一种钙钛矿量子点薄膜缺陷原位钝化的方法技术

本发明专利技术公开了一种钙钛矿量子点薄膜缺陷原位钝化的方法，其中，缺陷原位钝化的方法包括步骤：准备钙钛矿量子点薄膜；在所述钙钛矿量子点薄膜上蒸镀二苯基[4

【技术实现步骤摘要】
一种钙钛矿量子点薄膜缺陷原位钝化的方法


[0001]本专利技术涉及量子点领域，尤其涉及一种钙钛矿量子点薄膜缺陷原位钝化的方法。

技术介绍

[0002]钙钛矿量子点具有多种优异的性能，比如具有直接带隙、发光色纯度高、发光颜色可调、光吸收系数大、载流子迁移率大、缺陷容忍度高、以及方便合成等，因此钙钛矿量子点在光电器件，例如显示器、发光二极管、光电探测器、太阳能电池、激光器等领域，都逐渐显现出优势。
[0003]钙钛矿量子点通常采用溶液法制备，比如热注入法和共沉淀法。合成好的量子点通常需要进行后续钝化和清洗处理，以便用于光电器件。然而，在溶液中的钝化处理一方面容易引起光谱位置变化，改变目标光学性质；一方面，由于溶解性问题，用于钝化处理的化学物质的选择比较有限；另一方面，在溶液中处理后的量子点制备成量子点薄膜之后，大量新的缺陷还是会生成，影响钙钛矿量子点薄膜的稳定性和光电性能。因此，高效率且具有普适性的钙钛矿量子点薄膜缺陷钝化方法有待进一步开发和优化，从而获得方法简便、性能优越的钙钛矿量子点薄膜缺陷钝化方法。

技术实现思路

[0004]鉴于上述现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种蓝光钙钛矿量子点的制备方法，旨在解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0005]一种钙钛矿量子点薄膜缺陷原位钝化的方法，其中，包括步骤：
[0006]准备钙钛矿量子点薄膜；
[0007]在所述钙钛矿量子点薄膜上蒸镀TSPO1薄膜；
[0008]在所述TSPO1薄膜上蒸镀SPPO13薄膜，获得缺陷钝化后的钙钛矿量子点薄膜。
[0009]进一步地，所述TSPO1薄膜的厚度为1～3纳米。
[0010]进一步地，所述SPPO13薄膜的厚度为3～8纳米。
[0011]有益效果：本专利技术通过特定的量子点薄膜原位钝化处理，同步提高了钙钛矿量子点薄膜的光学性能、电学性能和热稳定性，获得了耐热性能好、光电性能优越的钙钛矿量子点薄膜，适用于多种光电器件应用，包括显示器、发光二极管、光电探测器、太阳能电池、激光器等。
附图说明
[0012]图1为本专利技术一种钙钛矿量子点薄膜缺陷原位钝化的方法的流程图。
[0013]图2为本专利技术实施例1中所获得的钝化前后钙钛矿量子点薄膜的高温热稳定性光谱对比图。
[0014]图3为本专利技术实施例2中所获得的钝化前后钙钛矿量子点薄膜用于电致发光二极管中时所得发光性能对比图。
具体实施方式
[0015]本专利技术提供一种钙钛矿量子点薄膜缺陷原位钝化的方法，为使本专利技术的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本专利技术进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施方式仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。
[0016]如图1所示为本专利技术一种钙钛矿量子点薄膜缺陷原位钝化的方法的流程图，其中，包括步骤：
[0017]S10：准备钙钛矿量子点薄膜；
[0018]S20：在所述钙钛矿量子点薄膜上蒸镀TSPO1薄膜；
[0019]S30：在所述TSPO1薄膜上蒸镀SPPO13薄膜，获得缺陷钝化后的钙钛矿量子点薄膜。
[0020]在一些实施例中，所述TSPO1薄膜的厚度为1～3纳米。
[0021]在一些实施例中，所述SPPO13薄膜的厚度为3～8纳米。
[0022]在一些实施例中，所述钙钛矿量子点薄膜可以通过浸渍法、滴定法、旋涂法、刮涂法或喷墨打印法等方法制备。
[0023]在一些实施例中，所述钙钛矿量子点薄膜可以在硬质基底上，也可以在柔性基底上。
[0024]在一些实施例中，所述钙钛矿量子点为卤素钙钛矿量子点或纳米颗粒，包括含有碘、溴、氯中至少一种卤素的钙钛矿量子点。
[0025]以下通过实施例对本专利技术进行进一步详细说明：
[0026]实施例1
[0027]在玻璃基底上刮涂制备氯溴混合钙钛矿量子点薄膜；将所述沉积有量子点薄膜的玻璃转移到蒸镀腔中，依次蒸镀1纳米TSPO1薄膜和8纳米SPPO13薄膜，获得缺陷钝化后的钙钛矿量子点薄膜。所述缺陷钝化后的钙钛矿量子点薄膜如图2所示，在250℃依然具有较强发光，相对未钝化的量子点薄膜具有显著提高的热稳定性，可以用于对耐热性要求较高的光电器件，比如激光器。
[0028]实施例2
[0029]在沉积有PEDOT:PSS空穴注入层和PTAA空穴传输层的ITO导电玻璃基底上旋涂制备钙钛矿量子点薄膜；将所述沉积有钙钛矿量子点薄膜的基底转移到蒸镀腔中，依次蒸镀2纳米TSPO1薄膜、5纳米SPPO13薄膜、35纳米1,3,5
‑
三(1
‑
苯基
‑
1H
‑
苯并咪唑
‑2‑
基)苯(TPBi)电子传输层、1纳米LiF和100纳米铝电极层，获得缺陷钝化后的钙钛矿量子点薄膜基发光二极管。所述发光二极管的性能优越，与未钝化钙钛矿量子点薄膜基发光二极管的电致发光性能对比图如图3所示。
[0030]实施例3
[0031]在二氧化硅基底上沉积钙钛矿量子点薄膜；将所述基底转移到蒸镀腔中，依次蒸镀3纳米TSPO1薄膜、3纳米SPPO13薄膜和100纳米金电极，获得缺陷钝化后的钙钛矿量子点光电探测器。
[0032]综上所述，本专利技术提供一种钙钛矿量子点薄膜缺陷原位钝化的方法，同步提高了钙钛矿量子点薄膜的光学性能、电学性能和热稳定性，获得了耐热性能好、光电性能优越的钙钛矿量子点薄膜，适用于多种光电器件应用，包括显示器、发光二极管、光电探测器、太阳能电池、激光器等。
[0033]应当理解的是，本专利技术的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本专利技术所附权利要求的保护范围。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种钙钛矿量子点薄膜缺陷原位钝化的方法，其特征在于，包括步骤：准备钙钛矿量子点薄膜；在所述钙钛矿量子点薄膜上蒸镀二苯基[4
‑
(三苯基甲硅烷基)苯基]氧膦薄膜；在所述二苯基[4
‑
(三苯基甲硅烷基)苯基]氧膦薄膜上蒸镀2,7
‑
双(二苯基氧膦基)
‑
9,9
′‑
螺二芴薄膜，获得缺陷钝化后的钙钛...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈芳，戴兴良，何海平，叶志镇，
申请(专利权)人：浙江锌芯钛晶科技有限公司，
类型：发明
国别省市：