Logic Controller，可编程逻辑控制器)是一种专门为在工业环境下应用而设计的以微处理器为基础的新一代工业自动控制装置。PLC采用一种可编程的存储器，在其内部存储执行逻辑运算、顺序控制、定时、计数和算术运算等操作的指令，通过数字式或模拟式的输入输出来控制各种类型的机械设备或生产过程。因此，带有PLC程序控制的磁控溅射设备不但可以对镀膜设备进行自动控制而使产品达到更高的要求，也能够对系统进行实时监控，在出现特殊情况时进行报警和检查故障。本专利技术中所使用的带有PLC程序控制的磁控溅射装置中，感应器是指感应磁铁运动位置(磁铁运动位置可理解为磁铁的扫描行程或者磁铁的运行路径)的光感感应器，主要作用是为磁铁扫描运动的起点和终点作定位，磁控溅射装置可通过感应器对磁铁的运动位置进行识别并做出判断，PLC程序可以对磁铁的运动距离、运动速度等参数进行控制以及修改。
[0020]为了改善在现有磁控溅射设备中因靶材上对应于磁铁运行路径的两个起点位置处的区域易形成跑道造成靶材被击穿而使得靶材利用率低的问题，本专利技术提供了一种提高靶材利用率的方法，包括提供带有PLC程序控制的磁控溅射装置，如图4所示，磁控溅射装置
10包括了被成膜基板11、与被成膜基板11相对设置的靶材12、设置在靶材12远离被成膜基板11一侧的磁铁15、第一感应器13以及第二感应器14，磁铁15所在的高度高于第一感应器13以及第二感应器14所在高度以避免感应器阻碍磁铁15的左右复往运动，第一感应器13之间的距离为a，第二感应器14之间的距离为b，b满足：0.88a≤b<a，磁铁15按照在第一感应器13之间做左右复往运动、在第二感应器14之间做左右复往运动的顺序依次循环。如此，磁铁15在第一感应器13之间做左右复往运动时会形成一组跑道，在第二感应器14之间做左右复往运动时会形成另一组跑道，即在靶材12上跑道的组数增加，可以减少原本单组跑道的被刻蚀深度，使得靶材12较为均匀地被消耗，从而有效地提高靶材12的利用率。
[0021]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提高靶材利用率的方法，所述方法包括提供带有PLC程序控制的磁控溅射装置，所述磁控溅射装置包括被成膜基板、与所述被成膜基板相对设置的靶材、设置在所述靶材远离所述被成膜基板一侧的磁铁、分别位于所述磁铁左右两侧用于识别所述磁铁位置的一组第一感应器，所述第一感应器之间的距离为a，所述磁铁在所述第一感应器之间做左右复往运动，其特征在于，所述方法还包括沿着所述第一感应器方向上在所述第一感应器之间设置有第二感应器，所述第二感应器之间的距离b满足：0.88a≤b<a，所述磁铁按照在所述第一感应器之间做左右复往运动、在所述第二感应器之间做左右复往运动的顺序依次循环。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述0.88a的值不小于所述被成膜基板的宽度。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，沿着所述第一感应器方向上在所述第一感应器之间设置有一组所述第二感应器。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，对所述PLC程序进行修改，包括：当所述磁控溅射装置识别出第m块所述被成膜基...

【专利技术属性】
技术研发人员：张依腾，郑风云，杨文胜，何海山，李伟界，
申请(专利权)人：信利惠州智能显示有限公司，
类型：发明
国别省市：